ＴＦＴ 구리 게이트 공정을 위한 무전해 ＮｉＷＰ 접착 및캡핑층 document_id A220623107233

유리 기판의 크기는 더 큰 TFT-LCD 또는 플라스마 패널을 효율적으로 제조하기 위해 점점 더 커지고 있다. 그러나 면적이 넓어질수록 게이트 라인에서의 신호 지연이 중대해지고 있기 때문에, 영상의 일정한 디스플레이를 달성하는 것이 더욱 난해해지고 있다. 이것은 현재의 게이트 물질 (알루미늄)의 높은 저항률 때문이고, 이러한 지연의 감소를 위해 구리와 같은 낮은 저항률의 물질이 미래에 사용되어 질 것으로 기대된다. 그러나 금속성 구리는 알루미늄만큼 안정하지 못하다. 구리는 산화되기 쉽고, 다른 물질로 확산 되기 쉽다. 유리 기판 및 구리 게이트층 사이에 Ni 및 Au의 적층을 사용하는 TFT 구리 게이트에 대한 습식 침착 공정이 US-B-6,413,845에 공지되었다. 발명자들은 한 층이 구리층과 유리 기판 사이에서 "접착층"으로 작동될 필요가 있으며 상기 접착층이 또한 어떠한 구리 확산도 피하는 확산 차단층임을 증명하였다. 또한 상기 층에서의 구리 확산을 피하기 위해 구리층의 상단에 "캡핑층"을 제공할 필요가 있다. 구리 차단벽으로 무전해 NiWP를 사용하는 것은 문헌[the article of Osaka et al entitled "Electroless Nickel Ternary alloy deposition on SiO2 for application to diffusion barrier layer in copper interconnect technology" Journal of the Electronical Society - 149 (11-2002)]에 공지되어 있다: 그러나 이 문헌에 기재된 공정 조건하에서의 이 문헌에 기재된 필름은 유리 기판에의 접착성의 결핍 및 열등한 두께의 균일성을 보인다. US-B-6 413 845은 적층을 기재하고 있다 (Ni 및 Au층): 그러나 이 공정은 상응하는 레지스트 공정들과 함께 최종 TFT 디스플레이 패널의 제조단가를 증가시키는 다단계 침착을 필요로 한다. 접착 및/또는 캡핑층의 침착은 물리적 증착법(PVD)과 화학적 증착법(CVD) 같은 건식 공정을 사용하도록 제안되어 왔다. 그러나 이러한 건식 공정은 장비의 측면에서 보면 비싼데, 특히 패널 크기에 따라 급속하게 증가하는 도구의 값이 그러하다. 유리 기판의 면적을 증가시키는 핵심적인 이유 중 하나가 제조 단가를 낮추는 것이므로, 이것은 패널 생산자에게 있어 매우 중요해지고 있다. 이에 따라 오늘날에도 여전히 유리 기판에 양호한 접착성을 제공하고 구리층의 캡핑층 침착 공정에 바람직하게 적용될 수 있는, 확산 차단층 침착 단가를 증가시키지 않는 공정을 규정하는, 당업자가 해결해야 하는 문제가 있다.