배선 형성 방법, 박막 트랜지스터 제조 방법, 및 액적 토출방법 document_id A220623042275

압전 방법 또는 열 분사 방법으로 대표되는 액적 토출 방법 또는 연속적인 형태의 액적 토출 방법이 주목을 받고 있다. 이러한 액적 토출 방법들은 단어들을 프린팅하고 이미지들을 그리기 위해 사용되어 왔지만, 그것들은 근래에 정교한 패턴 등을 형성하기 위해 반도체 영역에 적용되고 있다. 막 패턴을 형성하는 방법은 참조 문서(1)에 제안되어 있고, 그 방법은 잉크 제트법에 의해 막 패턴을 형성하는 방법을 향상시키는 것과, 막을 더 두껍게 만드는 것과, 라인을 더 얇게 만드는 것을 가능하게 한다. 추가로, 접속 끊김 또는 단락 회로와 같은 문제점들은 도전성 막을 사용하는 경우에는 일어나지 않는다(참조 문서(1): 일본 특허 비공개 제 2003-133691 호). 참조 문서(1)에 따라, 기판은 액적과의 접촉 각도가 60도이고, 액적이 제 1 토출 단계에서 기판상에 부착되는 액적의 반경보다 더 큰 간격으로 배선을 형성하기 위해 전체 영역에 걸쳐 토출되도록 미리 처리된다. 액적은 동일한 간격에 따른 제 1 토출 단계에서 토출되는 포지션과 서로 다른 제 2 토출 단계에서 배선을 형성하기 위해 전체 영역 내 포지션에서 토출된다. 제 3 토출 단계에서, 액적은 제 1 토출 단계보다 더 작은 간격으로 배선을 형성하기 위해 전체 영역에 걸쳐 토출된다. 추가로, 통상적 압력 또는 진공 상태에서의 플라즈마 노출은 접촉 각도를 제어하기 위한 표면 처리로 예로써 언급된다. 플라즈마 처리에서 사용되는 가스들은 도전성 배선이 형성될 기판 표면의 재료를 고려하여 선택될 수 있고, 테트라플루오르화 메탄(methane tetrafluoride), 페르플루오로헥산(perfluorohexane), 또는 페르플루오로데칸(perfluorodecane)과 같은 처리 가스들은 예를 들어 참조 문서(1)에 따라 사용될 수 있다. 배선 등이 상기 기술된 바와 같이 잉크 제트법으로 대표되는 방법에 따라 형성될 때 배선의 라인 폭이 소형화되도록 더 넓어지지 않게 하는 것이 요구된다. 그러므로, 본 발명의 목적은 참조 문서(1)에 기술된 방법과 서로 다른 방법에 따라 라인 폭을 좁게하는(소형화하는) 방법을 제공하는 것이다. 더욱이, 본 발명의 또 다른 목적은 잉크 제트법에 따라 대표되는 방법으로 배선 이외에 다른 요소들, 예를 들어 반도체 막, 절연막, 마스크 등을 형성하는 방법을 제공하며, 그의 라인 폭을 좁게하는(소형화하는) 방법을 제공하는 것이다.