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표시장치, 표시장치의 구동방법 및 전자기기 document_id A220623036598

분류
전기전자
라벨 상태 (label_status)
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문맥 (context)
최근, 영상이나 문자 데이터를 표시하는 표시장치의 분야에서는, 발광소자를 포함한 화소(화소회로)가 행렬 형상으로 배치된 평면형 표시장치가 개발되어 상품화되고 있다. 이러한 평면형 표시장치는, 화소의 전기광학소자로서, 디바이스에 흐르는 전류치에 따라 발광 휘도가 변화하는 소위 전류 구동형 전기광학소자, 예를 들면 유기박막에 전계를 가하면 발광하는 현상을 이용한 유기EL(electro luminescence) 소자를 사용한 유기EL 표시장치를 포함한다. 유기EL 표시장치는, 유기EL소자를 10V 이하의 인가전압으로 구동할 수 있기 때문에 소비 전력이 낮다. 또한, 유기EL소자는 자발광 소자이기 때문에, 각 화소의 액정 셀에서 광원(백라이트)으로부터의 광강도를 제어함으로써 영상이나 문자 데이터를 표시하는 액정표시장치와 비교하여, 화상의 시인성이 높고, 백라이트를 필요로 하지 않고, 소자의 응답 속도가 빠른 등의 특징이 있다. 유기EL 표시장치에서는, 액정표시장치와 마찬가지로 그 구동방식으로서 단순(패시브) 매트릭스 방식과 액티브 매트릭스 방식을 채용할 수 있다. 다만, 단순 매트릭스 방식의 표시장치는, 구조가 간단하지만, 대형이면서 고세밀 표시장치의 실현이 어려운 등의 문제가 있다. 따라서 최근, 전기광학소자에 흐르는 전류를, 상기 전기광학소자와 같은 화소회로 내에 설치한 능동소자, 예를 들면 절연 게이트형 전계효과 트랜지스터(일반적으로는, TFT(Thin Film Transistor;박막 트랜지스터))에 의해 제어하는 액티브 매트릭스 방식의 표시장치의 개발이 활발히 진행되고 있다. 일반적으로, 유기EL소자의 I-V특성(전류-전압특성)은, 시간이 경과하면 열화(소위, 시간에 따른 열화) 한다는 것이 알려져 있다. 유기EL소자를 전류 구동하는 트랜지스터(이하, 「구동 트랜지스터」라고 기술한다)로서 N채널형 TFT를 사용한 화소회로에서는, 구동 트랜지스터의 소스측에 유기EL소자가 접속된다. 따라서, 유기EL소자의 I-V특성이 시간에 따라 열화하면, 구동 트랜지스터의 게이트-소스간 전압 Vgs가 변화하고, 그 결과, 유기EL소자의 발광 휘도도 변화한다. 이 현상에 대해서 더 구체적으로 설명한다. 구동 트랜지스터의 소스 전위는, 상기 구동 트랜지스터와 유기EL소자의 동작점에서 결정된다. 유기EL소자의 I-V특성이 열화하면, 구동 트랜지스터와 유기EL소자의 동작점이 변동한다. 따라서, 구동 트랜지스터의 게이트에 같은 전압을 인가하더라도 구동 트랜지스터의 소스 전위가 변화한다. 구동 트랜지스터의 소스-게이트간 전압 Vgs가 변화하기 때문에, 상기 구동 트랜지스터에 흐르는 전류치가 변화한다. 유기EL소자에 흐르는 전류치가 변화하기 때문에, 유기EL소자의 발광 휘도도 변화하게 된다. 폴리실리콘 TFT를 사용한 화소회로에서는, 유기EL소자의 I-V특성의 시간 경과에 따른 열화와 함께, 구동 트랜지스터의 역치전압 Vth나 이동도 μ가 시간에 따라 변화하거나, 제조 프로세스의 편차에 의해 역치전압 Vth나 이동도 μ가 화소마다 다르다(각각의 트랜지스터 특성에 편차가 있다). 구동 트랜지스터 사이의 역치전압 Vth나 이동도 μ가 다르면, 구동 트랜지스터에 흐르는 전류치에 변동이 발생한다. 따라서, 구동 트랜지스터의 게이트에 같은 전압을 인가해도, 유기EL소자의 발광 휘도가 화소 사이에서 변화하여, 화면의 균일성이 손상된다. 유기EL소자의 I-V특성이 시간에 따라 열화하거나, 구동 트랜지스터의 역치전압 Vth나 이동도 μ가 시간에 따라 변화해도, 그것들의 영향을 받지 않고, 유기EL소자의 발광 휘도를 일정하게 유지하도록 하기 위해서, 유기EL소자의 특성 변동에 대한 보상 기능 및 구동 트랜지스터의 역치전압 Vth나 이동도 μ의 변동에 대한 보정 기능을 화소회로에 갖게 하는 구성을 채용하고 있다(예를 들면 특허문헌 1: 일본국 공개특허공보 특개 2006-133542호 참조).
지시문 (instruction)
주어진 원문을 읽고 필요한 정보를 파악하여, 원문에 근거해 질문에 답하라.
질문 (question)
N채널형 TFT를 구동 트랜지스터로 사용하는 화소회로에서 유기EL소자의 I-V특성이 열화될 때, 유기EL소자의 발광 휘도가 변화하게 되는 구동 메커니즘은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    유기EL소자의 I-V특성 열화가 발광 휘도 변화로 이어지는 인과 관계 및 작동 방식을 설명해야 한다.

