반도체 장치 제조 방법 document_id A220623056977

반도체 장치는 예를 들어, 개인용 컴퓨터, 휴대 전화, 디지털 카메라, 및 다른 전자 제품과 같은 다양한 전자 애플리케이션에 사용되고 있다. 일반적으로 반도체 기판 위에 절연층 또는 유전층, 도체층, 및 반도체층을 이루는 물질을 순차적으로 쌓고(deposit), 리소그래피를 사용하여 이러한 다양한 층들을 패터닝하여 반도체 기판 위에 회로 소자들를 형성하여 반도체 장치를 제조한다. 광학적 리소그래피(optical photolithography)는 리소그래피 마스크 또는 레티클(reticle) 상에 형성된 차광 영역과 투광 영역으로 이루어진 패턴을 통해, 빛을 투사(projecting) 또는 투과(transmitting)하는 것을 포함한다. 수년간 반도체 업계에서, 접촉 프린팅(contact printing), 근접 프린팅(proximity printing), 및 투사 프린팅(projection printing)과 같은 광학적 리소그래피 기법들을 사용하여, 집적 회로의 물질층을 패터닝하여 왔다. 광학적 리소그래피는 투사 렌즈 시스템(lens projection systems)과 투과(transmission) 리소그래피 마스크를 사용하여 패터닝한다. 여기서, 리소그래피 마스크를 통과한 빛은 반도체 기판이나 워크피스(workpiece) 상에 형성된 감광 물질층과 충돌한다. 이렇게 패터닝된 감광 물질층은 워크피스의 물질층을 패터닝하기 위한 마스크로서 사용된다. 트랜지스터는 반도체 장치에서 광범위하게 사용되는 소자이다. 예를 들어, 하나의 집적 회로(intergrated circuit : IC)에는 수백만의 트랜지스터가 사용될 수 있다. 반도체 장치의 제조에 흔히 쓰이는 트랜지스터의 타입 중 하나는, 전계 효과 산화물 반도체 트랜지스터(metal oxide semiconductor field effect transistor : MOSFET)이다. 트랜지스터는 일반적으로 채널 영역 상에 형성된 게이트 유전체와, 게이트 유전체 상에 형성된 게이트를 포함한다. 소스 영역과 드레인 영역은 기판이나 워크시트 내에서 채널 영역의 양 측(side) 상에 형성된다. 상보형 MOS(complementary metal oxide seiniconductor : CMOS) 장치는 p 채널 MOS(PMOS) 전계 효과 트랜지스터(FET)와 n 채널 MOS(NMOS) 전계 효과 트랜지스터(FET)를 상보적으로 배열하여 이용하는 장치이다. PMOS FET과 NMOS FET을 같이 사용하는 메모리 장치의 예로서, SRAM(static random access memory) 장치를 들 수 있다. 전형적인 SRAM 장치는 수천 개의 SRAM 셀로 이루어진 어레이들을 포함한다. 여기서 각 SRAM 셀은 예를 들어, 네 개나 여섯 개의 트랜지스터를 가진다. 흔히 사용하는 SRAM 셀은 네 개의 NMOS FET과 이와 서로 연결된 두 개의 PMOS FET를 가지는 6T(six-transistor) SRAM 셀이다.