자외선 리소그래피 시스템들 및 방법들 document_id A220623069645

현재의 집적회로들의 제조에 있어서, 광학적 리소그래피는 중요한 기술 중에 하나이다. 집적회로들 또는 다른 소자들의 계속적인 축소는, 예를 들어 단파장의 전자기적 방사를 이용하는 리소그래피와 같은 새로운 형태의 리소그래피의 사용을 요구한다. 이러한 리소그래피의 전형적인 예는 극자외선 리소그래피(extreme ultraviolet lithography, EUVL)이다. 도1 은 조사 광원(102), 마스크(104) 및 기판(106)을 포함하는 리소그래피 시스템(100)을 도시한다. 도 1에 도시된 바와 같이, EUVL 투영 광학 시스템(projection optics)은 다중 거울들을 포함한다. 종래의 리소그래피 기술들에서는 광은 일반적으로 레티클(reticle)을 통하여 투과되는 반면, 극자외선 리소그래피는 통상적으로 다중 층으로 코팅된 반사 마스크를 사용한다. 따라서, 통상적으로 레티클 측에 대하여 비-텔레센트릭(non-telecentric)한 조명 시스템을 사용한다. 다시 말하면, 레티클의 조명은 일반적으로 0°가 아닌 입사각으로 수행된다. 사용되는 방사광의 파장이 레티클 피처들의 두께와 비교하여 실질적으로 동일한 수준의 크기이거나 또는 이보다 작은 리소그래피 어플리케이션에 있어서, 마스크는 0°가 아닌 입사각을 가지는 방사광이 레티클 피처들에 의하여 차단될 수 있는 두께를 대략적으로 가지는 마스크이다. 작동시에, EUV 방사광은 두꺼운 마스크 상에 경사지게 (0° 보다 큰 각도임) 조명하여 굴절 파동들의 비대칭을 야기하도록 마스크를 조명한다. 조명 빔은 흡수재의 모서리에 의하여 그림자지게 되고, 이에 따라 인쇄된 패턴들이 변위되고 및/또는 바이어스된다. 이러한 영향은 일반적으로 그림자지는 것(shadowing)으로 보고된다. 추가로, EUV 스캐너들과 같은 대형-필드 시스템들에 있어서, 광학 시스템은 레티클에 대한 조명이 만곡된 슬릿형(slit)을 의미하는 비축(off axis)이 된다. 극자외선(EUV) 리소그래피에 있어서, 그림자 영향들을 처리하는 수 많은 교정 기술들이 알려져있다. 일부의 해결법들은 상부에 반사층을 마련하는 것을 포함하고, 그에 따라 흡수 물질들이 피처들 사이 또는 그 측부들에 마련된다. 미국특허출원번호 제2003/0013216A1호에는, 마스크 상에 패턴을 다중층 내에 기록하는 방법으로 구성되어 있는 EUV 반사 마스크의 제조 방법이 개시되어 있다. 마스크에 있어서의 이러한 결과는, 광흡수 영역들에서 그림자 영향이 일어나지 않았는데, 이는 그 표면들이 다기능 층(multiplayer layer)의 표면으로부터 투사되지 않기 때문이다. 미국특허출원번호 제2002/0192571A1호에서는, 반사 리소그래피 마스크의 제조 방법이 개시되어 있고, 여기에서는 흡수층이 반사층의 하부의 기판의 상부 또는 반사층의 측부 영역들에 적용된다. 이러한 방법에서는, 그림자 영향은 감소되며, 이는 반사층의 배치때문에 흡수층이 그림자 영향을 제공하지 않거나 덜 제공하기 때문이다. 이러한 경우에 있어서, 그림자 영향의 보상을 위해 제안된 방법은 마스크의 지형(topography)을 크게 변화하는 것이다. 이것은 종종 높은 제조 비용과 기술적 복잡성을 야기한다. 다른 방법은, 예를 들어 미국특허출원번호 제2004/0157136A1호 및 제US2004/01376677A1호에서 개시된 바와 같이, 그림자 효과를 보상하기 위하여 시스템 내의 수차들(aberrations)을 변경하는 것을 제안하며, 이는 시스템의 광학적 성능에 중요한 영향을 준다.