유기 컴포넌트 document_id A220623065455

그러한 컴포넌트들은 다양한 실시예들에서, 특히 발광 유기 컴포넌트들로서 공지된다. 발광 유기 컴포넌트의 하나의 타입은 유기 발광 다이오드(OLED)들이다. Tang 등에 의한 낮은 작동 전압의 논증 이래로(C.W.Tang 등, Appl. Phys. Lett. 51(12), 913(1987) 참조), 유기 발광 다이오드들은 새로운 조명 및 디스플레이 엘리먼트들을 제조하기 위한 후보자들로 기대되었다. 이러한 모든 컴포넌트들은 유기 물질들의 얇은 층들의 시퀀스를 포함하며, 상기 시퀀스는 바람직하게는 기상 증착에 의해 진공에서 인가되거나 또는 용액에서 그들의 중합체 또는 저중합체 형태로 처리되는 것이 바람직하다. 금속층들에 의한 전기적 접촉 이후에, 접촉부들이 생성된 결과, 그들은 광범위한 전자 또는 광전자 컴포넌트들, 예를 들어, 다이오드들, 발광 다이오드들, 포토다이오드들, 트랜지스터들 및 가스 센서들을 형성하며, 이는 그들의 특성의 관점에서 무기층들에 기초하여 설립된 컴포넌트들과 경쟁한다. 유기 발광 다이오드들의 경우에, 광은 전하 캐리어들, 즉, 전극으로부터의 전자들 및 카운터 전극으로부터의 정공들의 그 사이에 배열된 유기층들의 배열로의 주입 또는 그 반대의 주입에 의해 발생되고, 외부적으로 인가된 전압, 활성화 영역의 후속하는 엑시톤들(전자/정공 쌍들)의 형성 및 광을 생성하기 위한 발광 영역에서의 이러한 엑시톤들의 재조합의 결과로서, 상기 광은 발광 다이오드로부터 방사된다. 종래의 무기-기반 컴포넌트들, 예를 들어, 실리콘 또는 갈륨 비화물과 같은 반도체들 위의 그러한 유기-기반 컴포넌트들의 이점은 큰 디스플레이 엘리먼트들(디스플레이 패널들, 스크린들)로 일컬어지는, 매우 큰 표면 영역을 갖는 엘리먼트들을 제조하는 것이 가능하다는 사실에 있다. 유기 시작 물질들은 무기 물질들과 비교하여 상대적으로 저렴하다. 또한, 유기 물질과 비교하여 낮은 그들의 처리 온도로 인하여, 이러한 물질들은 디스플레이 및 조명 기술 분야에서 많은 개수의 새로운 애플리케이션들을 개시하였다. US 5,093,698호 문헌은 PIN 타입 유기 발광 다이오드(PIN-OLED)를 개시하며, 이는 도핑된 전하 캐리어 수송층들을 갖는 유기 발광 다이오드이다. 특히, 두 개의 전극들 사이에 위치되는 3개 유기층들로 구성된 것이 사용된다. 상기 문헌에서, n-도핑된 및 p-도핑된 층들은 개별적으로 도핑된 층으로 정공들 및 전자들의 수송 및 전하 캐리어들의 주입을 개선한다. 제안된 구조는 적어도 5개 물질들을 포함하는 적어도 3개 층들로 구성된다. 에너지 레벨들 HOMO("Highest Occupied Molecular Orbital") 및 LUMO("Lowest Unoccupied Molecular Orbital")은 전자들 및 정공들의 충분한 재조합을 확보하도록 방사 영역에서 두 개 타입의 전하 캐리어가 트랩핑(trap)되도록 선택되는 것이 바람직하다. 방사 영역으로의 전하 캐리어의 제한은 방사 층 및/또는 전하 캐리어 수송층에 대한 이온화 전위 또는 전자 친화력을 적절히 선택함으로써 달성되며, 이는 하기에서 보다 상세히 논의될 것이다. 가시광을 발생시키는 하나의 필요조건은 재조합 영역에 형성된 엑시톤들이 방사될 광의 파장에 대응하는 적어도 한 에너지를 갖는 것이다. 여기서, 가장 노은 에너지들은 400 내지 475 nm 범위의 파장을 갖는 청색 광을 생성하도록 요구된다. 