폴리이미드실리콘계 수지 조성물 document_id A220623046574

본 발명은 전자 부품의 전극 보호 용도에 알맞은 폴리이미드실리콘계 수지 조성물, 및 상기 조성물을 포함하는 전극 보호재에 관한 것이다. 종래부터 전자 부품 등의 절연 보호막용 수지로서는, 내열성 및 전기적·기계적 특성이 우수한 폴리이미드 수지가 이용되고 있다. 보호막 형성시에 일반적으로 폴리이미드 수지는 유기 용매에 불용이기 때문에, 그 전구체인 폴리아믹산의 용액을 이용하고, 이것을 기재에 도포한 후, 가열하여 탈수 축합 반응에 의해 폐환시켜 목적으로 하는 폴리이미드 수지 피막을 형성하는 방법이 채용되고 있다. 그러나 이 폴리아믹산의 용액을 이용하는 방법에서는, 폴리아믹산 용액의 점도가 매우 높기 때문에 작업성이 떨어지는 것, 탈수 축합 공정에서 300 ℃를 초과하는 고온으로 할 필요가 있다는 것, 얻어진 폴리이미드 수지 피막은 니켈, 알루미늄, 실리콘, 실리콘 산화막 등의 기재에 대한 접착성이 떨어지는 것 등의 문제가 있었다. 이러한 종래의 폴리이미드의 문제점을 개선하기 위해서, 폴리이미드의 원료인 디아민 성분의 일부를 실록산 구조를 함유하는 디아민으로 치환하여 얻어진 폴리이미드실리콘을 이용하는 방법(특허 문헌 1, 특허 문헌 2 참조)이 알려져 있다. 폴리이미드실리콘은 전자 부품용 표면 보호막의 형성 재료나 전자 부품 및 그 밖의 내열 부품의 층간 절연 재료로서, 전자·전기 공업에서 널리 사용되고 있다. 폴리이미드실리콘은 코팅 또는 패터닝에 의해 기재의 표면을 피복하는 데에 사용되고, 폴리이미드 구조에서 유래하는 고내열성과 실리콘 구조에서 유래하는 저탄성률을 겸비한 전자 부품용 재료이지만, 실리콘 구조를 포함하지 않는 폴리이미드에 비해 투습률이 높기 때문에, 전극과 폴리이미드실리콘 계면에 수분이 도달하기 쉽고, 이온성의 불순물이 존재하는 경우 전극의 부식 등이 발생하여 신뢰성에 문제를 일으키는 경우가 있었다. 또한, 기재와의 접착성에 대해서도 추가적인 향상이 요망되고 있었다. 상기 이온성의 불순물의 존재에 의해 발생하는 문제에 대해서, 언더코트 레진으로서의 폴리이미드실리콘 중에 이온 교환 수지 또는 킬레이트 수지를 배합하는 것이 제안되어 있다(특허 문헌 3 참조). 이에 따르면, 오버코트 레진인 에폭시 수지층 중 불순물 이온이 포착되어 반도체 표면 근방에 이온이 도달하지 않아, 고내압에서 저누설 전류를 갖는 고내압 다이오드를 안정적으로 고수율로 생산할 수 있다고 되어 있다. 그러나 내구 시험에서의 고온 조건하에서 상기 이온 교환 수지 또는 킬레이트 수지 자체의 분해가 발생하고 이온종이 전극 표면에 존재하는 결과, 전극의 부식이 발생한다는 문제점이 있다는 것이 명백해졌다. 또한, 이온 교환 수지는 용매에 의해 팽윤하기 때문에, 후속 공정에서의 용매 제거가 불충분해지고, 그 결과 수지의 기계적 강도의 저하나, 전기적 특성의 열화를 일으키는 것이 명백해졌다.