구리 및 저 ｋ 유전체 물질을 갖는 기판으로부터 레지스트,에칭 잔류물 및 구리 산화물을 제거하는 방법 document_id A220623053663

90 나노미터 수준의 임계 치수를 갖는 소자(device)는 구리 도전체와 저 k 유전체의 통합을 수반한다. 90 나노미터 수준의 임계 치수를 갖는 소자는 교대로 반복되는 물질 퇴적 공정과 평탄화 공정을 필요로 한다. 제작 공정의 거의 모든 각각의 단계, 예컨대 평탄화 단계, 트렌칭(trenching) 단계, 또는 에칭 단계 후에는, 웨이퍼의 표면을 오염시키는 플라즈마 에칭의 잔류물, 산화제, 연마제, 금속 또는 다른 액체 또는 입자를 제거하기 위한 세정 공정이 필요하다. 종래 기술의 소자는 알루미늄 및/또는 텅스텐 도전체와 실리카 유전체로부터 제작되었다. 현재의 3세대 소자의 제작은 구리 도전체와 저 k 유전체 물질(전형적으로 탄소-실리카 또는 다공질 실리카 물질)을 필요로 하는데, 이들은 둘 다 다양한 군의 종래 세정제와 반응하여 손상될 수 있다. 저 k 유전체는 특히 세정 공정 중에, 에칭, 공극율(porosity)/크기의 변화, 및 궁극적으로는 유전체 특성 변화에 입증되듯이, 손상을 받을 수 있다. 잔류물의 제거에 필요한 시간은 잔류물의 속성, 그것이 생성되는 공정(가열, 가교, 에칭, 소성(baking) 및/또는 애슁(ashing)), 및 일괄 세정 공정(batch cleaning process) 및 단일 웨이퍼 세정 공정(single wafer cleaning process) 중 어느 것을 사용하는지에 따라 달라진다. 어떤 잔류물은 매우 짧은 시간 동안에 세정될 수 있는 반면, 어떤 잔류물은 훨씬 더 긴 세정 시간을 필요로 한다. 세정제와 접촉하는 동안 저 k 유전체 및 도전체 둘 다와 상용성을 갖는 것이 바람직한 특성이다. 세정 공정은 크게 두 가지 공정, 즉 일괄 및 싱글 웨이퍼 세정 공정으로 분류된다. 일괄 세정은 전형적으로 다수의 웨이퍼를 포함하며, 세정 공정은 분 수준의 시간 동안, 일반적으로 웨이퍼를 약 20℃ 내지 약 100℃, 전형적으로는 30℃ 내지 75℃ 온도의 교반 세정 용액과 3분 내지 약 60분, 전형적으로 10 내지 30분 동안 접촉시켜 실시한다. 일괄 방식에서는 복수의 웨이퍼를 전형적으로 세정 용액에 담그거나 세정 용액의 일정한 분무에 노출시킨다. 단일 웨이퍼 세정 공정은 조성물이 회전하는 웨이퍼 상으로 투여되므로 보다 엄밀한 교반 및 접촉 조건 하에, 상응하는 침지 공정 온도와 유사하거나 그보다 약 20℃ 더 높은 온도에서 약 5초 내지 3분 미만, 전형적으로는 30 내지 90초의 시간 동안 세정하는 것을 포함한다. 불소 함유 성분, 용매 및 물을 포함하는 반수성 세정제는 공지되어 있다. 1) 일본 특허 공개 제2003-122028호(겐지(Kenji) 등)는 불소 화합물 0.5 내지 10％, 혼합 아미드/에테르 용매 30％ 초과 및 물을 포함하는 조성물을 기재하였고, 30％ 미만의 용매 농도에서는 배선 물질의 부식이 심해진다고 교시하였다. 2) 일본 특허 공개 제2001-5200호(요꼬(Yoko) 등)는 알루미늄 플루오라이드 0.1％ 내지 2％, 극성 유기 용매 20％ 내지 98.8％, 아스코르브산 0.05％ 내지 1.9％, 및 물 1％ 내지 79.8％를 포함하고 pH가 5.0 미만인, 알루미늄 배선을 포함하는 기판을 위한 레지스트 제거 조성물을 기재하였다. 기재된 극성 유기 용매는 N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸 술폭사이드, 에틸렌 글리콜 및 프로필렌 글리콜이다. 