기판 위에 배치된 고형화된 층으로부터 주형을 분리하는방법 document_id A220623053356

본 발명의 분야는 구조물의 나노-제작과 전반적으로 관련이 있다. 더 구체적으로, 본 발명은 각인 리소그래피 공정에 있어서 주형을 기판 위에 배치된 고형화된 층으로부터 분리하는 방법에 관한 것이다. 나노-구조물은 매우 작은, 즉 나노 미터 또는 그보다 작은 수준의 형상을 갖는 구조의 제작을 포함한다. 나노-구조물이 꽤 많은 영향을 미친 하나의 분야는 집적 회로(intergrated circuit)의 제조이다. 반도체 제조 산업이 생산물의 더 큰 수율을 위해 분투함에 따라 기판위에 배치되는 단위 면적당 회로가 증가하여 나노-구조물은 더욱 중요해졌다. 나노-구조물은 형성된 구조의 최소 형상 크기(minimum feature dimension)의 감소를 증가시켜 더 현저한 공정 조절을 제공한다. 나노-구조물을 차용한 다른 개발 분야는 생물공학, 광학 기술, 기계 시스템 및 그와 유사한 것을 포함한다. 전형적 나노-구조물 기술은 일반적으로 각인 리소그래피(imprint rithography)라고 한다. 전형적 각인 리소그래피 공정은 미합중국 특허 출원 10/264,960으로 출원된 "최소 크기 다양성을 가지는 형상을 복제하기 위한 기판상에 형상을 배열하는 주형 및 방법"이라는 발명의 명칭의 미합중국 공개 특허 출원 2004/0065976; 미합중국 특허 출원 10/264,926으로 출원된 "측정 표준의 제조를 촉진하기 위해 기판 위에 층을 형성하는 방법"라는 발명의 명칭의 미합중국 공개 특허 출원 2004/0065252; 및 미합중국 특허 출원 10/235,314로 출원된 "각인 리소그래피 공정용 기능성 패턴 물질"이라는 발명의 명칭의 미합중국 공개 특허 출원 2004/0046271과 같은 본원 발명의 출원인에게 양도된 많은 간행물에 개시되어 있다. 상술한 미합중국 공개 특허 출원 각각에 개시된 기본적인 각인 리소그래피 기술은 중합가능한 층에 부조 패턴(relief pattern)의 형성 및 부조 패턴에 대응하는 패턴을 기저 기판으로 전이하는 것을 포함한다. 이 때문에 기판으로부터 공간 분리된 형판이 형판과 기판 사이에 존재하고 그들에 접촉하고 있는 형체를 이룰 수 있는 액체와 함께 채용된다. 액체는 고형화되어 액체에 접촉하고 있는 형판 표면의 모양과 같은 모양의 패턴이 기록된 고형화된 층을 형성한다. 형판 및 기판이 공간 분리될 수 있도록 형판은 고형화된 층으로부터 분리된다. 그리고나서 기판 및 고형화된 층은 고형화된 층의 패턴에 대응하는 부조 이미지를 기판으로 전이하는 공정을 거치게 된다. 형판을 고형화된 층으로부터 분리하는 동안, 기록된 패턴은 손상될 수 있다. 기록된 패턴의 손상을 최소화하는 발전된 분리 기술의 제공이 요구된다. 발명의 개요 본 발명은 형판에 포함된 주형을 기판 위에 배치된 층으로부터 분리하는 방법에 관한 것이다. 상기 방법은, 그중에서도 특히, 형판에 이탈력을 가하여 형판을 층으로부터 분리하고, 기판의 국부적 변형을 촉진하여, 분리를 달성하기 위해 요구되는 이탈력의 크기를 줄이는 것을 포함한다. 이탈력을 최소화함으로써 기록된 층의 손상이 최소화될 수 있다고 믿어진다. 이러한 양태 및 다른 양태는 이하에서 더 상세히 설명된다.