감광성 수지 및 감광성 조성물 document_id A220623036397

반도체 디바이스, 예컨대 DRAM 등으로 대표되는 고집적 회로 소자에서는 더 많은 고밀도화, 고집적화 또는 고속화의 요망이 높다. 그에 따라, 각종 전자 디바이스 제조 분야에서는 하프 마이크론 오더의 미세 가공 기술의 확립, 예컨대 미세 패턴 형성을 위한 포트리소그래피 기술 개발에 대한 요구가 점점 까다로워지고 있다. 포트리소그래피 기술에서 패턴의 미세화를 도모하는 수단의 하나로서, 포토레지스트의 패턴 형성 시에 사용하는 활성 방사선(노광광)의 파장을 짧게 하는 방법이 있다. 여기서, 축소 투영 노광 장치의 해상도(R)는 레일리의 식 (R=k·λ/NA(여기서 λ는 노광광의 파장, NA는 렌즈의 개구수, k는 프로세스 팩터)으로 표시되기 때문에, 레지스트의 패턴 형성 시에 사용하는 활성 방사선(노광광)의 파장(λ)을 단파장화함으로써 해상도를 향상시킬 수 있다. 단파장에 적합한 포토레지스트로서 화학 증폭형의 것이 제안된 바 있다(특허 문헌 1 등 참조). 화학 증폭형 포토레지스트의 특징은 함유 성분인 광산발생제로부터 노광광의 조사에 의해 프로톤산이 발생하고, 이 프로톤산이 노광 후의 가열 처리에 의해 산 해리성 기(산으로 해리, 분해되는 기)를 갖는 폴리머 등과 산 촉매 반응을 일으킨다는 것이다. 현재 개발되고 있는 포토레지스트의 대부분은 화학 증폭형이다. 이러한 화학 증폭형 포토레지스트용 광산발생제로서 다양한 술포늄염이 알려져 있다. 그러나, 종래의 술포늄염계의 광산발생제는 포토레지스트의 주성분인 산 해리기를 갖는 폴리머와의 상용성이 나쁜 등의 문제점이 있다. 당연히 그 문제점에 기인하여 그 광산발생제를 포함하고 있는 포토레지스트에 활성 방사선으로 패턴 노광한 경우, 얻어지는 패턴 형상이 원하는 형상으로 되지 않는 등 악영향을 미친다는 문제가 발생한다. [특허 문헌 1] 미국 특허 제4491628호