전하 수송층들로부터 방사 영역으로의 전하 캐리어들의 주입을 용이하게 하기 위하여 전자 수송층의 전자들의 레벨과 정공 수송층의 정공들의 레벨 간의 가능한 가장 높은 에너지 차가 존재하도록 방사 영역으로 그들의 에너지 레벨들의 관점에서 구성되는 바람직한 물질들을 이러한 층들을 위한 매트릭스 물질들로서 사용하는 것이 바람직하다. 발광 컴포넌트들의 작동 모드는 가시 스펙트럼 범위에 가까운 전자기 광, 예를 들어 적외선 또는 자외선 광을 방사하는 컴포넌트들의 작동 모드와 상이하지 않다. 전자 수송층들을 위한 물질들의 경우에, 실험은 LUMO의 에너지가 많아야 -2.7eV 또는 그 미만이어야 한다는 것을 발견하였다. 이것은 많아야 -2.1 V 대Fc/Fc+(대 페로센/페로세늄(ferrocene/ferrocenium))의 값에 대응한다. OLED의 전자 수송층들을 위한 물질로서 사용되는 표준 물질들은 그러한 LUMO, 예를 들어, BPhen(LUMO -2.33 eV) 및 Alq3(LUMO -2.47 eV)를 갖는다. 정공 수송층들을 위한 물질의 경우에, HOMO는 바람직하게는 0 V 대 Fc/Fc+(대 페로센/페로세늄) 또는 그 이상에 대응하는, -4.8 eV 이하이다. 적절한 도핑 효과를 달성하기 위하여, p-도펀트 및 n-도펀트는 p-도핑을 달성하도록 정공 수송층의 매트릭스의 산화 및 n-도핑을 달성하도록 전자 수송층의 매트릭스의 환원을 획득하기 위하여 특정 환원 전위/산화 전위를 가져야만 한다. 이온화 전위를 결정하기 위하여, 자외선 광전자 스펙트로스코피(UPS: ultraviolet photoelectron spectroscopy) 방법이 선호된다(R. Schlaf 등, J. Phys. Chem. B 103, 2984(1999)를 참조). 그러나, 이론적으로 가스 이온화 전위를 결정하는 것이 가능하다. 그러나, 두 개의 상이한 방법들에 의해 획득된 측정된 값들은 고체로 발생하는 상호작용으로 인하여 상이하다. 상호작용으로 인한 그러한 효과의 일실시예는 광이온화의 결과로서 생성되는 정공의 분극 에너지이다(N. Sato 등, J. Chem. Soc. Faraday Trans. 2, 77, 1621(1981)). 이온화 전위는 높은 운동 에너지의 측면, 즉, 가장 약한 경계선 광전자상에서 광전자 방출이 시작하는 지점에 대응한다. 관련된 방법인 역 광전자 스펙트로스코피(IPES: inverse photoelectron spectroscopy)는 전자 친화력들을 결정하는데 사용되나(W. Gao 등, Appl. Phys. Lett. 82, 4815(2003) 참조), 이것은 덜 성립된 방법이다. 대안적으로, 고체 전위는 예를 들어, 순환성 전압 전류법(CV: cyclic voltammetry)에 의하여(J. D. Anderson, J. Amer. Chem. Soc. 120, 9646(1998) 참조) 용액에서 산화 전위(Eox) 및 환원 전위(Ered)의 전자화학적 측정에 의해 추정될 수 있다. 물리적(완전) 에너지 스케일(이온화 전위)로 전자 화학적 전압 스케일(산화 전위)을 변환하기 위한 경험적 공식이 공지된다(예를 들어, B. W. Andrade 등, Org. Electron. 6, 11(2005); T. B. Tang, J. Appl. Phys. 59, 5(1986); V. D. Parker, J. Amer. Chem. Soc. 96, 5656(1974); L. L. Miller, J. Org. Chem. 37, 916(1972); Y. Fu 등, J. Amer. Chem. Soc. 127, 7227(2005) 참조). 전자 친화력이 간신히 측정될 수 있기 때문에, 환원 전위와 전자 친화력 사이에는 상호 관계가 공지되지 않는다. 