고속동작에 적합한 입력 회로를 갖는 반도체 메모리 장치 document_id A220623035676

오늘날 인간생활은 유비쿼터스 지향추세이다. 이에 따라, 인간들이 취급하게 되는 전자적 시스템도 그에 부응하여 눈부시게 발전되고 있다. 최근에 모바일 통신 시스템, 예를 들어 휴대용 멀티미디어 플레이어(PMP), 핸드 헬드 폰(HHP), 또는 PDA 등의 멀티미디어 전자기기나 퍼스널 컴퓨터 등에서는 기능이나 동작 수행의 고속화 및 원활화를 도모하기 위하여 하나의 시스템 내에 복수의 프로세서를 채용한 멀티 프로세서 시스템이 선호된다. 예를 들어, 핸드 헬드 폰의 경우를 보더라도 사용자들의 컨버젼스 요구에 부응하여, 전화 기능 이외에 음악, 게임, 카메라, 또는 동영상 기능 등이 구현된다. 따라서, 그러한 경우에 통신 변복조 기능을 수행하는 통신 프로세서와, 상기 통신 기능을 제외한 어플리케이션 기능을 수행하는 응용 프로세서가 핸드 헬드 폰의 인쇄회로 기판에 함께 채용될 필요성이 있는 것이다. 멀티 프로세서 시스템에 채용하기 적합한 최근의 멀티포트 DRAM은 메모리 반도체 메이커로서 세계적으로 유명한 대한민국의 삼성전자에 의해 등록제품명 "원디램" 으로서 제조되는 디램 타입 메모리의 기능과 실질적으로 동일한다. 그러한 원디램은 모바일 디바이스 내에서 통신 프로세서와 미디어 프로세서 간의 데이터 처리 속도를 현저히 증가시킬 수 있는 퓨전 메모리 칩이다. 일반적으로 두 프로세서들이 있는 경우에 두 개의 메모리 버퍼들이 통상적으로 요구된다. 그렇지만, 원디램 솔루션은, 프로세서들간의 데이터를 단일 칩을 통하여 라우팅할 수 있기 때문에, 두 개의 메모리 버퍼들에 대한 필요성을 제거할 수 있다. 또한 듀얼 포트 어프로치를 취함에 의해, 원 디램은 프로세서들 간의 데이터 전송에 걸리는 시간을 상당히 감소시킨다. 단일 원디램 모듈은 고성능 스마트 폰 및 다른 멀티미디어 리치 핸드 셋(rich-handset)내에서 적어도 2개의 모바일 메모리 칩들을 대치할 수 있다. 프로세서들 간의 데이터 처리 속도가 보다 빨라짐에 따라 원디램은 전력 소모를 약 30퍼센트 정도 감소시키며, 필요해지는 칩 수를 줄이고, 토탈 다이 에리어 커버리지를 약 50퍼센트 축소시킬 수 있다. 이 결과는 셀룰러 폰의 속도를 약 5배 증가시키고 배터리 수명을 길게 하고 핸드셋 디자인을 슬림하게 하는 결과를 야기한다. 그러한 멀티 프로세서 시스템이나 단일 프로세서 시스템에서 프로세싱 데이터를 저장하기 위해 채용되는 반도체 메모리는 동작이나 기능 면에서 다양하게 변화되고 있으며, 보다 고속의 데이터의 입출력 동작이 요구되는 실정이다. 시스템의 메모리 콘트롤러에서 반도체 메모리 장치로 전송되는 데이터 전송 속도는 예를 들어, 차세대 DDR5 그래픽 메모리에서 싱글 엔디드 스킴으로써 데이터 전송이 이루어지는 경우에 약 5Gbps(bit per second)이다. 싱글 엔디드 스킴으로써 약 5Gbps의 초고속 동작이 원활히 달성되도록 하기 위해서는 데이터 전송 시의 스위칭 파워 노이즈와 크로스 토크(cross-talk) 노이즈에 대한 대비책이 매우 중요하게 된다. 왜냐하면 5Gbps의 데이터 전송동작에서는 1비트의 데이터가 유지되는 단위 구간 즉 1 UI 가 200ps정도 밖에 되지 않으므로 노이즈에 의한 지터(jitter)영향을 크게 받아 데이터 전송에러가 발생될 확률이 매우 크기 때문이다. 뿐만 아니라 메모리 콘트롤러와 반도체 메모리 장치간의 데이터 전송에서는 높은 대역폭(bandwidth)이 요구되므로 시리얼 전송이 아니라 복수의 데이터 핀들을 통한 병렬 전송이 행해지기 때문에 스위칭 파워 노이즈와 크로스 토크 노이즈가 상대적으로 많이 발생하게 된다. 따라서, 반도체 메모리 장치로의 데이터 전송에 있어서 반도체 메모리 장치로 입력되는 입력 데이터에 대한 스위칭 파워 노이즈와 크로스 토크 노이즈를 최적으로 줄일 필요성이 있다.