3) 미국 특허 제5,792,274호(다나베(Tanabe) 등)는 (a) 무금속 염기와 불화수소산의 염 0.2％ 내지 8％, (b) 글리콜 에테르와 같은 수용성 유기 용매 30％ 내지 90％, 및 (c) 물, 및 임의로는 (d) 부식방지제를 포함하는 pH 5 내지 8의 레지스트용 제거제 용액 조성물을 기재하였다. 4) 미국 특허 제5,939,336호는 암모늄 플루오라이드, 프로필렌 글리콜, 암모니아 및 물로 된 pH 7 내지 8의 잔류물 제거제 조성물을 기재하였다. 5) 미국 특허 제5,972,862호는 (A) 불화수소산 또는 암모늄 플루오라이드와 같은 플루오라이드 함유 화합물 0.1 내지 15％, (B) 아미드, 락톤, 알콜, 알킬 아세테이트, 알킬 락테이트, 알킬렌 글리콜, 글리콜 에테르 및 술폭사이드를 포함한 군에서 선택된 극성 유기 용매 1％ 내지 80％, (C) 인산, 아인산, 히드로아인산, 폴리인산, 또는 유기산 0.01％ 내지 5％, 및 (D) 4급 암모늄염 1％ 내지 50％를 갖는 에칭 후 잔류물 제거제를 기재하였다. 물은 명시된 제거제 성분은 아니고 물의 함량도 명시되지 않았으나, 한 예는 물 45.9％를 함유하는 것으로 기재되어 있다. 실시예는 NH4F 1 내지 10％, 유기산 0.1 내지 1％, 및 아미드 용매 35 내지 69％ 및 아마도 잔여량(약 30％ 내지 약 60％)의 물을 갖는다. 6) 미국 특허 제5,792,274호는 무금속 염기와 HF의 염 0.2％ 내지 8％, 수용성 유기 용매 30 내지 90％ 및 물을 갖는 pH 5 내지 8의 레지스트/잔류물 제거제를 기재하였다. 바람직한 용매는 에틸렌 글리콜 또는 에틸렌 글리콜과 디메틸 술폭사이드이다. 7) 미국 특허 제6,235,693호는 플루오라이드 화합물 0.01％ 내지 10％, 물 20％ 내지 50％, 피페리돈 20％ 내지 80％, 및 유기 술폭사이드 또는 글리콜 용매 0 내지 50％를 포함하고 pH가 약 6 내지 약 10인 잔류물 제거제를 기재하였다. 8) 미국 특허 제6,468,951호는 염기성 또는 산성 pH를 갖고 물, 히드록실 관능성 용매, 예컨대 에틸렌 글리콜 또는 알콜 0.01％ 내지 95％, 수성 불화수소산, 테트라알킬암모늄 히드록사이드, 및 계면활성제 0.001 중량％ 내지 약 10 중량％를 포함하는, 보로포스포실리케이트 반도체 웨이퍼로부터 실리카 잔류물을 제거하기 위한 조성물을 기재하였다. 이 특허는 구리 함유 기판의 사용을 언급하지 않았다. 9) 미국 특허 제6,638,899호는 불화수소산, 금속 이온이 없는 염기, 수용성 유기 용매 30％ 내지 80％, 물, 및 알칼리를 포함하고 pH가 8.5 내지 10인 포토레지스트 제거제를 기재하였다. 10) JP 3255551은 HF 0.5 내지 40％, 물 40 내지 99.5％, 수용성 유기 용매, 및 부식방지제 0.5 내지 40％를 갖는 저온에서 단시간 내에 레지스트를 제거하는데 유용한 조성물을 기재하였다. 11) 마지막으로, 특히 본 발명의 조성물을 이용하여 제거할 수 있는 다양한 종류의 잔류물을 형성하는 반도체 제조 공정에 대해 그 내용을 본원에 참고로 인용되는 미국 공개 출원 제2004/9196531호. 이 출원은 히드로겐 플루오라이드의 무금속 염, 수용성 유기 용매 50％ 내지 98％, 산, 및 물을 포함하는 구리/저 k 물질 기판에 유용한 제거제를 개시하였다. 소자 임계 치수의 지속적인 감소와 생산 효율 및 소자 성능에 대한 지속적인 필요성에 따라, 일괄 및 단일 웨이퍼 공정에 모두 효과적인, 용매 함량이 낮은 불소 함유 세정 조성물에 대한 필요성이 있다. 