감방사선성 수지 조성물, 및 층간 절연막과 그의 제조 방법 document_id A220623105552

박막 트랜지스터(이하, 「TFT」라고 함)형 액정 표시 소자나 자기 헤드 소자, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자 등의 전자 부품에는, 일반적으로 층 형상으로 배치되는 배선의 사이를 절연하기 위해서 층간 절연막이 설치되어 있다. 층간 절연막을 형성하는 재료로서는, 필요로 하는 패턴 형상을 얻기 위한 공정수가 적고 게다가 충분한 평탄성을 갖는 것이 바람직하기 때문에, 감방사선성 수지 조성물이 폭넓게 사용되고 있다(하기 특허 문헌 1 및 특허 문헌 2 참조). 상기 전자 부품 중, 예를 들면 TFT형 액정 표시 소자는, 상기 층간 절연막 상에 투명 전극막을 형성하고, 또한 그 위에 액정 배향막을 형성하는 공정을 거쳐 제조되기 때문에, 층간 절연막은 투명 전극막의 형성 공정에서 고온 조건에 노출되거나, 전극의 패턴 형성에 사용되는 레지스트의 박리액에 노출되게 되기 때문에, 이들에 대한 충분한 내성이 필요해진다. 또한 제조 공정에 따라서는 형성된 층간 절연막이 건식 에칭에 노출되는 경우도 있어, 건식 에칭에 대한 충분한 내성이 필요해진다(하기 특허 문헌 3 및 특허 문헌 4 참조). 또한 최근 들어, TFT형 액정 표시 소자에서는, 대 화면화, 고 휘도화, 고 정밀화, 고속 응답화, 박형화 등의 동향이 있고, 그것에 이용되는 층간 절연막 형성용 조성물로서는 고감도이고, 형성되는 층간 절연막에는 저 유전율, 고 투과율 등에 있어서, 종래보다도 한층 더 고 성능이 요구되고 있다. 또한, 이와 같이 하여 얻어지는 층간 절연막은, 이들을 형성할 때의 현상 공정에서, 현상 시간이 최적 시간보다 약간 과잉이 되면, 패턴과 기판 사이에 현상액이 침투하여 박리가 생기기 쉬워지기 때문에, 현상 시간을 엄밀하게 제어할 필요가 있어, 제품의 수율 면에서 문제가 있었다. 이와 같이, 층간 절연막을 감방사선성 수지 조성물로 형성함에 있어서는, 조성물로서는 고감도인 것이 요구되고, 또한 형성 공정 중의 현상 공정에서 현상 시간이 소정 시간보다 과잉이 된 경우에도 패턴의 박리가 생기지 않고 양호한 밀착성을 나타내고, 또한 그것으로부터 형성되는 층간 절연막에는 고 내열성, 고 내용제성, 저 유전율, 고 투과율, 건식 에칭 내성 등이 요구되는데, 그와 같은 요구를 만족시키는 감방사선성 수지 조성물은 종래에 알려져 있지 않았다. [특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2001-354822호 공보 [특허 문헌 2] 일본 특허 공개 제2001-343743호 공보 [특허 문헌 3] 일본 특허 제3362008호 공보 [특허 문헌 4] 일본 특허 공개 제2005-345757호 공보