상-분리된 유전 구조물을 갖는 장치 document_id A220623056605

본원은, 다양한 대표적인 양태에서, 전자 장치 및 이러한 소자에 사용하기에 적합한 재료, 및 전자 장치 및 이의 부품의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본원은 상-분리된 유전 구조물을 혼입시키는 전자 장치, 및 이러한 전자 장치 및 상-분리된 유전 구조물의 제조방법에 관한 것이다. 박막 트랜지스터(TFT)는, 예를 들면, 센서, 영상(imaging), 및 디스플레이 장치를 포함하는 현대 전자제품에서의 기초 부품이다. 현재 주류의 실리콘 기술을 이용하는 박막 트랜지스터 회로는 특히 면적이 넓은 장치(예: 활성 매트릭스 액정 모니터 또는 텔레비젼과 같은 디스플레이용 후면 스위칭 회로) 및 로우-엔드 적용(low-end applications)(예: 무선주파수 식별법(RFID) 태그)(여기서, 높은 스위칭 속도는 필수적이지 않다)의 경우 너무 고가일 수 있다. 실리콘계 박막 트랜지스터 회로가 고비용인 것은 주로 자본 집약적인 제조 설비 및 엄격히 제어된 환경하에 복잡한 고온, 고진공 광석판인쇄 제조공정으로 인한 것이다. 종래의 광석판인쇄 공정을 사용한 실리콘계 박막 트랜지스터 회로의 제작 비용 및 복잡성으로 인해, 액체계 패턴화 및 증착 기술, 예를 들면, 스핀 피복법, 용액 캐스팅법, 액침 피복법, 스텐실/스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 그라비어 인쇄법(gravure), 오프셋 인쇄법, 잉크젯 인쇄법, 마이크로 컨택트 인쇄법 등, 또는 이러한 공정의 조합을 사용하여 잠재적으로 제작될 수 있는 플라스틱/유기 박막 트랜지스터에 대한 관심이 증가하고 있다. 이러한 공정은 일반적으로 전자 장치용 규소계 박막 트랜지스터 회로 제작시 사용되는 복잡한 광석판인쇄 공정에 비해 보다 간단하고 보다 비용 효과적이다. 액체-가공 박막 트랜지스터 회로를 제작하기 위해, 액체 가공성 재료가 필요하다. 최근의 재료 연구 및 플라스틱 박막 트랜지스터에 대한 개발 활동은 대부분 반도체 재료, 특히 액체-가공성 유기 및 중합체 반도체에 집중하고 있다. 한편, 다른 재료 성분, 예를 들면, 유전 재료는 더 많은 관심을 받지 못하고 있다. 양태에서, 유전 재료는, 예를 들면,(1) 우수한 전기 절연성; 및 (2) 반도체 재료와의 우수한 상용성을 포함하는 다수의 속성을 갖는 것이 바람직하다. 종래의 게이트 유전체가 갖는 문제는 유전 재료에 대한 모든 목적하는 속성을 간단한 공정을 통해 수용하기 어려울 수 있다는 것이다. 목적하는 속성 (1) 및 속성 (2)의 수용은 본 발명의 양태에 의해 성취된다. 하기 문헌이 배경 정보를 제공한다. 미국 특허 제6,528,409호[로파틴(Lopatin) 외]. 미국 특허 제6,706,464호[포스터(Foster) 등]. 미국 특허 제5,883,219호[카르터((Carter) 등]. 미국 특허 제7,098,525 B2호[바이(Bai) 등]. 미국 특허 제6,809,371 B2호[스기야마((Sugiyama)]. "Gate Dielectrics for Organic Field-Effect Transistors: New Opportunities for Organic Electronics", Adv. Mater., Vol. 17, pp. 1705-1725(2005)[안토니오 파체티(Antonio Facchetti) 등].