발명의 요약 본 발명은 포토레지스트, 에칭 잔류물, 또는 편타화 잔류물 및 구리 산화물 중 1종 이상을 기판으로부터 제거하는 일괄 가공 및 단일 웨이퍼 가공 방법을 둘 다에 관한 것으로, 상기 방법은 기판을 본원에 기재된 온도 및 시간 제한(이것은 일괄 가공과 단일 웨이퍼 가공이 상이함) 하에 본원에 기재된 조성물과 접촉시키는 것을 포함하며, 여기서 교반은 일괄 공정 및 단일 웨이퍼 공정 각각에서 일반적으로 실시되는 교반/난류이다. 기판은 구리 함유 금속 도전체 및 유전체 물질, 특히 저 k 유전체 물질을 포함한다. 조성물은 불소 함유 (플루오라이드 제공) 성분, 수혼화성 용매 1 내지 20 중량％ 미만, 산, 및 물 80 중량％ 이상을 포함한다. 높은 함수율, 예컨대 80％ 이상 또는 81％ 이상의 사용은 구리 배선을 표면에 갖는 기판으로부터 레지스트 잔류물을 제거하는데 사용되는 조성물에 통상적인 것은 아니다. 역사적으로, 잔류물 조성물은 물 50％ 이하를 함유하였고, 높은 수 농도는 구리, 저 k 유전체 물질, 및 전형적으로는 장벽 물질을 포함하는 기판에 손상이 유발될 것이므로 회피되었다. 함수율이 높은 조성물의 사용은 그러한 조성물이 용매 함량이 높은(예컨대 전형적으로는 용매가 30％ 초과, 보다 흔하게는 50％ 초과임) 잔류물 제거제에 비해 단가가 낮고 환경적 영향이 적기 때문에 바람직하다. 제1 실시양태에서, 본 발명은 A) 구리 함유 도전체 및 저 k 유전체 물질을 포함하는 기판을 제공하는 단계, 및 B) 기판을 a) 플루오라이드 제공 성분, b) 수혼화성 유기 용매 1 중량％ 이상, c) 산, 및 d) 물 81 중량％ 이상 을 포함하는 조성물과 레지스트, 잔류물 및/또는 구리 산화물을 제거하기 충분한 시간 및 온도로 접촉시키는 단계를 포함하는, 구리 및 저 k 유전체 물질을 포함하는 기판으로부터 레지스트, 에칭 잔류물, 평탄화 잔류물 및 구리 산화물 중 1종 이상을 제거하는 방법을 포함한다. 유리하게는, 대안적 실시양태에서, 플루오라이드 제공 성분은 불소로서 약 0.01％ 내지 약 0.6％의 양으로 존재하고, 수혼화성 유기 용매는 약 1.5％ 내지 19％의 양으로 존재하고, pH는 약 1.3 내지 약 7, 예컨대 약 1.3 내지 4.5 또는 4.5 내지 7이다. 유리하게는, 대안적 실시양태에서, 수혼화성 유기 용매는 약 2.5％ 내지 약 10％의 양으로 존재하는 글리콜 에테르를 포함하고, pH는 약 1.9 내지 약 3.8이고, 온도는 약 20℃ 내지 약 70℃이다. 별법으로, 또 다른 실시양태에서, 수혼화성 유기 용매는 약 2.5％ 내지 약 10％의 양으로 존재하는 글리콜 에테르를 포함하고, pH는 약 4.5 내지 약 6, 예컨대 약 4.8 내지 약 5.9이고, 온도는 약 20℃ 내지 약 70℃이다. 일반적으로, pH가 약 4.5 내지 약 6인 경우에는 보다 정밀한 성분들의 조화(matching)가 필요하고, 성분들은 상호 교환이 불가하다. pH 4.5 내지 6에서, 용매는 다른 글리콜 에테르보다 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME)가 바람직하고, 킬레이터가 HEDP인 경우 디메틸아미노에탄올이 다른 알칸올아민보다 바람직하지만, 조성물이 킬레이터로서 디에틸렌트리아민 펜타아세트산(DTPA)를 포함하는 경우에는 2-디에틸아미노에탄올이 다른 알칸올아민보다 바람직하다. 유리하게는, 대안적 실시양태에서, 수혼화성 유기 용매는 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 또는 이들의 혼합물을 포함한다. 