메모리 압축 document_id A220623031486

본 발명은 룩업 테이블 또는 프로그램 등의 고정된 데이터에 대한 메모리 요건을 갖는 내장된 마이크로프로세서에 기초하여 저가 전자 장치의 크기 및 단가 절감을 가능하게 해준다. 전자 장치는 종종 아주 간단한 것부터 아주 복잡한 것에 이르는 다양한 작업을 수행하기 위해 마이크로프로세서를 사용한다. 장치(전자 통신 장치, 원격 제어 장치, 다른 모바일 장치, 기타 등등)가 특정의 기능 또는 기능들을 위해 설계되어 있을 때, 이들 기능들에 대응하는 프로그램은 통상, 개발이 완료되면, 판독 전용 메모리(ROM)에 저장되어 있다. 지수 또는 로그 함수 또는 삼각 함수 등의 계산을 위해 필요한 어떤 함수의 값들에 대한 룩업 테이블 등의 다른 고정된 데이터도 역시 ROM에 저장될 수 있다. 저가이고 컴팩트한 형태의 ROM은 마스크 프로그램된 ROM(Mask Programmed ROM)이다. 마스크 프로그램된 ROM에서, 주소에 대응하는 다수의 신호선 중 하나 상에 논리 레벨을 제공하기 위해 주소가 디코딩된다. 주소선은 원하는 출력 워드에 대응하는 비트선과 교차하며, 모든 주소선과 비트선의 교차점에 트랜지스터가 배치되어 있으며, 이 경우 이진 "1"이 그 주소에 대한 원하는 비트 출력이다. 이러한 ROM은 실제로 각각의 출력 비트에 대한 거대한 OR-게이트와 동등하며, 주소 A1.OR.A2.OR.A3....이 활성인 경우 출력 비트를 "1"로 판정하고 그렇지 않으면 "0"으로 판정한다. 저장된 '1'을 나타내는 데 사용되는 트랜지스터는 각각의 다중-입력 OR 게이트에 입력을 제공한다. 도 1은 이러한 ROM을 나타낸 것이며, 여기서 32 비트 길이의 워드가 1024개 주소 각각에 대해 저장되어 있다. 더 큰 메모리가 요망되는 경우, 1024 워드의 연속적인 행들을 형성하기 위해 도 1의 패턴이 반복될 수 있으며, 선택된 행으로부터의 출력을 인에이블시키기 위해, 특정의 열 주소선의 활성화와 함께 특정의 워드를 선택하는 행-선택선이 제공된다. 트랜지스터는 원하는 비트 패턴에 적합하게 되어 있는, 제조 공정 동안에 사용되는 커스텀-설계된 확산(diffusion) 및/또는 접점(contact) 및/또는 배선(metallization) 마스크에 의해 배치된다. 마스크-제조가 비용이 많이 들기 때문에, 이것은 ROM 내용이 대량의 생산 단위에 대해 고정되어 있을 것으로 예상되는 경우에만 사용된다. 따라서, 전자적 또는 UV-소거가능 및 재프로그램가능 판독 전용 메모리(EAROM, EEROM, EPROM, "플래쉬" 메모리, 기타) 등등의 다른 형태의 메모리, 및 강유전체 메모리 등의 다른 보다 최근의 비휘발성 메모리 개발이, 원하는 내용을 알기 이전에 메모리가 제조되고 나중에 채워질 수 있는 것은 물론 사용 중에 수정될 수 있다는 편의성으로 인해 마스크 ROM(masked ROM)보다 우선하여 선택되는 것이 보다 통상적이다. 마스크 프로그램된 ROM의 실리콘 면적 및 그 결과의 비용 이점이 현재까지는 현장 프로그래밍(in-situ programming)의 편의성을 앞지를 정도로 충분하지 않다고 말할 수 있다. 어떤 유연성을 보존하면서 마스크 ROM의 이점을 제공할 수 있는 어떤 해결책은 프로그램의 성숙된 부분, 즉 서브루틴 또는 수학적 함수에 대한 고정된 테이블 또는 문자 세트 디스플레이(character set display)를 마스크 ROM에 저장하지만 재프로그램가능 메모리 내의 보다 작은 프로그램에 의해 이들을 링크 및 호출하는 것을 포함한다. 그와 같이, 마스크-ROM 루틴이 교체될 필요가 있는 경우, 교체 루틴이 재프로그램가능 메모리에 배치되어 있기만 하면 되고 마스크-ROM 버전은 바이패스되면 된다("패칭(patching)"이라는 프로세스). 그렇지만, 마스크 ROM의 면적 이점은 여전히 이 기술의 광범위한 사용을 촉진시키기에 충분하지 않다. 따라서, 지금까지의 마스크 ROM보다 상당히 더 콤팩트하고 경제적인 고정-내용 메모리(fixed-content memory)가 필요하다.