적층 헤테로-도핑 림 및 점진적 드리프트 영역을 가진개선된 ＲＥＳＵＲＦ ＨＶＰＭＯＳ 장치 document_id A220623051373

고-전압 집적회로(IC)는, 고-전압 또는 전력 트랜지스터와 같은 적어도 고-전압 장치를, 논리장치와 같은 하나 이상의 저-전압 회로를 지닌 동일 칩 또는 기판 상에 가끔 집적화시킨 것이다. IC 등에서, 고-전압 트랜지스터는 수평형 이중-확산 금속산화물 반도체(LDMOS) 전계효과 트랜지스터(FET) 또는 고전압 금속산화물 반도체(HVMOS) 전계효과 트랜지스터(FET)로 종종 구성된다. 그러나, 동일 기판 상의 고전압 트랜지스터 및 논리회로를 제조하는 것은, 각 구조마다 경쟁 설계 객체들 사이에서 트레이드 오프를 일반적으로 포함한다. 보다 상세하게, 깊은 하부-마이크론 기술에서, 저전압 논리장치는 상대적으로 작은 형성 및 얇은 접합을 제공하는 공정을 사용하여 제조된다. 반대로, 고전압 장치를 제조하기 위해 사용된 일반적 열확산은, 더 높은 동작 전압을 견뎌내기 위해 장치에 필요한 상대적으로 깊은 확산영역을 확보하도록, 더 높은 고온 및 더 긴 확산시간에서 일어난다. 그러한 깊은 확산 공정은 논리장치의 더 작은 형성 및 얇은 접합과는 호환되지 않는다. 고전압 장치를 제조하기 위해 사용된 긴 확산 공정동안의 고온은 노출된 논리회로의 얇은 접합을 파괴할 것이다. 저전압 장치 앞에 고전압 장치를 제조하는 것은, 저전압 장치가 노출되는 것을 고온 확산공정에서 피하기는 하지만, 그러나 예를 들면, 게이트 폴리실리콘을 지닌 LDMOS p-바디와 같은 고전압 장치의 주요 구조의 자체 정렬을 배제시킨다. 이로써, 그런 방식에 제조되는 LDMOS 장치는 비교적 긴 게이트 폴리 길이, 큰 채널 저항값, 및 증가된 장치 크기를 가진다. 논리 장치로서 동일 기판 상의 고전압 장치를 제조하는 하나의 접근법은 감소된 표면전계(RESURF) 기술에 관한 것이다. RESURF 기술은, 증가된 항복전압을 달성시키고, 이로 인해 생성된 고전압 장치에서 비교적 낮은 온-상태 저항을 유지시킨다는 점에서 바람직하다. RESURF 장치는, 드레인과 채널 영역 사이에서 형성된 드리프트 영역이라 종종 일컫는 저-도핑된 영역을 포함한다. 전계 형상층은, 장치의 항복전압 온-상태 저항에서 추가 개선점을 달성시키기 위해 때때로 사용되곤 한다. RESURF 장치는, 증가된 도펀트 농도를 가지는 감소된-두께 에피택셜층을 병합시킬수도 있다. 고전압 트랜지스터 내부에 전계밀도를 재분포시킴으로서, 낮은 온-상태 저장은 획득될 수 있다. 그러나, RESURF 기술을 사용하고 있거나, RESURF 특징들을 포함하고 있는 고전압 p-형 장치를 제조하는 것에서 문제점이 존재한다. 예를 들면, 고전압 PMOS 장치의 온-저항은 그러한 장치에서 전형적으로 비교적 높다. RESURF 장치는, 덮여있는 산화물층 형성동안에 또는 성장동안에 약하게-도핑된 드리프트 영역에서 일어나는 불순물 분리에 매우 민감하기도 하다. 특히, 불순물 분리에 대한 이 민감도는, 불순물 분리로 인한 수직형 얇은 접합이 손쉽게 형성되어, 이로 인해, 바라는 동작 특성을 가진 p-채널 HV PMOS 장치의 형성을 구현시키는 p-형 고전압장치의 p-형 드리프트 영역에서 분명히 나타난다. 그러므로, 해당 기술분야에서 필요한 것은, 동일 기판 상에 고전압 p-형 장치, 고전압 n-형 장치, 및 저전압 논리장치를 결합시키는 집적회로를 제조하는 개선된 방법이다. 또한, 해당 기술분야에서 필요한 것은, 불순물 분리에 덜 민감한 p-형 장치, 즉 향상되거나 또는 개선된 RESURF 고전압 p-형 장치, 및 그 제조방법이다. 또한, 해당 기술분야에서 필요한 것은, 개선된 항복 성능, 개선된/높은 안전 동작영역(SOA)을 가지는 p-형 장치, 즉 향상되거나 또는 개선된 RESURF 고전압 p-형 장치, 및 그 제조방법이다. 더욱이, 해당 기술분야에서 필요한 것은, 감소된 온-상태 저항을 가지는 p-형 장치, 즉 향상되거나 또는 개선된 RESURF 고전압 p-형 장치, 및 그 제조방법이다.