유리하게는, 산은 본질적으로 1종 이상의 카르복실산으로 구성되고, 조성물은 무기산을 실질적으로 함유하지 않는다(킬레이터 제제에 존재하는 미량의 무기산 제외). 별법으로, 산은 히드록시 치환된 카르복실산을 포함한다. 별법으로, 산은 카르보닐 치환된 카르복실산을 포함한다. 별법으로, 산은 알파 위치 또는 베타 위치에서 히드록시기 또는 카르보닐기로 치환된 탄소 원자 2 내지 6개를 갖는 1종 이상의 모노카르복실산 또는 디카르복실산을 포함한다. 바람직한 실시양태에서, 산은 글리옥실산, 옥살산, 또는 아미노 치환된 카르복실산을 포함한다. 그러나 높은 pH 값, 예컨대 약 4.5 내지 약 6에서는 시트르산(또는 보다 적절하게는 시트르산의 무금속염)이 바람직하다. 본원에서 유기산에 대한 언급은 인용된 pH의 수성 환경에서 필요시 존재하는 그 산의 염을 포함한다. 제2 실시양태에서, 본 발명은 A) 구리 함유 도전체 및 저 k 유전체 물질을 포함하는 기판을 제공하는 단계, B) 기판을 a) 플루오라이드 제공 성분, b) 수혼화성 글리콜 에테르 1.5 중량％ 이상, c) 산, 및 d) 물 80 중량％ 이상 을 포함하고 온도가 20℃ 내지 약 100℃인 조성물과 레지스트, 잔류물 및/또는 구리 산화물을 제거하기 충분한 시간 동안 접촉시키는 단계를 포함하는, 구리 및 저 k 유전체 물질을 포함하는 기판으로부터 레지스트, 에칭 잔류물, 평탄화 잔류물 및 구리 산화물 중 1종 이상을 제거하는 방법을 포함한다. 유리하게는, pH는 약 1.3 내지 약 7, 예컨대 약 1.3 내지 약 4.5, 또는 4.5 내지 7이다. 유리하게는, 플루오라이드 제공 성분은 불소로서 약 0.015％ 내지 약 0.1％의 양으로 존재하고, 수혼화성 유기 용매는 약 2％ 내지 약 15％의 양으로 존재하고, 물은 약 85％ 내지 약 98％, 또는 별법으로는 약 88％ 내지 약 97％의 양으로 존재하고, pH는 약 2 내지 약 3.3이다. 유리하게는, 조성물은 킬레이터 약 0.001％ 내지 약 10％를 추가로 포함하며, 여기서 상기 킬레이터는 디에틸렌트리아민 펜타아세트산 또는 그의 염, 에틸렌디아민 테트라아세트산 또는 그의 염, 또는 이들의 혼합물로부터 선택된다. 유리하게는, 산은 아미노산, 예를 들어 글리신, 히드록시에틸 글리신, 시스테인, 알라닌, 또는 이들의 혼합물을 포함한다. 유리하게는, 대안적 실시양태에서, 산은 붕산, 아인산, 포스폰산, 또는 이들의 혼합물을 포함하며, 이 때 조성물은 킬레이터 약 0.01％ 내지 약 5％를 추가로 포함하고, 상기 킬레이터는 포스페이트기를 2개 이상 갖는 오르가노포스포네이트 화합물이다. 유리하게는, 대안적 실시양태에서, 조성물은 킬레이터 약 0.005％ 내지 약 1％를 추가로 포함하고, 이 때 상기 킬레이터는 2개 이상의 포스포네이트기를 갖는 오르가노포스페이트, 디에틸렌트리아민 펜타아세트산 또는 그의 염, 에틸렌디아민 테트라아세트산 또는 그의 염, 또는 이들의 혼합물이다. 유리하게는, 조성물은 히드록시에틸리덴 1,1-디포스폰산 약 0.01％ 내지 약 5％를 포함한다. 유리하게는, 대안적 실시양태에서, 산은 포스폰산, 아인산, 또는 이들 둘 다를 포함하고, 1종 이상의 유기산을 추가로 포함하며, 이 때 유기산의 중량％는 포스폰산, 아인산, 또는 이들 둘 다의 중량％보다 높다. 유리하게는, 온도는 약 20℃ 내지 약 70℃이다. 