문맥 (context)
본 발명은, DC/DC컨버터 및 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 절연 기판상에 박막 트랜지스터를 이용해 구축된 DC/DC컨버터 및 그것을 갖춘 액정표시장치에 관한 것이다.
액정표시장치는, 투명 유리 기판상에 배치하여 설치된 액정 표시부와, 이 액정 표시부의 주위에 배치하여 설치된 드라이버와, 이 드라이버에 구동 전압을 공급하는 DC/DC컨버터를 구비하고 있다. 액정 표시부에는 복수의 화소가 매트릭스 형상으로 배열되어있다. 1개 화소는 수직 주사선(게이트 신호선)과 수평 주사선(영상 신호선)의 교차부에 배치되어 있다. 화소는, 박막 트랜지스터와 박막 트랜지스터의 소스 영역에 전기적으로 직렬로 접속된 화소 전극과, 화소 전극에 대향 배치된 공통 화소 전극과, 화소 전극과 공통 화소 전극의 사이에 봉입된 액정을 구비해 구성되어 있다. 화소의 박막 트랜지스터의 드레인 전극에는 수평 주사선이 접속되고, 게이트 전극에는 수직 주사선이 접속되어 있다.
업무용이나 가정용으로 사용되는 텔레비전로서의 대형 액정표시장치의 수요는 더욱 높아지는 경향이 있다. 한편, 휴대전화기, 무선기, 디지털카메라, 노트북 등에 포함되는, 예를 들면, 20 인치 이하의 액정 표시부를 갖는 중소형의 액정표시장치의 수요 또한 높아지고 경향이 있다.
중소형의 액정표시장치는, 액정 표시부의 유효 표시 면적을 가능한 한 확보하면서, 액정 표시부의 주변 회로의 점유 면적을 축소하고, 전체적으로 소형화를 도모하는 경향이 있다. 예를 들면, 휴대전화기는, 액정 표시부의 대화면화의 요구가 있는 한편, 이러한 액정 표시부를 전화기 본체의 한정된 공간 내에 수납하는 것이 요구되고 있다.
이러한 요구에 대해, 액정 표시부의 투명 유리 기판상에 주변 회로의 일부를 직접 만들어 넣는 기술 개발이 진행되고 있다. 주변 회로를 구축하는 일부 소자에는 액정 표시부의 화소의 박막 트랜지스터와 같은 박막 트랜지스터가 사용되고 있다. 구체적으로는, 수직 주사선을 선택해 구동하는 수직 드라이버, 수평 주사선을 선택해 구동하는 수평 드라이버, DC/DC컨버터는 모두 액정 표시부의 화소를 구축하는 소자와 동일 제조 프로세스에 의해 제조된 동일 단면 구조의 소자에 의해 구성되어 있다. DC/DC컨버터의 챠지 펌프를 구축하는 트랜지스터에는 박막 트랜지스터가 사용되고 있다.
액정표시장치의 제조 프로세스에서, 박막 트랜지스터는 고온도열처리에 취약한 투명 유리 기판상에 제조되기 때문에, 박막 트랜지스터에는 저온도 프로세스에서 막을 형성할 수 있는 다결정 실리콘막 (이하, 「저온 폴리 실리콘막」이라 함)이 사용되고 있다. 즉, 박막 트랜지스터의 채널 형성 영역, 소스 영역 및 드레인 영역이 저온 폴리 실리콘막을 이용하여 제조되고 있다. 박막 트랜지스터는, 이들 채널 형성 영역, 소스 영역 및 드레인 영역과 더불어, 채널 형성 영역의 표면상의 게이트 산화막 및 이 게이트 산화막의 표면상에 형성된 게이트 전극을 구비하고 있다. 게이트 산화막은 예를 들면, 화학적 기상 성장(CVD)법에 의해 형성된다.
또, DC/DC컨버터의 챠지 펌프가 박막 트랜지스터에 의해 구성되는 액정표시장치에 대해서는, 예를 들면, 아래의 특허 문헌 1에 기재되어 있다.
특허 문헌 1 미국특허번호 7,072,193 B2
지시문 (instruction)
주어진 원문을 읽고 필요한 정보를 파악하여, 원문에 근거해 질문에 답하라.
질문 (question)
액정표시장치의 화소를 구성하는 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 게이트 전극은 각각 어떤 선과 접속되어 있는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation화소 내 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 게이트 전극이 각각 연결되는 구성요소를 확인해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction박막 트랜지스터의 전극 연결 관계에 관한 문장을 추출한다.
- 화소의 박막 트랜지스터의 드레인 전극에는 수평 주사선이 접속되고, 게이트 전극에는 수직 주사선이 접속되어 있다.
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3근거 선택
evidence_selection드레인 전극-수평 주사선, 게이트 전극-수직 주사선의 연결 관계를 직접적인 근거로 선택한다.
- 박막 트랜지스터의 드레인 전극에는 수평 주사선이 접속되고, 게이트 전극에는 수직 주사선이 접속되어 있다.
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4논리 통합
logical_integration추출된 정보를 바탕으로 드레인 전극과 게이트 전극의 대응 관계를 정리한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation드레인 전극은 수평 주사선에, 게이트 전극은 수직 주사선에 접속되어 있다는 결론을 도출한다.
- 드레인 전극에는 수평 주사선이 접속되고, 게이트 전극에는 수직 주사선이 접속되어 있다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 명확하게 대응하는 답변을 작성한다.
- 드레인 전극에는 수평 주사선이 접속되고, 게이트 전극에는 수직 주사선이 접속되어 있다.
최종 답변 (final_answer)
박막 트랜지스터의 드레인 전극에는 수평 주사선이 접속되고, 게이트 전극에는 수직 주사선이 접속된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
화소의 박막 트랜지스터에서 드레인 전극은 수평 주사선에 접속되고 게이트 전극은 수직 주사선에 접속된다.