따라서, 간략화를 위하여, 전자 화학적 및 물리적 에너지 스케일이 IP = 4.8 eV + e*Eox(대 페로센/페로세늄) 및 EA = 4.8 eV + e*Ered(대페로센/페로세늄)을 사용하여 서로 변환된다(B. W. Andrade 등, Org. Electron. 6, 11(2005) 참조). 다양한 표준 전위 또는 산화 환원 쌍들의 변환이 예를 들어, A. J. Bard 등의 "Electrochemical Methods: Fundamentals and Applications", Wiley, 2nd edition 2000에 개시된다. 측정을 위해 사용되는 용매의 영향과 관련된 정보는 N.G. Connelly 등의 Chem. Rev. 96, 877(1996)에서 발견될 수 있다. HOMO의 에너지(또는 에너지층) 및 LUMO의 에너지(또는 에너지층)라는 용어와 동의적으로 이온화 전위 및 전자 친화력이라는 용어를 사용하는 것이 통상적이다(쿠프만(Koopman) 원리). 이온화 전위/전자 친화력이 더 큰 값이 개별적인 분자에 해제된/부착된 전자의 더 강한 결합을 의미하는 방식으로 개시되었음을 유념해야 한다. 분자 오비탈(예를 들어, HOMO 또는 LUMO)의 에너지 스케일은 다른 방식으로 측정된다. 본 애플리케이션에서 주어진 전위는 고체에서의 값과 관련된다. US 5,093,698호 문헌은 전극들로부터 유기층들로의 현저히 개선된 전하 캐리어 주입을 초래하는 OLED를 위한 컴포넌트 구조를 개시한다. 이러한 효과는 터널 메커니즘에 기초한 전하 캐리어 주입이 가능한 결과, 전극들로의 인터페이스에서 유기층의 에너지 레벨들의 현저한 밴드 벤딩(band bending)에 기초한다(J. Blochwitz 등, Org. Electronics 2, 97(2001)). 도핑된 층들의 높은 전도성은 또한 OLED의 작동 동안에 거기 일어나는 전압 강하를 방지한다. 전극들과 전하 캐리어 수송층들 사이에 OLED들에서 발생할 수 있는 주입 배리어들은 열역학적으로 정당화된 최소 작동 전압과 비교하여 작동 전압의 증가에 대한 주 요인들 중 하나이다. 이러한 이유로, 예를 들어, 칼슘, 마그네슘 또는 바륨과 같은 금속들 등의 낮은 일함수를 갖는 캐소드 물질들에 의하여, 주입 배리어들을 감소시키기 위하여 많은 시도들이 있었다. 그러나, 이러한 물질들은 매우 반응적이고, 처리하기 어려우며, 전극 물질로서 제한된 범위에 적합하다. 또한, 그러한 캐소드들을 사용함으로써 야기된 작동 전압의 임의의 감소는 단지 부분적이다. 캐소드로부터 전자 수송층으로의 전자들의 주입을 개선하기 위한 추가의 가능성은 알루미늄 캐소드와 전극 수송층 사이에 얇은 층으로서 통합되는 LiF 또는 다른 리튬 화합물들을 사용하는 것을 돕는다. 알루미늄보다 더 낮은 일함수를 갖는 리튬이 프로세스에서 형성되는 것으로 추정된다(M. Matsumura 등, Appl. Phys. Lett. 2872, (1998)). 그러나, 이러한 방법은 단지 캐소드 물질로서 알루미늄을 사용할 때만 기능한다. 또한, 수 나노미터의 영역에서 매우 얇은 층들만이 원하는 효과를 일으키기 때문에, LiF 층에 대한 층 두께의 정확한 제어가 필수적이다. 방법은 유기층 시퀀스를 수반하는, 캐소드가 먼저 증착되는 반전된 구조들에 대한 만족스러운 방식으로 기능하지 않는다. 캐소드로부터 전자 수송층으로의 개선된 주입에 대한 다른 가능성이 공지되며(Bloom 등, J. Phys. 초드 2933, (2003) 참조), 여기서 낮은 일함수를 갖는 유기금속 착물들이 OLED들의 전자 수송층과 캐소드 사이에 얇은 층으로서 통합된다. 