공중합체, 뱅크 형성용 조성물 및 이를 이용한 뱅크 형성방법 document_id A220623039806

본 발명은 공중합체, 뱅크 형성용 조성물 및 이를 이용한 뱅크 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 퍼플루오로폴리이써 (Perfluoropolyether)와 감광성 고분자의 공중합체, 이러한 공중합체를 포함하는 뱅크 형성용 조성물 및 이를 이용한 뱅크 형성 방법에 관한 것이다. 최근 기능성 전자소자 및 광소자 등 광범위한 분야에서, 새로운 전기전자 재료로서 섬유나 필름 형태로 성형이 용이하고 유연하며 전도성과 저렴한 생산비를 이유로 고분자 재료에 대한 관심이 고조되고 있다. 이러한 전도성 고분자를 이용한 소자 중에서, 유기박막 트랜지스터는 인쇄 기술과 같은 간단한 기술에 의해 제조가 가능하여 제조비용이 저렴할 뿐만 아니라, 플렉서블 기판들(flexible substrates)과의 처리 및 호환성이 양호한 이점이 있기 때문에 전세계적으로 활발하게 연구되고 있다. 프린팅(printing) 방법을 이용하여 전자발광소자나 발광다이오드소자 등의 표시장치와 같은 유기 전자 소자를 제조함에 있어서, 공정성 및 경제성이 뛰어난 용액처리방식, 특히 프린팅 방식이 주목 받고 있다. 용액 처리 방식에서 액체 재료(잉크)를 충전하고 박막의 패턴을 형성하는 경우 넘쳐 흐른 액체 재료가 인접한 유기전자소자의 화소 영역에 유출되어 소자의 특성이 열화되는 것과 같은 문제점이 발생한다. 이러한 문제를 극복하기 위하여 소자간의 크로스 토크(cross-talk)를 방지하고, 원하는 부분에만 잉크가 충전되도록 한정시키기 위하여 화소 영역을 분할하는 칸막이 부재인 "뱅크"가 사용된다. 예를 들어, 바텀 컨택형(bottom contact type) 또는 탑 게이트형(top gate type) 유기박막 트랜지스터의 경우에는 뱅크가 형성되는데, 유기 용매를 이용한 포토레지스트를 사용하여 뱅크를 형성할 때 유기용매가 넘쳐 흘러 유기 절연막이 열화됨으로써 유기 박막 트랜지스터의 성능이 저하되는 문제점이 있다. 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 여러 가지 방법이 시도되었는데, 예를 들어, 국제특허공개 제01-46987호는 폴리이미드를 스핀코팅하여 박막 형성후 그 위에 포토레지스트 조성물을 코팅해서 베이킹한 후, 포토리소그래피법에 의해 UV조사 및 현상하여 폴리이미드를 에칭하는 뱅크 형성 공정을 거친 후, 별도로 접촉각을 위한 표면처리 공정을 수행하는 방법을 개시하고 있다. 한편, 국제특허공개 제 2004-55920호는 고분자 화합물을 스핀코팅하고, 스탬핑(stamping) 및 베이킹에 의해 뱅크를 형성한 후, 별도로 플라즈마로 표면처리하는 방법을 개시하고 있다. 그러나, 상기와 같은 방법들은 디스플레이 어레이(display array)의 일반적인 구조인 바텀 게이트형(bottom gate type)의 절연막을 사용함으로써, 유기전자소자가 뱅크 물질 용매, 포토레지스트 용매, 현상 용매나 포토레지스트 스트립퍼(photoregist striper) 등과 같은 유기 용매에 노출되어 열화의 원인이 되는 문제점이 있다. 또한 대부분의 경우의 유기 전자 소자 제조시 유기 용매가 극히 낮은 표면 접촉각을 가지고 뱅크를 이용할 잉크 재료가 뱅크 선택성을 나타내지 못하여 성능저하가 나타난다.