인쇄회로기판 및 그의 제조 방법, 및 이를 갖는 메모리모듈 및 그의 제조 방법 document_id A220623034904

CPU의 속도가 증가함에 따라, CPU를 포함하는 시스템의 성능을 향상시키기 위해 메인 메모리의 속도와 집적도를 증가시키기 위한 노력이 지속적으로 이루어지고 있다. 메인 메모리의 데이터 입출력 속도의 증가를 위해 CPU와 메모리 사이에는 고속의 패킷 송수신이 가능한 버스 구조가 채용되며, 메인 메모리의 기억 용량의 증가를 위해 인쇄회로기판(PCB) 상에 메모리를 탑재한 메모리 모듈이 사용되고 있다. 메모리 모듈의 종류는 크게 SIMM(Single In-lined Memory Module)과 DIMM(Dual In-lined Memory Module)로 나누어진다. SIMM은 인쇄회로기판(Printed Circuit Board:PCB)의 한쪽면에만 반도체 패키지들을 탑재한 것이며, DIMM은 PCB의 양쪽면 모두에 반도체 패키지들을 탑재한 것이다. 메모리 모듈의 사용으로 인해 메인 메모리의 기억 용량은 증가하게 된다. 또한, 메모리의 데이터 입출력 속도를 향상시키기 위해 메모리의 클럭 주파수를 상승시켜서 데이터의 전송 속도를 상승시켜야 한다. 또한, 메모리의 용량을 늘리기 위해서는 메모리 모듈에 탑재되는 메모리의 수를 늘리거나 마더보드의 슬롯의 수를 증가시켜서 많은 메모리 모듈들이 마더보드에 실장되게 한다. 그러나, 메모리의 클럭 주파수를 증가시키면, 메모리가 가지는 타이밍 마진이 줄어들고, 슬롯의 수를 증가시키면 전송 경로상에 로드가 많이 발생하여 신호의 전송이 취약하게 된다. 이러한 로드의 발생을 보상하기 위한 DIMM이 Registered DIMM이다. Registered DIMM은 위상 동기 루프(Phase Locked Loop, PLL), 레지스터(103) 및 다수의 메모리들을 가진다. Registered DIMM이 마더보드에 실장될 경우, 로드의 발생을 보상하는 장점을 가진다. 그러나, 슬롯이 많거나 클럭 주파수가 높은 경우, 전송 선로 상에서 반사파가 발생되어 전송 효율을 떨어뜨리는 단점을 가진다. 이러한 단점을 극복하기 위한 DIMM이 Fully Buffered DIMM(FBDIMM)이다. FBDIMM은 외부로부터의 신호들을 각 반도체 패키지로 제공하는 에이엠비(Advanced Memory Buffer:AMB)를 갖는다. 즉, FBDIMM에서는, 외부로부터의 신호들이 AMB를 경유해서 각 반도체 패키지들로 전송된다. 따라서, 상기 신호들이 흐르게 되는 신호선들이 모두 AMB에 연결된다. 이로 인하여, AMB에 높은 부하가 인가되므로, AMB에서 고열이 발생된다. 고열은 AMB의 수명을 단축시키고 AMB의 동작 신뢰성에 악영향을 미치므로, AMB로부터 고열을 신속하게 외부로 방출시킬 것이 요구된다. 따라서, FBDIMM은 AMB의 열방출을 위한 히트 스프레더(heat spreader)를 갖는다. 그러나, 히트 스프레더는 메모리 모듈의 두께를 증가시킨다. 또한, 히트 스프레더를 메모리 모듈에 조립하기 위한 추가 공정이 요구된다.