비휘발성 기억 소자 및 그 형성 방법 document_id A220623049562

비휘발성 기억 소자는 전원공급이 중단될지라도 저장된 데이타를 그대로 유지하는 특성을 갖는다. 상기 비휘발성 기억 소자로서 대표적인 것은 플래쉬 기억 소자(flash memory device)라 할 수 있다. 상기 플래쉬 기억 소자는 전기적으로 데이터(data)를 기입하거나 소거할 수 있다. 상기 플래쉬 기억 소자는 노어형 플래쉬 기억 소자(NOR type flash memory devcie) 및 낸드형 플래쉬 기억 소자으로 구분될 수 있다. 상기 노어형 플래쉬 기억 소자는 고속 랜덤 억세스(high speed random access)가 가능하여 고속 동작이 요구되는 장치에 널리 사용되고 있다. 상기 낸드형 플래쉬 기억 소자는 프로그램 및 소거속도가 우수하고 고집적화가 용이하여 대용량의 저장장치로 널리 사용되고 있다. 상기 낸드형 플래쉬 기억 소자는 복수의 셀 스트링들(cell strings)을 포함할 수 있다. 상기 셀 스트링은 서로 직렬로 연결된 복수의 단위 셀을 포함한다. 상기 셀 스트링의 일단에는 공통 드레인(ommon drain)이 형성되고, 상기 셀 스트링의 타단에는 공통 소스(common source)가 형성된다. 상기 공통 드레인은 기입, 소거 및/또는 센싱(sensing) 동작시 각각의 스트링에 선택적으로 전위를 제공하기 위한 비트라인과 연결된다. 기입, 소거 및/또는 센싱 동작시, 기준 전압이 상기 공통 소스에 제공될 수 있다. 반도체 산업에 고도로 발전함에 따라, 비휘발성 기억 소자의 경량화, 소형화, 고속화 및/또는 고성능화에 대한 요구가 점점 증가되고 있다. 이러한 요구를 충족시키기 위하여 비휘발성 기억 소자내 반도체 패턴들이 점점 미세해지고 있다. 이로 인하여 여러 문제점들이 발생되고 있다. 예컨대, 또한, 상기 비트라인들 간의 간격이 감소됨으로써, 상기 비트라인들간의 기생정전용량이 증가될 수 있다. 그 결과, 동작 전압의 하락 및/또는 신호의 지연등이 발생되어 비휘발성 기억 소자의 특성이 열화될 수 있다. 또한, 하부 도전체와 상부 도전체를 연결시키기 위한 콘택홀의 종횡비도 점점 증가되고 있다. 이로써, 도전체가 콘택홀을 충분히 매립하지 못하거나, 식각 공정 마진의 감소로 콘택홀이 완전히 오픈되지 못할 수 있다. 그 결과, 비휘발성 기억 소자의 특성이 열화될 수 있다. 이에 더하여, 콘택홀들간의 간격도 점점 감소됨으로써, 노광 공정의 마진이 감소되어 비휘발성 기억 소자의 특성이 열화될 수도 있다.