애노드 물질로서, OLED들에서 상대적으로 높은 작업기능을 갖는 물질들의 사용이 이루어진다. 예로서, 인듐 주석 산화물(ITO) 또는 인듐 아연 산화물(IZO) 등의 투명한 도전성 산화물들의 사용이 이루어진다. ITO 애노드들로부터 OLED들의 정공 투명 층들로의 주입을 개선하기 위한 시도가 이루어졌다. 예로서, ITO의 일함수는 산소 플라즈마로 ITO 표면을 타겟 처리함으로써 증가될 수 있다(M. Ishii 등, J. Lumin. 1165(2000)). 추가로, US 6,720,573 B2 및 US 2004/0113547 A1 문헌은 정공 주입 및/또는 정공 수송을 위한 층으로서 대체된 헥사아자트리페닐렌(hexaazatriphenylene)의 사용을 제안하며, 결과적으로 애노드와 정공 수송층 사이에 주입 배리어가 감소된다. US 2004/0113547 A1 문헌은 헥사아자트리페닐렌으로 구성된 주입층을 사용할 때 형성하는 "가상 전극"을 제안한다. 본 명세서에서, 주입층에서의 물질은 주입층의 물질이 중성 상태에서보다 환원 상태에서 더 높은 안정성을 가지는 것으로 추정된다. 추가로, 물질은 높은 정공 이동성 및 낮은 전자 이동성을 갖는다. US 2004/0113547 A1 문헌에서, 애노드 물질로부터의 자유 전자들이 헥사아자트리페닐렌층에 주어져, 결과적으로 이러한 층의 분자들이 부분적으로 환원되는 것이 제안된다. 전자들이 물질에서 낮은 이동성을 보이기 때문에, 그들은 가상 캐소드를 형성하는 애노드에 대한 인터페이스에 대항하여 빽빽한 채로 남아있다. 전압이 인가될 때, 애노드로부터 헥사아자트리페닐렌층으로의 정공들의 주입은 "가상 캐소드", 즉 애노드 바로 다음의 네거티브 전하들의 결과 보다 쉽게 이루어진다. 이러한 층의 높은 정공 이동성으로 인하여, 정공들은 그 후 실제 캐소드의 방향으로 계속해서 빠르게 이주한다. 추가로 US 2004/0113547 A1 문헌에서 이러한 주입층이 특히 낮은 일함수를 갖는 애노드 물질들로 우수한 결과를 초래한다는 것이 개시된다. 이러한 발견은 높은 일함수를 갖는 애노드 물질들을 사용하기 위한 통상의 시도에 대항한다. 그러나, 이것은 이러한 물질들의 사용가능성과 관련한 제약을 명백하게 나타낸다. 따라서 애노드로부터 OLED들의 전하 캐리어 수송층으로의 전하 캐리어 주입 및 캐소드로부터 OLED들의 전하 캐리어 수송층으로의 전하 캐리어 주입 모두에 대한 제안이 공지된다. 그러나, 이러한 것들은 주입과 관련된 현존하는 문제점들을 단지 부분적으로만 해결할 수 있다. 특히, 전하 캐리어 수송층들로의 전하 캐리어들의 주입은 PIN-OLED들의 경우와 같이 주로 배리어들 없이 일어날 것이라는 것을 보장하지 않는다. PIN-OLED 기술은 하기에서 보다 상세히 논의될 것이다. 추가로, 전하 캐리어의 수송은 원치 않는 전압 강하의 가능한 소스이다. 도핑되지 않은 층들에서, 전하 수송은 공간 전하-제한 전류 이론에 따라 발생된다(M. A. Lampert, Rep. Progr. Phys. 27, 329(1964) 참조). 여기서, 특정 전류 밀도를 유지시키는데 필요한 전압은 층 두께가 증가함에 따라, 그리고 전하 캐리어 이동성이 증가함에 따라 증가한다. 오늘날 유기 반도체 물질들은 10-5 cm2/Vs 이상의 높은 전하 캐리어 이동성을 가지나, 이것들은 종종 높은 휘도를 갖는 OLED들의 작동에서 필요한 것들과 같은 증가된 전류 밀도에서 전압 손실로부터 매우 자유로운 전하 캐리어 수송을 보장하기에 충분하지 않다. 