저온 경화 가능한 감광성 수지 조성물 document_id A220623069746

컬러 필터 기판의 제조는 일반적으로 Cr/CrOx를 이용한 블랙 매트릭스(black matrix)의 형성, 안료 분산법에 의한 컬러 필터의 형성, 및 공통 전극의 형성으로 이루어진다. TFT-어레이(array) 공정에서와 마찬가지로, 세정된 유리 기판 위에 Cr/CrOx를 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)에 의해 증착하여 블랙 매트릭스 패턴을 형성한 후, 색상을 구현하기 위한 RGB 패턴을 포토(photo) 공정 기술을 이용하여 형성한다. 통상적으로 RGB 패턴은 동일 마스크를 이동시켜 형성하며, 노광에 의한 광중합 반응은 일정 수준에 도달하면 정지하므로 열에 의한 중합 반응의 지속을 위하여 포스트-베이크(post-bake)를 별도로 실시하고, 현상은 딥핑(dipping), 퍼들(puddle), 샤워(shower), 스프레이(spray) 법 등을 이용한다. 하부의 TFT 기판에 형성된 픽셀 전극(pixel electrode)과 함께 액정 셀(cell)을 동작시키기 위한 공통 전극의 형성은 RGB 패턴 형성 후에 이루어지는데, 투과성과 도전성이 좋으며 화학적, 열적 안정성이 우수한 투명 전극 재료인 ITO를 스퍼터링에 의하여 증착하며, 공통 전극으로서의 ITO는 별도의 패턴 형성을 하지 않는다. RGB 패턴의 보호와 평탄화를 위하여, 공통 전극 형성 전에 아크릴계나 폴리이미드계 수지를 사용하여 평탄화 막(over coat)을 형성하는 경우도 있다. 컬러 필터 공정 중에서 RGB 패턴의 경우 주로 스핀이나 슬릿 코터(slit coater)를 이용하여 코팅을 하고, 프리-베이크(pre-bake)를 한 후 노광을 하며, 현상을 진행하게 된다. 현상에 이어, 마지막으로 220도 이상의 열을 가하는 포스트-베이크 공정을 진행하게 되는데, 일반적으로 사용되는 유리는 이 온도에서 거의 변형을 일으키지 않지만 유연성(flexible) 디스플레이에 사용되는 플라스틱은 220도 이상의 온도에서 심각한 변형을 일으킨다. 결국, 기판의 변형을 줄이기 위해서 포스트-베이크 공정의 온도를 낮추어야 되는데, 포스트-베이크의 온도를 낮추면 경화가 완전하게 일어나지 않아서 가스 발생량이 증가하게 되고 이로 인해 잔상이 나타날 뿐만 아니라, 내화학성 및 내열성이 떨어지는 등의 문제가 야기된다. 대한민국 특허공개 제2002-0048675호에는 산무수물로 처리된 에폭시화물을 포함함으로써 우수한 내열성과 내화학성을 제공할 수 있는 감광성 수지 조성물이 개시되어 있다. 그러나, 산무수물로 처리된 에폭시화물을 포함하는 상기 감광성 수지 조성물의 경우에도, 200도 이하의 저온에서 포스트-베이크 공정을 진행하면 내화학성이나 내열성이 기준에 미치지 못하고 가스 발생량이 증가함으로 인해 잔상이 나타나는 문제점이 여전히 존재하였다.