표면들을 이온 빔 처리하기 위한 방법 및 장치 document_id A220623042296

선행 기술에 따르면, 속도가 가변적인 일정한 빔 특성을 갖는 이온 빔이 처리될 기판 표면에 대하여 이동되는 방법 및 장치가 공지되어 있다. 상기 빔 특성에 의해서는 광역 빔-이온 소스의 이온 빔의 이온 가속도, 이온 에너지 분포, 이온 유동 밀도 및 이온 밀도 분포가 기술된다. 광역 빔-이온 소스와 기판 사이에 스크린들을 삽입하는 것도 공지되어 있다. 특히 다양한 분파들로 나누어진 마이크로 기술 공학 및 나노 기술 공학을 위해서는, 기판의 표면 형태를 처리하는 것이 결정적으로 중요하다. 개별 원자 층들이 목적한 바대로 제거될 때까지 박층 공학 기술로 층들을 얇게 함으로써 목적한 바대로 조절 가능한 층 두께를 완성하는 것뿐만 아니라 "상급(high-grade)"의 표면을 나노-프로파일링 하는 것도 또한 기판의 표면 처리를 위하여 이온 빔을 작업 공구로서 사용하는 경우가 증가하고 있다. 제거 및 피복을 목적으로 표면 형태를 기하학적으로 변경하는 이외에, 마이크로 기술 공학 및 나노 기술 공학을 위해서는 표면 특성의 국부적인 변경도 또한 중요하다. 따라서, 이온 빔이 지원되는 증착 방법에서는 코팅과 동시에 이온이 기판 상에 충돌함으로써 증착된 층의 특성에 영향을 미치는 것이 공지되어 있다. 이와 같은 공지 내용에 의해서는, 예를 들어 증착된 층의 밀도가 변동될 수 있거나 또는 층의 성장이 비결정으로부터 결정으로 변경될 수 있거나 또는 층의 화학량론도 영향을 받을 수 있다. 표면을 목적한 바대로 변형하는 것도 또한 표면에 이온을 폭격(충격)함으로써 가능하다. 이 경우에는 다만 예를 들어 접착 특성의 변동을 위하여 플라스틱 재료들의 표면에 있는 작용기들을 파괴하는 것 그리고 예를 들어 표면 경화를 위하여 외부 원자를 주입하는 것만 해당된다. 독일 공개 특허 출원서 제 198 14 760 A1호는 예를 들어 빔 소스의 횡단면이 정사각형인 경우에 고체 바디 표면을 이온 빔 처리하기 위한 방법을 기술한다. 상기 간행물에서 광역 빔-이온 소스는 위치, 이온 빔 파라미터 및 재료 특성에 따라 병진적으로 속도 변동되고 가공품 표면에서 사전 설정될 처음 각(angle)으로, 소정의 고정된 또는 가변적인 간격을 두고 컴퓨터에 의해 제어되어 가공품을 통해 제어된다.