이에 비하여, 수송층 두께를 위한 최소 층 두께가 예를 들어, 전극들 사이의 단락 및 금속 컨택들에서 발광의 소광(quenching)을 방지하기 위해 접착되어야 한다. PIN-OLED들에 대하여, 도핑된 층의 전도성은 도핑되지 않은 층보다 다섯 배까지 크거나 그보다 더 크다. 층은 저항 컨덕터처럼 작용하여, 결과적으로 (도핑된) 전하 캐리어 수송층들에 걸친 전압 강하가 심지어 높은 전류 밀도를 갖는 OLED들이 작동할 때조차 매우 낮다. 10-5 S/cm의 전도성으로, 예를 들어, 0.1 V의 전압이 100 mA/cm2의 전류에서 100 nm의 두께를 갖는 도핑된 유기 전하 캐리어 수송층에 걸쳐 하강한다. 대조적으로, 10-5 cm2/Vs의 이동성을 갖는 도핑되지 않은 전하 캐리어 수송층(전류의 공간 전하 제한)의 경우에, 이러한 전류 밀도에 대하여 5.4 V의 전압이 요구된다. DE 100 58 578 C1 문헌에서, 중앙 방사층과 적어도 하나의 전하 캐리어 수송층 사이에 차단층이 삽입된다. 여기서, 전하 캐리어 수송층들은 마찬가지로 억셉터 또는 도너 중 하나로 도핑된다. 차단 물질들의 에너지 레벨이 발광 영역에서 전자들 및 정공들을 제한하도록, 즉, 확산에 의하여 전하 캐리어들이 발광 영역을 떠나는 것을 방지하도록 선택되어야 하는 방법이 개시된다. 따라서, 공지된 구조는 부가적인 중간층들이 또한 도펀트 불순물 장소에서 이전에 가능한 소광 효과(quenching effect)들에 대해 버퍼 영역으로서 작용하기 때문에 실제로 높은 효율을 허용한다. 발광의 소거는 다수의 효과들에 의해 야기될 수 있다. 하나의 가능한 메커니즘은 엑시플렉스(exciplex) 형성으로 공지된다. 그러한 경우에, 실제로 발광 영역에서 이미터 분자상에 서로 재조합되도록 고안되는 정공들 및 전자들은 발광층에 대한 인터페이스들 중 하나에서 두 개의 상이한 분자들상에 위치된다. 이러한 소위 엑시플렉스 상태는 전하 수송 엑시톤으로서 이해될 수 있으며, 부자들은 상이한 특성을 수반한다. 차단 및 발광층에 대한 물질들의 부적합한 선택의 경우에, 실제 요구되는 엑시톤의 에너지가 이러한 엑시플렉스 상태에서 이미터 분자에 전송될 수 있도록, 이러한 엑시플렉스는 에너지와 관련하여 가능한 가장 낮은 활성화 상태이다. 이것은 전장 발광의 양자 수율 및 따라서 OLED의 양자 수율의 감소를 초래한다. 이것은 적색 쪽으로 시프트되나, 그 후 일반적으로 매우 낮은 양자 수율에 의해 특징화되는 엑시플렉스의 전장발광과 관련된다. OLED에서 발생하는 발광 소거에 대한 추가의 메커니즘은 한편으로 충전되거나 비충전된 도핑 분자들과의 엑시톤들의 상호작용 및/또는 다른 한편으로는 전하 캐리어들과 엑시톤들의 상호작용의 결과 발생한다. 제1 메커니즘은 상호작용의 짧은 범위(예를 들어, 003c#10 nm)로 인하여 도핑되지 않은 차단층들을 사용함으로써 효과적으로 억제된다. 전하 캐리어들은 OLED의 작동 동안에 발광 영역에서 그리고 근처에서 발생해야만 하기 때문에, 최적화는 여기서 예를 들어, 밴드 불연속점에서 전하 캐리어들의 축적이 방지되는 효과에만 일어날 수 있다. 이것은 전하 캐리어 주입에 대한 배리어들을 방지하고, 따라서 전하 캐리어들의 축적을 방지하기 위하여 차단 물질 및 이미터에 대한 밴드 레벨의 선택 특정 요구사항들을 제기한다. 엑시톤들의 비발광 소광 프로세스들을 억제함으로써 OLED 효율을 증가시키는 상기 개시된 효과 외에도, 수송층과 발광 영역 사이의 인터페이스에서의 중간층들의 사용은 또한 발광 영역으로의 전하 캐리어 주입을 용이하게 하기 위한 목적을 충족시킬 수 있다. 