문맥 (context)
LCD의 제조 공정에서는, 포토리소그래피(photolithography) 처리 공정에서 처리되는 유리 기판에 대한 각종 검사가 행해진다. 이 검사의 결과, 유리 기판 상에 형성된 레지스트 패턴이나 에칭 패턴에 결함부가 검출되면, 상기 결함부에 대해서 레이저광을 조사하여 결함부 리페어가 행해진다.
리페어 방법으로서는, 예를 들면 특허 문헌 1 및 특허 문헌 2에 각각 기재된 기술이 있다.
특허 문헌 1은, 자외 레이저 발진기로부터 출력된 자외 레이저광을 가변 직사각형 개구에 입사하고, 상기 가변 직사각형 개구를 각각의 나이프 에지의 가동에 의해 개폐하여, 자외 레이저광의 단면 형상을 원하는 크기의 직사각형으로 정형하여 결함부에 조사하는 것이 기재되어 있다.
특허 문헌 2는, 레이저 발진기로부터 출력된 레이저 빔을 조리개에 입사하고, 상기 조리개의 각각의 블레이드를 출입시키거나 회전함으로써 결함부의 형상에 대응한 형상의 레이저 빔을 형성하는 것이 기재되어 있다. 조리개는, 직선형의 블레이드나 곡률이 상이한 반원 절결과 반원 돌기를 가지는 각각의 블레이드를 교환하여 사용함으로써, 임의의 형상의 결함부에 대응하고 있다.
특허 문헌 1: 일본국 특개평 9-5732호 공보
특허 문헌 2: 일본국 특개평 3-13946호 공보
LCD 제조 공정에서의 리페어에는, 유리 기판 상의 레지스트 패턴의 리페어와 에칭 패턴 리페어가 있다. 레지스트 패턴 리페어는, 유리 기판 상에 형성된 금속막 상의 레지스트 패턴의 결함부에 대해서 레이저광을 조사하여 리페어를 행한다. 상기 리페어에서는, 리페어하는 레지스트 패턴의 기초에 금속 막이 있고, 레지스트 패턴의 결함부에 레이저광을 조사한 때에 기초의 금속 막에도 레이저광이 조사되는 경우가 있다. 이와 같이 금속 막에 레이저광이 조사되더라도, 금속 막에 대한 영향이 적고, 금속 막에 대한 레이저광 조사 시의 손상을 그다지 신경쓸 필요가 없다.
이에 비해, 에칭 패턴 리페어는, 유리 기판 상에 에칭에 의해 형성된 금속 패턴의 결함부에 대해서 레이저광을 조사하므로, 리페어를 행하는 금속 패턴의 기초는 유리 기판이 된다. 그러므로, 금속 패턴의 결함부에 레이저광을 조사한 때, 기초가 되는 유리 기판에도 레이저광이 조사되면, 유리 기판에 손상을 주게 된다. 손상을 입은 유리 기판의 수복(修復)은 곤란하며, 유리 기판 자체를 파기해야만 하므로, LCD 제조의 수율을 저하시킨다. 그러므로, 유리 기판에 대한 손상은 최대한 억제하고자 노력한다.
또한, 리페어 대상이 되는 각각의 결함부의 형상은, 그 결함마다 상이하고, 단지 직선에 곡선을 조합하기만 해서는 전부 나타낼 수 없는 복잡한 형상을 하고 있다. 그러므로, 특허 문헌 1과 같이 가변 직사각형 개구의 개폐로는, 자외 레이저광의 단면 형상을 결함부의 형상에 일치시키기 곤란하고, 결함부로부터 떨어져서 리페어 대상 외에 조사된 패턴이나 기초에 손상을 입힌다.
특허 문헌 2에서는, 각각의 블레이드를 사용함으로써 레이저광의 단면 형상을 임의의 형상의 결함부에 대응하여 정형할 수 있지만, 결함부는 각각 크기도 형상도 상이하므로, 모든 결함부에 대응할 수 없다. 또한, 형상이 상이한 결함부에 대해 리페어할 경우, 이들 결함부를 리페어할 때마다, 각각의 결함부의 형상에 맞추어서 각각의 블레이드를 교환하는 작업을 해야하므로, 리페어 작업에 시간이 걸린다. 특히, LCD의 제조 공정에서는, 비용의 저감화를 도모하기 위해 제품을 수율을 유지하고, 또한 리페어 시간의 단축이 요구되고 있지만, 그 요구를 만족시킬 수 없다.
그래서, 본 발명은, 레이저광의 단면 형상을 복잡한 형상의 결함부에 대응되게 정형하여 결함부를 정확하고도 고속으로 리페어할 수 있는 리페어 방법 및 그 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 레이저 광원으로부터 출력된 레이저광을, 종횡 방향으로 복수개 배열하여 이루어지는 각각의 변조 요소를 가지는 공간 변조 소자에 입사하고, 상기 공간 변조 소자의 각각의 변조 요소를 각각 제어하여, 각각의 상기 변조 요소에 의해 상기 레이저광의 단면 형상을 리페어 대상의 형상으로 정형하고, 이 정형된 상기 레이저광을 상기 리페어 대상에 조사하여 상기 리페어 대상을 수복하는 리페어 방법이다.
