문맥 (context)
집적회로(IC) 소자의 제조업자들은 제조 공정중에 다양한 지점에서 결함이 있는 소자들을 추려내기 위해 테스트 시스템 또는 테스터를 사용한다. 넓게는, 두 가지 타입의 디지털 테스터가 있는데, 플래시 메모리 또는 RAM(random access memory) 등의 메모리 어레이 또는 회로를 테스트하기에 적합한 것들과 마이크로컨트롤러, 주문형 IC(ASIC) 및 PLD(programmable logic devices) 등의 로직 회로를 테스트하기에 적합한 것들이 있다. 일반적인 타입의 플래시 메모리 소자는 NOR 플래시, NAND 플래시 및 시리얼 데이터 플래시 메모리들을 포함한다.
플래시 메모리 소자는 종종 다양한 데이터 구조를 갖도록 제작된다. 통상적인 제조 테스트 공정의 일부분으로서, 알고리즘적 데이터 패턴 및 비알고리즘적 데이터 패턴 모두가 소자에 프로그램될 수 있다. 더 나아가, 고객들은 종종 소자를 취득하기 전에 제조업자들에 의해 소자에 프로그램되는, 휴대폰 운영 시스템과 같은 특정한 코드들을 원한다. 데이터 패턴 또는 고객 특정 코드는 행 어드레스 및 열 어드레스에 의해 식별되는 각각의 데이터 워드를 이용하여 플래시 메모리 소자의 특정 위치에 프로그램된다.
NAND 플래시 메모리 소자는 데이터의 행으로서 내부적으로 조직되는 저장 셀들을 갖는다. 각 행은 일반적으로 512개의 사용자 프로그램 가능 셀 또는 데이터 비트 및 소자의 특성과 결함 정보를 저장하기 위해 소자 제조업자에 의해 사용되는 10-20개의 추가 비트를 갖는다. 대개, 행들은 "블럭"으로 그룹화되며, 각각의 블럭은 일반적으로 8 내지 64개의 행을 갖는다. 사용자 데이터는 행을 반영하는 고속 쉬프트 레지스터를 로딩(loading)한 다음, 쉬프트 레지스터로부터의 데이터를 행의 모든 데이터 비트들로 동시에 전송함으로써 직렬 방식으로 NAND 플래시 행들에 프로그램된다.
모놀리식(monolithic) NAND 플래시 소자들은 종종 20억 개의 개별적인 저장 위치 또는 셀을 포함한다. 하나의 집적 회로 상에 이러한 많은 수의 저장 위치를 가지면서, 100% 기능하는 저장 위치를 갖는 완벽한 소자를 제작하는 것은 어렵다. 이러한 이유로, 저장 셀들의 여분의 행이 결함이 있거나 다른 원인으로 동작할 수 없는 저장 셀을 교체하는데 사용될 수 있도록 플래시 메모리에 설계된다. 결함 셀의 교체는 보통 결함 셀을 갖는 블럭을 대체하는 우수한 대체 블럭을 갖는 블럭 레벨로 수행된다. IC 산업에서 이러한 여분의 셀은 "리던던트 엘리먼트" 또는 "리던던트 셀"로 불리며, 결함이 있는 소자의 수리는 "리던던트 수리"로 불린다.
테스트 공정에서 결함 블럭이 검출되면, 결함 블럭의 어드레스가 "배드 블럭 테이블(bad block table)"에 입력되고, 이는 플래시 메모리 소자의 지정된 위치에 저장된다. 이후, 배드 블럭 테이블은 결함 저장 엘리먼트(elements)의 위치를 알아내기 위해 사용될 수 있다. 소자 제조 흐름의 이 시점에서부터, 결함 블럭은 더 이상 테스트 데이터 패턴 또는 고객 코드로 프로그램되지 않는다. 리던던트 블럭보다 더 많은 결함 블럭이 있다면, 소자는 "수리 불가능"한 것으로 간주되어 폐기된다.
지시문 (instruction)
주어진 원문을 읽고 필요한 정보를 파악하여, 원문에 근거해 질문에 답하라.
질문 (question)
NAND 플래시 메모리 소자에서 결함이 있는 저장 셀을 교체하기 위해 설계된 여분의 셀을 무엇이라 부르며, 결함 블럭의 어드레스 정보는 어디에 저장되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretationNAND 플래시의 결함 셀 교체용 구성 요소 명칭과 결함 블럭 어드레스가 저장되는 위치를 묻는 질문이다.
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2정보 추출
information_extraction결함 셀 교체를 위해 설계된 여분의 셀 명칭과 결함 블럭 어드레스 저장 위치를 본문에서 찾는다.
- IC 산업에서 이러한 여분의 셀은 "리던던트 엘리먼트" 또는 "리던던트 셀"로 불리며
- 결함 블럭의 어드레스가 "배드 블럭 테이블(bad block table)"에 입력되고
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3근거 선택
evidence_selection여분 셀의 명칭은 '리던던트 엘리먼트' 또는 '리던던트 셀'이며, 어드레스 저장 위치는 '배드 블럭 테이블(bad block table)'임을 확인한다.
- IC 산업에서 이러한 여분의 셀은 "리던던트 엘리먼트" 또는 "리던던트 셀"로 불리며
- 결함 블럭의 어드레스가 "배드 블럭 테이블(bad block table)"에 입력되고
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4논리 통합
logical_integration두 가지 구성 요소(여분 셀 명칭, 저장 위치)를 결합하여 답변을 구성한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation여분 셀은 리던던트 엘리먼트 또는 리던던트 셀이라 불리고, 어드레스는 배드 블럭 테이블에 저장된다.
- IC 산업에서 이러한 여분의 셀은 "리던던트 엘리먼트" 또는 "리던던트 셀"로 불리며
- 결함 블럭의 어드레스가 "배드 블럭 테이블(bad block table)"에 입력되고
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6답변 생성
answer_generation질문에 명시된 두 가지 정보를 명확히 기술한다.
- "리던던트 엘리먼트" 또는 "리던던트 셀"
- 배드 블럭 테이블(bad block table)
최종 답변 (final_answer)
결함이 있는 저장 셀을 교체하기 위해 설계된 여분의 셀은 '리던던트 엘리먼트' 또는 '리던던트 셀'이라 불리며, 결함 블럭의 어드레스는 '배드 블럭 테이블(bad block table)'에 저장된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
NAND 플래시 메모리 소자에서는 결함이 있는 저장 셀을 교체하기 위해 여분의 셀인 리던던트 엘리먼트를 설계하고, 결함 블럭의 어드레스는 배드 블럭 테이블에 저장하여 관리한다.