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탄소나노소재를 함유하는 복합재료층을 갖는 발광 다이오드패키지 document_id A220623046630

분류
의약학
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문맥 (context)
본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 탄소나노소재를 함유하는 복합재료층을 갖는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다. 발광 다이오드는 컬러 구현이 가능하여 표시등, 전광판 및 디스플레이용으로 널리 사용되고 있으며, 백색광을 구현할 수 있어 일반 조명용으로도 사용되고 있다. 또한, 발광 다이오드는 가시광선 영역 이외의 영역, 즉 자외선 또는 적외선을 구현할 수 있어 광통신용 등 다양한 용도로 사용되고 있다. 이러한 발광 다이오드는 효율이 높고 수명이 길며 친환경적이어서 그것을 사용하는 분야가 계속해서 증가하고 있다. 질화갈륨, 갈륨비소, 갈륨인 등과 같은 무기계 발광 다이오드는 일반적으로 칩 형태로 제조되며, 외부환경으로부터의 보호 및 특정 용도를 위해 다양한 구조의 패키지로 조립된다. 도 1은 종래의 칩형 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 단면도이다. 도 1 및 2를 참조하면, 칩형 발광 다이오드 패키지는 일반적으로 리드들(11a, 11b)이 인쇄된 인쇄회로기판(11)을 포함한다. 발광 다이오드 칩(15)은 상기 인쇄회로기판(11) 상에 실장되어 리드들(11a, 11b)에 전기적으로 연결된다. 예컨대, 발광 다이오드 칩(15)은 리드(11a)의 패드 영역상에 접착제(13)를 통해 다이 본딩되고, 본딩 와이어에 의해 리드(11b)에 전기적으로 연결된다. 상기 리드들(11a, 11b)은 각각 발광 다이오드 칩(15)에 전기적으로 연결되는 하나의 단자와 다른 인쇄회로기판(11)에 전기적으로 연결되는 다른 단자를 갖는다. 예컨대, 상기 하나의 단자는 인쇄회로기판(11)의 상부면에 위치하고, 상기 다른 단자는 상기 인쇄회로기판(11)의 하부면에 위치하며, 상기 단자들은 서로 전기적으로 연결된다. 인쇄회로기판(11)의 하부면에 형성된 단자들이 솔더링 등에 의해 다른 인쇄회로기판(도시하지 않음) 또는 다른 전자부품에 부착된다. 한편, 수지 몰딩부(17)가 상기 발광 다이오드 칩(15)을 덮는다. 수지 몰딩부(17)는 발광 다이오드 칩(15)에서 방출된 광의 파장을 변환시키는 형광체를 함유할 수 있다. 발광 다이오드 칩(15)과 상기 형광체에 의해 다양한 색의 광을 구현할 수 있으며, 예컨대 백색광을 구현할 수 있다. 발광 다이오드 칩(15) 동작시, 발광 다이오드 칩에서 열이 발생된다. 발광 다이오드 칩(15)에서 발생된 열은 그 주위의 수지 몰딩부(17) 및 인쇄회로기판(11)을 통해 외부로 방출된다. 이때, 수지 몰딩부(17)는 일반적으로 열전도율이 상대적으로 매우 낮기 때문에, 열은 주로 인쇄회로기판(11), 특히 리드(11a)를 통해 외부로 또는 상기 패키지가 표면실장된 다른 전자부품으로 방출된다. 그러나, 리드들(11a, 11b)는 구리, 금 또는 은(Ag) 도금에 의해 형성되며, 그 열전도율이 약 300~400 W/m·K로 상대적으로 낮다. 이에 따라, 발광 다이오드 칩(15)에서 생성된 열이 리드들(11a, 11b)을 통해 신속하게 방출되지 못하며, 따라서 발광 다이오드 칩(15)의 접합 온도(junction temperature)가 증가한다. 접합온도의 증가는 광효율을 감소시키며, 발광 다이오드 칩에서 방출되는 광의 파장을 변화시킨다. 또한, 발광 다이오드 칩이 고열에 노출될 경우, 칩의 수명이 단축되며, 열에 의해 칩이 파괴될 수도 있다.
지시문 (instruction)
주어진 원문을 읽고 필요한 정보를 파악하여, 원문에 근거해 질문에 답하라.
질문 (question)
발광 다이오드 칩의 접합 온도(junction temperature)가 증가하여 광효율이 감소하거나 광의 파장이 변화하게 되는 원인은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    발광 다이오드 칩의 접합 온도 상승이 광효율 감소 및 파장 변화로 이어지는 인과 관계의 조건을 파악한다.

    • 접합온도의 증가는 광효율을 감소시키며, 발광 다이오드 칩에서 방출되는 광의 파장을 변화시킨다.
  2. 2정보 추출information_extraction

    접합 온도가 증가하는 물리적 배경과 열 방출 경로를 확인한다.

    • 발광 다이오드 칩(15) 동작시, 발광 다이오드 칩에서 열이 발생된다.
    • 발광 다이오드 칩(15)에서 발생된 열은 그 주위의 수지 몰딩부(17) 및 인쇄회로기판(11)을 통해 외부로 방출된다.
  3. 3근거 선택evidence_selection

    열 방출이 원활하지 못하게 만드는 구성 요소의 특성을 추출한다.

    • 수지 몰딩부(17)는 일반적으로 열전도율이 상대적으로 매우 낮기 때문에
    • 리드들(11a, 11b)는 구리, 금 또는 은(Ag) 도금에 의해 형성되며, 그 열전도율이 약 300~400 W/m·K로 상대적으로 낮다.
  4. 4논리 통합logical_integration

    낮은 열전도율을 가진 수지 몰딩부와 리드로 인해 열이 신속하게 방출되지 못하는 상황을 연결한다.

    • 발광 다이오드 칩(15)에서 생성된 열이 리드들(11a, 11b)을 통해 신속하게 방출되지 못하며, 따라서 발광 다이오드 칩(15)의 접합 온도(junction temperature)가 증가한다.
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    열전도율이 낮은 수지 몰딩부와 리드 때문에 열 방출이 지연되어 접합 온도가 상승함을 결론짓는다.

    • 발광 다이오드 칩(15)에서 생성된 열이 리드들(11a, 11b)을 통해 신속하게 방출되지 못하며, 따라서 발광 다이오드 칩(15)의 접합 온도(junction temperature)가 증가한다.
  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대해 열전도율 문제로 인한 열 방출 지연을 중심으로 답변을 작성한다.

    • 수지 몰딩부(17)는 일반적으로 열전도율이 상대적으로 매우 낮기 때문에
    • 리드들(11a, 11b)는 구리, 금 또는 은(Ag) 도금에 의해 형성되며, 그 열전도율이 약 300~400 W/m·K로 상대적으로 낮다.
최종 답변 (final_answer)
발광 다이오드 칩에서 발생한 열이 열전도율이 매우 낮은 수지 몰딩부와 상대적으로 열전도율이 낮은 리드(11a, 11b)를 통해 신속하게 방출되지 못하기 때문이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
발광 다이오드 칩에서 발생한 열이 열전도율이 낮은 수지 몰딩부와 리드를 통해 신속하게 방출되지 못하여 접합 온도가 증가한다.