제3 실시양태에서, 본 발명은 A) 구리 함유 도전체 및 유전체 물질을 포함하는 기판을 제공하는 단계, B) 기판을 a) 플루오라이드 제공 성분, b) 글리콜 에테르, 글리콜 에테르 아세테이트, 또는 이들의 혼합물을 포함하는 수혼화성 유기 용매 1.5 중량％ 이상, c) 산, 및 d) 물 80 중량％ 이상 을 포함하며 pH가 약 1.3 내지 4.5인 조성물과 레지스트, 잔류물 및/또는 구리 산화물을 제거하기 충분한 시간 및 온도로 접촉시키는 단계를 포함하는, 구리 및 유전체 물질을 포함하는 기판으로부터 레지스트, 에칭 잔류물, 평탄화 잔류물 및 구리 산화물 중 1종 이상을 제거하는 방법을 포함한다. 유리하게는, 수혼화성 유기 용매는 약 2.5％ 내지 약 19％의 양으로 존재하고, 시간은 10초 내지 60분이고, 온도는 약 20℃ 내지 약 70℃이다. 유리하게는, 물은 약 88％ 내지 약 97％의 양으로 존재한다. 유리하게는, pH는 2.4 내지 2.7로 유지되고, 글리콜 에테르 농도는 약 5％ 내지 약 15％이고, 산은 약 0.5％ 내지 약 1.5％의 양으로 존재한다. 제4 실시양태에서, 본 발명은 A) 구리 함유 도전체 및 저 k 유전체 물질을 포함하는 기판을 제공하는 단계, B) 기판을 a) 플루오라이드 제공 성분, b) 수혼화성 글리콜 에테르, 아미드, 술폭사이드, 또는 이들의 혼합물 1.5 중량％ 이상, c) 산, d) 물 약 80 중량％ 이상, 및 e) 임의로는 킬레이터 를 포함하는 조성물과 레지스트, 잔류물 및/또는 구리 산화물을 제거하기 충분한 시간 및 온도로 접촉시키는 단계를 포함하는, 구리 및 저 k 유전체 물질을 포함하는 기판으로부터 레지스트, 에칭 잔류물, 평탄화 잔류물 및 구리 산화물 중 1종 이상을 제거하는 방법을 포함한다. 제5 실시양태에서, 본 발명은 A) 구리 함유 도전체 및 저 k 유전체 물질을 포함하는 기판을 제공하는 단계, B) 기판을 a) 약 0.005 중량％ 내지 약 0.18 중량％, 예컨대 약 0.01 중량％ 내지 0.05 중량％의 불소를 제공하는 플루오라이드 제공 성분, 예컨대 HF, 암모늄 플루오라이드 및/또는 암모늄 비플루오라이드, b) 수혼화성 유기 용매, 바람직하게는 글리콜 에테르, 예컨대 PGME 약 1 중량％ 내지 20 중량％ 미만, 예컨대 1.5 중량％ 내지 12 중량％, c) 1개 이상의 카르복실레이트 잔기를 갖는 산, 예컨대 카르복실레이트 탄소에 인접하거나 또는 탄소 하나만큼 이격된 탄소에 카르보닐 및/또는 히드록실기가 치환되어 있는 모노카르복실산 약 0.05 중량％ 내지 약 5 중량％, 예컨대 약 0.2 중량％ 내지 약 1.5 중량％, d) 물 약 80 중량％ 내지 약 98.9 중량％, 예컨대 88 중량％ 내지 97 중량％, 및 e) 임의로는 킬레이터, 예컨대 EDTA, HEDP, ATMP, DTPA, 및/또는 이들의 암모늄염, 및/또는 이들의 조합 약 0.001 중량％ 내지 약 0.5 중량％, 예컨대 0.01 중량％ 내지 0.2 중량％ 를 포함하며 온도가 약 10℃ 내지 약 60℃, 예컨대 약 15℃ 내지 약 45℃인 조성물과 레지스트, 잔류물 및/또는 구리 산화물을 제거하기 충분한 시간 동안, 예컨대 약 10초 내지 약 30분, 예컨대 약 30초 내지 약 10분 동안 접촉시키는 단계를 포함하는, 구리 및 저 k 유전체 물질을 포함하는 기판으로부터 레지스트, 에칭 잔류물, 평탄화 잔류물 및 구리 산화물 중 1종 이상을 제거하는 방법을 포함한다. 바람직한 실시양태에서, pH는 약 1.8 내지 약 3.6, 보다 전형적으로는 약 1.9 내지 2.8이다. 