평판 디스플레이 액티브 플레이트 document_id A220623107175

LCD와 같은 평판 매트릭스 디스플레이의 하부 플레이트 혹은 액티브 플레이트는 대형 면적의 유리 또는 기타 절연물질, 바람직하게는, 투명한 물질로 이루어지는 플레이트로부터 일반적으로 형성된다. 현 제조기술에 있어서, 한쪽 또는 양쪽이 1 미터보다 큰 치수의 유리 플레이트들이 사용되어 대형 디스플레이 스크린들을 형성하거나 또는 제조 후에 이러한 플레이트들을 절단함으로써 원하는 면적의 디스플레이들을 형성한다. 각각의 하부 플레이트는 상부 플레이트에 대향되도록 위치되고, 하부 플레이트들은 스페이서들에 의해 상부 플레이트로부터 이격된다. 하부 플레이트와 상부 플레이트 사이의 공간은, 디스플레이 스크린의 각각의 픽셀의 바이어싱에 따라 광학적 특성을 갖는 액정으로 채워진다. 도 1은 LCD 타입의 디스플레이의 액티브 플레이트의 4개의 픽셀들의 어셈블리(assembly)를 회로 형태로 부분적으로 도시하고 있다. 각각의 픽셀은 전극 플레이트(1)를 포함하고, 이 전극 플레이트(1)는, (선택 라인(SEL)에 연결되는 게이트를 갖는) 현재 MOS 트랜지스터인 스위치(2)를 통해 형성되는 데이타 라인(DATA)으로의 연결에 의해 고전압 또는 저전압으로 설정될 수 있다. 전극 플레이트(1)는 커패시터의 제 1 접극자(armature)를 형성하기 위한 것으로, 이 커패시터의 다른 접극자는 디스플레이의 다른 플레이트(상부 플레이트) 상에 형성된다. 도 1의 예에서, 데이타 라인(DATA)은 행(row)에 대응하고 선택 라인(SEL)은 열(column)에 대응한다. MOS 트랜지스터(2)의 게이트 단자, 소스 단자, 드레인 단자는 각각 G, S, D로 표시되어 있고, 소스와 드레인의 표시는 서로 바뀔 수 있음을 이해해야 한다. 도 1의 예에서, 드레인 단자는 커패시턴스(4)에 또한 연결되고, 커패시턴스(4)의 또 다른 단자는 고정된 전압, 예를 들면, 그라운드 라인(GND)에 연결된다. LCD의 액티브 플레이트를 형성함에 있어서 어려운 점들 중의 하나는 스위치(2)를 형성하는 것이다. 앞서 설명된 바와 같이, 이 스위치는 일반적으로 MOS 트랜지스터의 형태로서 만들어진다. 그러나, 이에 따른 비용 측면에서, 각각의 셀 단위로 트랜지스터 칩을 두는 것은 불가능하다. 따라서, 베이스 유리 플레이트 상에 직접적으로 증착된 반도체층들 또는 상기 베이스 유리 플레이트 상에 증착된 중간층을 기반으로 트랜지스터들을 제조하는 방법들이 시도되었다. 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)들을 형성하기 위해 현재까지 개발된 이러한 두 가지 주요 기술들은 수소화 비정질 실리콘 증착 및 폴리실리콘 증착에 기반하고 있다. 수소화 비정질 실리콘 증착에 의해 트랜지스터들을 형성하는 것이 가장 간단하고 액티브 플레이트의 형성시 포함되는 마스킹 단계의 수를 제한할 수 있다. 그러나 이와 같은 트랜지스터들은, 낮은 캐리어 이동도와 관련하여 여러 가지 단점들을 내포하는바, 이러한 낮은 캐리어 이동도는 전류를 운반함에 있어 트랜지스터의 속도 및 용량을 제한한다. 또한, 수소화 비정질 실리콘은 준안정적 물질(metastable material)로서, 트랜지스터들에 높은 듀티 사이클을 가하면 트랜지스터들의 임계 전압에 대하여 상당량의 드리프트(drifts) 현상이 나타난다. 비정질 전구체(amorphous precursor)를 결정화시킴으로써 획득되는 폴리실리콘으로부터 트랜지스터들을 형성하는 방법이 시도되었다. 그러나, 이 기술은 아직 완전히 개발된 기술이 아니고 트랜지스터들을 형성하기가 어려우며, 특히 단결정 기판 상에 형성되는 트랜지스터들에 비해 불완전한 성능을 제공한다.