감광성 수지 조성물 document_id A220623068236

반도체 집적 회로나 인쇄 기판 상의 회로 패턴 형성은 기재 표면에 대한 레지스트재의 막 제조, 소정 개소에 대한 노광, 에칭 등에 의한 불필요 개소의 제거, 기판 표면의 세정 작업 등의 번잡하고 다방면에 걸친 공정을 거쳐 행해진다. 이 때문에, 공정을 줄이기 위해서, 최근 반도체 공업에서 노광 및 현상에 의한 패턴 형성 후에도 필요한 부분의 레지스트를 절연 재료로서 그대로 남겨 이용하는 것이 행해지고 있다. 이를 위한 재료로서, 예를 들면 감광성 폴리이미드, 감광성 폴리벤조옥사졸 등의 내열 감광 재료가 개발 실용화되고 있다. 특히 유기 용제를 현상하는 네가티브형의 감광성 폴리이미드는, 그 내열성이 우수한 것이나 불순물의 배제가 용이하다는 것 등의 점에서 많은 디바이스 제조업체에서 사용되고 있다. 이들 네가티브형 감광성 폴리이미드에 대해서는 폴리이미드 전구체에 감광성기를 갖는 화합물을 부가 또는 혼합하고, 광가교 반응에 의해 패턴을 형성하는 방법 등이 알려져 있다. 그러나 이들 네가티브형 감광성 폴리이미드는 기본적으로 유기 용제 현상에 대응한 재료 설계가 이루어져 있고, 최근 환경에 대한 배려로부터 이용되고 있는 알칼리 수용액 현상(예를 들면, 수산화테트라메틸암모늄 수용액에 의한 현상)에는 대응하지 못한다. 이 때문에, 네가티브형 감광성 폴리이미드는 알칼리 수용액 현상을 행하면 용해성이 나빠, 패턴을 형성하는 것은 곤란하였다. 알칼리 수용액 현상 가능한 네가티브형의 감광성 폴리이미드를 얻기 위해서는, 알칼리 가용성기를 함유시킬 필요가 있어, 폴리이미드 전구체에 대하여 알칼리 가용성기의 일부에 광반응성기를 도입한 알칼리 네가티브 현상형 감광성 폴리이미드 전구체가 제안되어 있다. 그러나 이 기술에서는, 광반응성기 도입에 의한 폴리이미드 전구체의 알칼리 현상액에 대한 용해성이 저하하여 양호한 현상 후 패턴 형상을 양호하게 재현하여 형성하는 것은 곤란하였다. 또한, 가령 양호한 패턴 형상을 형성할 수 있어도, 폴리이미드 전구체를 최종적으로 폴리이미드로 변환하는 경우, 폐환 반응에 수반하는 막의 큰 경화 수축이 발생하고, 특히 20 ㎛ 이상의 후막에서 사용하는 경우, 균열이 발생하여 사용이 곤란하였다. 이 때문에, 중합체에는 광반응성기를 도입하지 않고, 광산 발생제, 또는 광산 발생제와 산 가교제를 첨가하여 감광성 폴리이미드 조성물을 얻는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 1, 2 참조). 그러나 이들 방법으로도 미세한 패턴 형상을 양호하게 재현하여 형성하는 것은 곤란하였다. 또한, 결합제 중합체에 중합성 화합물과 광중합 개시제를 첨가하여 네가티브형의 패턴을 얻는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 3 내지 6 참조). 그러나 이들 방법에서는 양호한 패턴이 형성되지 않거나, 충분한 강도나 신도 또는 내열성을 갖는 막이 얻어지지 않는 경우가 있었다. [특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2003-98667호 공보(제1 내지 4페이지) [특허 문헌 2] 일본 특허 공개 (평)10-316751호 공보(제1 내지 4페이지) [특허 문헌 3] 일본 특허 공개 제2002-268215호 공보(제1 내지 3페이지) [특허 문헌 4] 일본 특허 공개 제2003-248306호 공보(제1 내지 3페이지) [특허 문헌 5] 일본 특허 공개 제2004-294553호 공보(제1 내지 4페이지) [특허 문헌 6] 일본 특허 공개 제2003-140339호 공보(제1 내지 3페이지)