유리하게는, 이 조성물 및 본원에 기재된 모든 잔류물 제거제 조성물은 할로겐 이온 및 전이 금속 이온을 포함한 금속 이온을 실질적으로 함유하지 않으며, 여기서 "실질적으로 함유하지 않는"이란 약 50 ppm 미만, 바람직하게는 약 10 ppm 미만, 및 전형적으로는 약 5 ppm 미만을 의미한다. HF, 암모늄 플루오라이드 및/또는 암모늄 비플루오라이드 이외의 플루오라이드 제공 성분, 예컨대 플루오로보레이트 및/또는 플루오로실리케이트가 사용될 경우, 이들 성분은 플루오라이드 제공 성분의 단위 중량 당 제공되는 플루오로라이드가 더 낮다는 것이 알려져 있으므로, 대안적 실시양태에서, 플루오라이드 제공 성분은 플루오라이드로서 약 0.02 중량％ 내지 약 0.15 중량％의 양으로 존재한다. 수혼화성 유기 용매는 바람직한 실시양태에서 약 2 중량％ 내지 약 11 중량％의 양으로 존재하고, 유리하게는 1종 이상의 글리콜 에테르를 포함한다. 물은 바람직한 실시양태에서 약 88％ 내지 약 97％의 양으로 존재하고, pH는 약 1.9 내지 약 2.9이다. 유리하게는, 산은 아미노산 또는 글리옥실산을 포함한다. 아세트산이 다른 저분자량 유기산에 비해 단가가 낮으므로 아세트산을 사용할 수 있다. 유리하게는, 대안적 실시양태에서, 산은 붕산, 아인산 또는 포스폰산, 또는 이들의 혼합물을 일반적으로 약 0.001％ 내지 약 0.5％의 양으로 추가로 포함한다. 유리하게는, 대부분의 용도에서 킬레이터가 포함되며, 킬레이터는 바람직한 실시양태에서 포스포네이트기를 2개 이상 갖는 화합물, 디에틸렌트리아민 펜타아세트산 또는 그의 염, 에틸렌디아민 테트라아세트산 또는 그의 염, 또는 이들의 혼합물이다. 또 다른 중요한 실시양태에서, 구리를 함유하는 반도체 웨이퍼를 a) 암모늄 플루오라이드 약 0.01％ 내지 약 0.06％, 전형적으로는 약 0.02％ 내지 약 0.05％, b) 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 약 1％ 내지 20％, 전형적으로는 약 5％ 내지 약 10％, c) 카르복실산 또는 그의 암모늄염, 또는 이들의 조합 약 2％ 내지 10％, 전형적으로는 약 2.7％ 내지 약 10％, 또는 별법으로는 약 2％ 내지 4％, d) 임의로는, 포스페이트기를 함유하는 킬레이터 화합물(예, HEDP) 또는 DPTA, 또는 이들의 혼합물 약 0.01％ 내지 0.2％, 전형적으로 약 0.02％ 내지 약 0.1％, e) 임의로는, 디메틸아미노에탄올, 2-디에틸아미노에탄올, 또는 이들의 혼합물로부터 선택된 아민 0.5％ 내지 약 10％, 전형적으로 약 1％ 또는 약 5％, 및 f) 물 약 80％ 이상, 전형적으로는 85％ 이상을 함유하며 pH가 약 4.5 내지 7, 전형적으로는 약 4.7 내지 6인 조성물로 세정한다. 에탄올아민 화합물은 전형적으로, 산염이 아닌 산이 사용될 경우에 필요하다. 그러한 조성물은 구리 부식을 최소화하고 허용가능한 구리 산화물 제거 시간(예컨대, 30초 미만)을 제공하면서 모든 잔류물을 제거하는데 유용한 것으로 나타났다. 오르가노포스포네이트 킬레이터가 우수한 성능을 갖지만, 일부 실시양태에서는 카르복실레이트계 킬레이터(DPTA, EDTA 등 포함)가 조성물로부터 인을 제거하는데 바람직하다. 조성물은 하나의 예비혼합 조성물로서 포함될 수 있다. 이러한 조성물의 이점은 이들이 48 내지 72시간 이상의 가사 시간(pot life)을 갖는다는 것이며, 이는 조성, 세정/제거 능력, 및 다양한 기판 부분(특히 구리 및 유전체 부분 포함)의 변경/공격의 정도가 미리 정해진 좁은 한계 내에 있음을 의미한다. 대안적 실시양태에서, 조성물은 2종 이상의 유체 스트림, 예를 들어 활성 성분들의 수성 혼합물을 포함하는 제1 스트림과 탈이온수로 구성된 제2 스트림을 혼합하여 형성할 수 있다. 사용 농도점으로 제제화된 잔류물 제거제 조성물이 아닌 농축액을 운반하는 것이 일반적으로 매우 유리하다. 이것은 고 함수율 조성물의 또 다른 이점이다.