자성 재료 및 안테나 디바이스 document_id A220623108762

현재의 휴대 통신 단말기에서 사용되는 전파의 주파수 대역은, 100MHz 이상의 고주파 영역이다. 이 때문에, 이 고주파 영역에서 유용한 전자 부품 및 기판이 주목받고 있다. 또한, 휴대 이동체 통신, 위생 통신에서는, GHz대의 고주파 영역의 전파가 사용되고 있다. 이러한 고주파 영역의 전파에 대응하기 위해서는, 전자 부품에서 에너지 손실이나 전송 손실이 작은 것이 필요하다. 예를 들면, 휴대 통신 단말기에 불가결한 안테나 디바이스에서는, 안테나로부터 발생되는 전파는 전송 과정에서 전송 손실이 생긴다. 이 전송 손실은, 열 에너지로서 전자 부품 및 기판 내에서 소비되어 전자 부품에서의 발열의 원인으로 된다. 또한, 전송 손실은 외부에 송신할 전파가 부정된다. 이 때문에, 강력한 전파를 송신할 필요가 있어, 전력의 유효 이용을 저해한다. 또한, 극력 낮은 전파에서의 통신이 기대되고 있다. 고투자율의 절연 기판을 사용하는 고주파 디바이스는, 발생하는 전자파를 기판에 말려들어가게 할 수 있으므로, 전자파가 통신 기기 내의 전자 부품이나 프린트 기판에 도달하는 것을 방지할 수 있다. 즉 전력 절약화가 가능하다. 통상의 고투자율 부재는, Fe, Co를 성분으로 하는 금속 혹은 합금, 그 산화물이다. 금속 혹은 합금의 고투자율 부재는, 전파의 주파수가 높아지면 와전류에 의한 전송 손실이 현저하게 되므로, 기판으로서는 사용하는 것이 곤란하게 된다. 한편, 페라이트로 대표되는 산화물의 자성체를 기판으로서 이용한 경우, 고저항이기 때문에 와전류에 의한 전송 손실은 억제된다. 그러나, 공명 주파수가 수백 MHz이기 때문에, 고주파에서는 공명에 의한 전송 손실이 현저해져 사용이 곤란하게 된다. 이 때문에, 기판의 재료로서, 고주파수의 전파에 대해서도 사용할 수 있는 전송 손실을 극력 억제한 절연성의 고투자율 부재가 요구되고 있다. 이러한 고투자율 부재를 제작하는 시도로서, 스퍼터링법 등의 박막 기술을 이용하여 고투자율 나노그래뉼러 재료가 제작되고 있으며, 고주파 영역에서도 우수한 특성을 나타내는 것이 확인되고 있다. 그러나, 그래뉼러 구조에서는 고저항을 유지한 채로 자성 미립자의 체적 백분율을 향상시키는 것이 곤란하게 된다. 한편, 일본 특허 공개 2004-95937에는 Fe, Co, 또는 Ni의 각각의 순금속 내지는 그들을 적어도 20중량% 함유하는 합금으로 이루어지는 단자구의 기둥 형상 구조체가 산화물, 질화물 또는 불화물 내지는 그들의 혼합물인 무기질의 절연성 모체 내에 매립된 복합 자성 재료가 개시되어 있다.