본 발명은, 화상 데이터로부터 상기 리페어 대상의 형상 데이터를 추출하는 공정과, 레이저 광원으로부터 레이저광을 출력하는 공정과, 상기 리페어 대상의 형상 데이터에 기초하여, 종횡 방향으로 복수개 배열한 각각의 변조 요소를 가지는 공간 변조 소자의 각각의 변조 요소를 각각 제어하고, 상기 레이저 광원으로부터 출력된 상기 레이저광을 상기 리페어 대상의 형상으로 정형하는 공정과, 각각의 상기 변조 요소로 정형된 상기 레이저광을 상기 리페어 대상에 조사하고, 상기 리페어 대상을 수복하는 공정을 포함하는 리페어 방법이다.
본 발명은, 레이저광을 출력하는 레이저 광원과, 각각 제어 가능한 각각의 변조 요소를 가지고, 각각의 상기 변조 요소를 종횡 방향으로 복수개 배열하여 이루어지는 공간 변조 소자와, 상기 리페어 대상을 촬상하는 촬상 장치와, 상기 촬상 장치의 촬상에 의해 취득된 화상 데이터로부터 상기 리페어 대상의 형상 데이터를 추출하는 리페어 대상 추출 수단과, 상기 리페어 대상 추출 수단에 의해 추출된 상기 리페어 대상의 형상 데이터에 기초하여 상기 공간 변조 소자의 각각의 상기 변조 요소를 제어하고, 각각의 상기 변조 요소에 의해 상기 레이저광을 상기 리페어 대상의 형상과 일치하도록 정형하는 레이저 형상 제어 수단과, 상기 공간 변조 소자의 각각의 상기 변조 요소로 정형된 상기 레이저광을 상기 리페어 대상에 조사하는 광학계를 구비하는 리페어 장치이다.
본 발명에 의하면, 고속으로 레이저광의 단면 형상을 복잡한 형상의 결함부에 대응되게 정형하여 결함부를 리페어할 수 있는 리페어 방법 및 그 장치를 제공할 수 있다.
지시문 (instruction)
주어진 원문을 읽고 필요한 정보를 파악하여, 원문에 근거해 질문에 답하라.
질문 (question)
본 발명이 제공하고자 하는 리페어 방법 및 장치의 목적은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation본 발명이 해결하고자 하는 기술적 목적을 질문에서 요구한다.
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2정보 추출
information_extraction기존 기술(특허 문헌 1, 2)의 한계점인 복잡한 형상 대응 불가, 유리 기판 손상 위험, 리페어 시간 소요 등을 파악한다.
- 결함부로부터 떨어져서 리페어 대상 외에 조사된 패턴이나 기초에 손상을 입힌다.
- 결함부는 각각 크기도 형상도 상이하므로, 모든 결함부에 대응할 수 없다.
- 리페어 작업에 시간이 걸린다.
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3근거 선택
evidence_selection본 발명의 목적이 명시된 문장을 직접적으로 선택한다.
- 본 발명은, 레이저광의 단면 형상을 복잡한 형상의 결함부에 대응되게 정형하여 결함부를 정확하고도 고속으로 리페어할 수 있는 리페어 방법 및 그 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
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4논리 통합
logical_integration기존 기술의 문제점(복잡한 형상 대응 어려움, 시간 소요)을 해결하기 위한 수단으로서의 목적을 연결한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation레이저광의 단면 형상을 복잡한 결함부 형상에 맞게 정형하여 정확하고 고속으로 리페어하는 것을 목적으로 도출한다.
- 레이저광의 단면 형상을 복잡한 형상의 결함부에 대응되게 정형하여 결함부를 정확하고도 고속으로 리페어할 수 있는 리페어 방법 및 그 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 문맥에 근거하여 명확하게 답변을 작성한다.
- 레이저광의 단면 형상을 복잡한 형상의 결함부에 대응되게 정형하여 결함부를 정확하고도 고속으로 리페어할 수 있는 리페어 방법 및 그 장치를 제공하는 것
최종 답변 (final_answer)
레이저광의 단면 형상을 복잡한 형상의 결함부에 대응되게 정형하여, 결함부를 정확하고도 고속으로 리페어할 수 있는 리페어 방법 및 그 장치를 제공하는 것이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 기존 기술의 한계를 극복하고 레이저광의 단면 형상을 복잡한 결함부 형상에 대응되게 정형하여 정확하고 고속으로 리페어할 수 있는 리페어 방법 및 그 장치를 제공한다.