    • 유기EL소자의 I-V특성이 시간에 따라 열화하면, 구동 트랜지스터의 게이트-소스간 전압 Vgs가 변화하고, 그 결과, 유기EL소자의 발광 휘도도 변화한다.
  2. 2정보 추출information_extraction

    열화 발생 시 발생하는 물리적 변화 단계들을 추출한다.

    • 유기EL소자의 I-V특성이 열화하면, 구동 트랜지스터와 유기EL소자의 동작점이 변동한다.
    • 구동 트랜지스터의 게이트에 같은 전압을 인가하더라도 구동 트랜지스터의 소스 전위가 변화한다.
    • 구동 트랜지스터의 소스-게이트간 전압 Vgs가 변화하기 때문에, 상기 구동 트랜지스터에 흐르는 전류치가 변화한다.
  3. 3근거 선택evidence_selection

    전압 변화가 전류 변화를 거쳐 휘도 변화로 이어지는 핵심 경로를 선별한다.

    • 구동 트랜지스터의 소스 전위는, 상기 구동 트랜지스터와 유기EL소자의 동작점에서 결정된다.
    • 유기EL소자에 흐르는 전류치가 변화하기 때문에, 유기EL소자의 발광 휘도도 변화하게 된다.
  4. 4논리 통합logical_integration

    열화 -> 동작점 변동 -> 소스 전위 변화 -> Vgs 변화 -> 전류치 변화 -> 휘도 변화의 인과 고리를 연결한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    추출된 인과 관계를 바탕으로 작동 메커니즘을 정리한다.

    • 유기EL소자의 I-V특성이 열화하면, 구동 트랜지스터와 유기EL소자의 동작점이 변동한다.
    • 구동 트랜지스터의 소스-게이트간 전압 Vgs가 변화하기 때문에, 상기 구동 트랜지스터에 흐르는 전류치가 변화한다.
    • 유기EL소자에 흐르는 전류치가 변화하기 때문에, 유기EL소자의 발광 휘도도 변화하게 된다.
  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대해 논리적인 인과 관계를 포함한 문장으로 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
유기EL소자의 I-V특성이 열화되면 구동 트랜지스터와 유기EL소자의 동작점이 변동한다. 이로 인해 구동 트랜지스터의 게이트에 동일한 전압을 인가하더라도 소스 전위가 변화하게 되며, 결과적으로 구동 트랜지스터의 게이트-소스간 전압(Vgs)이 변화하여 흐르는 전류치가 달라진다. 최종적으로 유기EL소자에 흐르는 전류치가 변화함에 따라 발광 휘도가 변화한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
유기EL소자의 I-V특성 열화가 구동 트랜지스터의 동작점과 소스 전위를 변화시키고 게이트-소스간 전압 Vgs를 변화시켜 소자에 흐르는 전류와 발광 휘도에 영향을 미친다.