가시광을 생성하기 위하여, 적어도 OLED에 의해 방사된 광의 파장에 대응하는 에너지를 갖는 이미터 분자들상에 엑시톤들을 발생시키는 것이 필수적이다. 이러한 에너지는 종종 정공 수송층의 HOMO와 전자 수송층의 LUMO 사이의 차에 의해 한정되는 레벨의 차보다 큰 값에 대응한다. 그 후 이러한 인터페이스에서의 증가된 전하 캐리어 밀도 및 공간 전하 영역의 형성을 초래할 수 있는 전하 캐리어 수송층들로부터 발광 영역으로의 주입에 대한 과도하게 큰 주입 배리어들을 방지하기 위하여, 종종 전하 캐리어 수송층과 발광 영역 사이의 수 나노미터 범위의 두께를 갖는 부가적인 얇은 층들을 도입하는 것이 바람직하다. 이러한 것들은 그 후 그들의 에너지의 관점에서, 전하 캐리어 수송층들 사이에 그들의 HOMO(정공 수송층의 경우에) 또는 그들의 LUMO(전자 수송층의 경우에)의 레벨 및 발광 영역의 레벨에 있어야하며, 그 결과 전하 캐리어 수송이 용이해지고, 공간 전하 영역의 형성이 방지된다. 적절한 층 배열로, PIN 기술 기반 OLED들은 매우 낮은 작동 전압을 갖는 동시에 매우 높은 전류 효율을 달성하며, 그 결과, 100 lm/W를 초과하는 극도로 높은 성능 효율을 달성하는 것이 가능하며(J. Birnstock 등, IDW, Proceedings, S. 1265-1268(2004)), 이는 대체 기술들이 가능하지 않았던 시기의 것이다. 그러나, 도핑된 전하 캐리어 수송층들의 제조는 OLED의 제조에 있어서의 부가적인 기술적 장애물을 나타낸다. 하나 이상의 층들에서의 두 개 이상의 물질들의 동시적 증발에 의해 종종 구성되는 발광 영역 이외에, 부가적으로 PIN OLED들에 대하여 각각의 경우에 두 개 물질들로부터 수송층들을 제조하는 것이 필수적이다. 따라서, 이 때문에 개별적으로 가열되고 제어되어야만 하는 두 개의 증발 소스들이 요구되며, 증발 소스들은 보다 복잡하고 따라서 제조 설비 설계 비용이 많이 드는 것과 연관된다. 예를 들어, OLED 물질들과 로딩되는 캐리어 가스로부터 층들을 성장시키는 단계에 의하여, OLED층들을 제조하는 다른 방법은 또한 동시적 증착과 관련하여 보다 복잡해진다. 그러한 방법들에 대하여, 제조 설비에서 냉각기 부분들에서 덜 휘발성인 재료의 가능한 증착을 방지하도록, 증착될 물질들의 증발 온도는 가능한 한 서로 가까운 것이 바람직하다는 것이 특히 보장되어야 한다. 그러나, 그러나 증발 온도들이 너무 멀다면, 따라서, 가스 스트림과 접촉하는 설비 부분들은 그러한 증착을 방지하도록 적절히 높은 온도를 초래해야 하며, 뜨거운 용기 벽들에서 보다 휘발성인 컴포넌트의 화학적 분해의 위험이 존재한다. 또한, 전하 수송층들의 도핑의 경우에, 수송 매트릭스와 도펀트 사이에 반응이 이미 가스 위상에서 발생할 수 있다는 것을 상상할 수 있다. WO 2005/086251호 문헌은 유기 반도체 매트릭스 물질, 유기 반도체 물질 및 전자 컴포넌트들에 대한 n-도펀트로서, 그리고 또한 도펀트 및 리간드로서 금속 복합물의 사용을 다룬다. 유기 발광 다이오드들에 대한 애플리케이션의 주요 분야들 중 하나는 디스플레이 기술이다. 패시브 매트릭스 디스플레이 엘리먼트들의 분야 및 액티브 매트릭스 디스플레이 엘리먼트들의 분야에서, OLED들은 근 몇 년간 시장 점유율 증가를 보였으며, 가격 압박이 자연적으로 높아졌다. 이 때문에, PIN OLED의 제조에 있어서의 증가된 기술적 제조 경비는 종래의 OLED들과 비교하여 개선된 성능 특성에 대항하여 신중히 판단되어야만 하며, 이는 몇몇 환경 하에서 PIN 기술의 상업적 성공이 손상될 수 있음을 의미한다.