플라즈마 처리장치의 리프트 핀 document_id A220623040296

본 발명은 플라즈마 처리장치의 리프트 핀에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 처리장치에 마련되어 탑재대에 위치한 기판을 상하 방향으로 승강시키는 리프트 핀에 관한 것이다. 일반적으로, 반도체, 엘씨디 기판 등(이하, '기판'이라 함)의 처리에는, 진공 분위기에서 플라즈마를 이용하여 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치가 많이 사용된다. 이러한 플라즈마 처리장치에는, 그 내부로 기판을 반입하고, 처리 완료된 기판을 외부로 반출하는 작업을 돕기 위해, 기판이 탑재되는 탑재대에 리프트 핀이 구비된다. 도 1은 종래의 플라즈마 처리장치의 내부구조를 개략적으로 나타낸 단면도로서, 상술한 리프트 핀이 구비된 플라즈마 처리장치의 구조를 설명하기로 한다. 도시된 바와 같이, 플라즈마 처리장치(1)는 그 내부를 진공분위기로 형성시킬 수 있는 챔버(10)와, 상기 챔버 내에 설치되고, 기판(12)을 탑재하는 탑재면을 갖는 탑재대(20)와, 상기 탑재대에 탑재된 기판을 승강할 수 있도록 탑재대를 관통하여 승강되는 리프트 핀(30)과, 챔버에 처리가스를 공급하는 가스 공급계(40)와, 공급된 처리 가스를 플라즈마화하기 위한 전계를 발생시키는 전계 발생계(50)와, 치퍼리물을 처리한 후 처리가스를 배출하거나 챔버 내부를 진공분위기로 형성시키기 위한 배기계(60)를 포함하여 이루어져 있다. 먼저, 상기 챔버(10)는 처리실 내부를 외부와 차단시켜서 처리실 내의 분위기를 진공으로 형성시킬 수 있는 구조를 가진다. 그리고 챔버(10) 내부에는 기판(12)에 소정의 처리를 실시하기 위한 여러 가지 구성요소가 구비된다. 상기 챔버(10) 내부 중 하부에는 기판(12)이 탑재되는 탑재대(20)가 구비되는데, 상기 탑재대(20)의 상부면에는 기판(12)과 접촉되는 탑재면이 형성된다. 그 탑재면에는 도 2에서와 같이, 그 가장자리 영역에 일정 간격으로 다수개의 리프트 핀(30)이 구비된다. 즉, 탑재대(20)에 탑재된 기판(12)의 가장자리를 지지하도록 상기 탑재대(20)를 두께 방향으로 관통하여 형성된 다수개의 관통공(22)을 통과하도록 다수개의 리프트 핀(30)을 구비시킴으로써, 리프트 핀(30)이 그 관통공(22)을 따라 승강하면서 기판(12)을 들어올리거나 탑재대(20)에 위치시키는 역할을 하게 된다. 상기한 플라즈마 처리장치(1)에 기판(12)을 반입하는 경우에는, 플라즈마 처리장치의 외부에 마련되어 있는 기판 반송장치(미도시됨)에 의하여 기판(12)이 탑재대(20) 상부로 반송되면, 상기 리프트 핀(30)이 상승하여 기판 반송장치에 놓여 있는 기판(12)을 들어올리고, 자유로워진 기판 반송장치가 챔버(10) 밖으로 퇴피하면, 상기 리프트 핀(30)이 하강하면서 기판(12)을 탑재대(20) 중 기판(12)이 위치될 탑재면에 위치시킨다. 그리고, 기판(12)을 반출하는 경우에는, 먼저 리프트 핀(30)을 상승시켜서 기판(12)을 탑재대(20)로부터 소정 높이만큼 들어올린다. 그리고 나서 챔버(10) 외부에 마련되어 있는 기판 반송장치가 기판(12) 하부로 들어오면 리프트 핀(30)을 하강시켜서 기판(12)을 기판 반송장치로 넘겨준다. 그러면 기판(12)을 넘겨 받은 기판 반송장치가 기판을 챔버(10) 외부로 반출하게 된다. 그런데, 상기한 경우 기판(12)의 저면에서 리프트 핀(30)의 단부가 닿는 부분은 플라즈마 처리시 얼룩이 발생할 수 있게 되는 바, 이를 방지하기 위하여 상기 리프트 핀(30)은 알루미늄 재질인 것을 주로 적용하게 된다. 또한, 상기 탑재대(20) 또한 금속재로 이루어져 있는 바, 상기 탑재대(20)에서 리프트 핀(30)이 관통되는 관통공(22) 외경 또한 금속재이게 된다. 따라서, 상기와 같이 알루미늄 금속재로 이루어진 리프트 핀(30)이 역시 금속재로 이루어진 탑재대(20)의 관통공(22)을 수시로 승강하게 되면서, 서로 접촉에 의한 마찰이 발생하게 되는 경우가 많으며, 이러한 경우 상호 마찰에 의한 금속 파티클이 생성되어 원활한 플라즈마 처리가 이루어지지 않게 되는 문제점이 있었다.