내열성 수지 document_id A220623052148

종래부터 저탄성 수지로서 알려져 있는 열가소성 수지나 용제에 가용성인 수지는 유리 전이점이 실온 이하 또는 실온 근방이며, 고온에서의 신뢰성에 문제가 있었다. 예를 들면, 반도체 부품의 기판 실장시, 땜납 용융을 위해 실질상 250 ℃ 이상의 온도가 필요하지만, 유리 전이점이 낮은 수지는 이러한 온도에서 용융되고, 수지 자체가 변형되어 사용에 적합하지 않았다. 또한, 이들 수지가 함유하는 흡습수의 휘발이나 응집에 의한 공극(void)이나 계면 박리의 발생, 이들에 수반되는 패키지 균열 등의 문제가 있었다. 이들 문제의 해결을 위해서, 수지에 가교 구조를 도입한 경화형 수지, 또는 유리 전이점 온도가 높은 수지가 검토되었다. 그러나, 경화형 수지는 경화 수축에 의한 응력의 발생을 줄일 수 없다고 하는 문제가 있었다. 또한, 유리 전이점 온도가 높은 수지는 목적하는 내열 온도에서의 탄성률이 크기 때문에, 기재와의 열(선)팽창률의 차이에 의한 응력, 즉 고온 공정시 또는 그의 냉각시에 그의 큰 탄성률로 인해 발생하는 응력이 문제가 되었다. 이 경우, 형성되는 구조체를 구성하는 각 재료의 열(선)팽창률이 수지의 열(선)팽창률과 각 공정의 온도 범위에서 동일하다면 문제는 없지만, 이러한 구조체에서는 설계 자체에서 큰 제약을 받는 문제가 있었다. 저탄성 폴리이미드가 반도체용 보호막, 다층 회로 기판의 절연막, 반도체의 접착 필름, 연성(flexible) 회로 기판의 커버레이 등에 저응력 및 내열성 재료로서 사용된 바 있다(특허 문헌 1 내지 6 참조). 그러나, 이들 저탄성률의 폴리이미드는 실리콘을 함유하는 디아민, 또는 테트라카르복실산 무수물을 공중합시켜 얻어지기 때문에, HDD 용도나, 일부 반도체 용도 등 실리콘의 오염에 의해 중대한 장해가 발생하는 용도에서는 사용할 수 없었다. 이와 같이, HDD나 반도체의 제조 장치내 등에서 오염을 일으키지 않고 사용 가능한 저탄성의 내열성 수지가 요구되었다. [특허 문헌 1] 일본 특허 공개 (평)5-170901호 공보 [특허 문헌 2] 일본 특허 공개 (평)6-73178호 공보 [특허 문헌 3] 일본 특허 공개 (평)6-207024호 공보 [특허 문헌 4] 일본 특허 공개 (평)6-73178호 공보 [특허 문헌 5] 일본 특허 공개 제2002-50854호 공보 [특허 문헌 6] 일본 특허 공개 제2000-103848호 공보