내부 리드에 비해 얇은 외부 리드를 갖는 측면 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법 document_id A220623059431

발광 다이오드 칩을 이용하는 광원 시스템은 사용하고자 하는 용도에 따라 여러 형태의 패키지에 발광 다이오드(LED) 칩을 실장하여 형성한다. 예컨대, 측면 발광 다이오드 패키지는 도광판의 측면에 배치되어, 도광판에 평행하게 빛을 제공하기 때문에 디스플레이용 백라이트 조명에 주로 사용된다. 도 1 내지 도 4는 종래의 측면 발광 다이오드 패키지를 제조하는 방법을 설명하기 위한 사시도들 및 평면도이다. 도 1을 참조하면, 우선 리드 프레임(10)이 준비된다. 리드 프레임(10)은 일반적으로 외부 프레임(11), 리드 단자들(13, 15) 및 연결부들(17)을 포함한다. 외부 프레임(11)은 발광 다이오드 패키지를 제조하는 동안 리드 단자들(13, 15)을 지지하기 위한 것으로, 일반적으로 리드 단자들(13, 15)을 둘러싼다. 리드 단자(13)는 내부 리드 영역(13a) 및 외부 리드 영역(13b)을 갖고, 리드 단자(15)는 내부 리드 영역(15a) 및 외부 리드 영역(15b)을 갖는다. 연결부들(17)이 외부 프레임(11)과 리드 단자들(13, 15)을 연결한다. 연결부들(17)은 내부 리드 영역들(13a, 15a) 및/또는 외부 리드 영역들(13b, 15b)을 외부 프레임(11)과 연결한다. 이러한 리드 프레임(10)은 동판을 펀칭하여 형성할 수 있으며, 반사율을 향상시키거나 다이 부착 또는 와이어 본딩 특성을 개선하기 위한 도금층을 포함할 수 있다. 도 2를 참조하면, 리드프레임(10)에 패키지 본체(20)가 성형된다. 패키지 본체(20)는 사출 성형 기술을 사용하여 폴리프탈아미드와 같은 플라스틱으로 형성된다. 패키지 본체(20)는 내부 리드 영역들(13a, 15a)을 둘러싸고, 내부 리드 영역들(13a, 15a)을 노출시키는 개구부(21)를 갖는다. 상기 개구부(21)에 의해 최종 패키지의 발광부가 정의된다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 발광 다이오드 칩(23)이 개구부(21) 내에 노출된 내부 리드 영역(13a)에 실장되어 본딩 와이어에 의해 내부 리드 영역(15a)에 전기적으로 연결된다. 상기 발광 다이오드 칩(23)은 예컨대, 도전성 접착제를 통해 내부 리드 영역(13a)에 부착된다. 발광 다이오드 칩(23) 및 본딩 와이어를 보호하기 위해 상기 개구부(21)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투명 수지(25)에 의해 채워진다. 그 후, 연결부들(17)이 리드 단자들(13, 15)로부터 절단되어 분리되고 외부 리드 영역들(13b, 15b)이 패키지 본체(20)의 벽면을 향해 절곡되어 최종 패키지가 완성된다. 이러한 측면 발광 다이오드 패키지는 외부 리드들(13b, 15b)이 인쇄회로기판과 같은 기판 상에 표면 실장되어 기판 면에 대체로 평행한 광을 방출한다. 현재, 측면 발광 다이오드 패키지는 그 높이(H)가 약 0.4 내지 0.7mm 정도에 이를 만큼 매우 작은데, 이 때문에, 외부 리드(13b, 15b)의 두께(T)가 패키지 높이(H)의 상당한 부분에 해당된다. 따라서 측면 발광 다이오드 패키지에 있어서, 그 크기와 관련하여 외부 리드(13b, 15b)의 치수가 상당히 중요하다. 두꺼운 외부 리드들(13b, 15b)에 기인한 패키지 높이 증가를 방지하기 위해, 도 4에 도시된 바와 같이, 패키지 본체(20)의 양측 끝 부분들이 리세스되고, 외부 리드들(13b, 15b)이 리세스된 부분으로 절곡된다. 이에 따라, 외부 리드들(13b, 15b)이 형성되는 부분의 패키지 본체(20)의 높이는 전체 높이(H)에서 적어도 외부 리드들의 두께(T) 만큼 감소된다. 외부 리드들(13b, 15b)이 두꺼워질 경우, 외부 리드들(13b, 15b)에 의한 패키지 높이 증가를 방지하기 위해, 패키지 본체(20)의 양쪽 끝 부분들에서 리세스되는 양이 증가된다. 그 결과 외부 리드들(13b, 15b)이 형성된 부분에서 패키지 본체(20)의 높이는 더욱 감소되고, 성형 공정의 한계에 의해 이 부분까지 개구부(21)를 연장하는 것이 어려워진다. 개구부(21)의 감소는 발광부의 크기 감소로 이어져 패키지의 광효율이 감소된다. 이에 더하여, 외부 리드들(13b, 15b)이 두꺼우면, 외부 리드들(13b, 15b)을 절곡(bending)하는 것이 어려우며, 절곡하는 동안 패키지 본체(20)가 손상되기 쉽다. 한편, 사출 성형, 다이 부착(D/A) 및 와이어 본딩(W/B)과 같은 칩 실장 공정, 및 개구부(21)를 채우기 위한 몰딩 공정 등을 수행하는 동안 리드 프레임(10)에 어느 정도의 압력이 가해진다. 이때, 리드 단자들(13, 15) 및 연결부들(17)이 상대적으로 얇으면, 가압에 의한 변형이 발생되기 쉽다. 이러한 변형은 다이 부착 및 와이어 본딩 공정을 곤란하게 하여 패키지 불량을 초래한다. 또한, 리드 단자들이 얇을 경우, 발광 다이오드 칩에서 방출된 열을 외부로 방출하는 것이 어렵다. 방열 특성 악화는 발광 다이오드 칩의 접합 온도를 상승시키고, 이에 따라 발광 다이오드 칩의 광효율이 감소된다.