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유리 시트에서 왜곡을 최소화시키는 방법 document_id A220623108797

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전기전자
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문맥 (context)
액정 디스플레이(LCD)는 외부 광원을 이용하는 비발광형 디스플레이이다. LCD는 상기 외부 광원으로부터 방출되는 입사 편광빔을 조정하기 위해 구성된 장비이다. 상기 LCD 내에서 LC 물질은 상기 입사 편광빔을 선택적으로 회전시켜 빛을 조정한다. 회전 정도는 LC 물질내에서 개별적인 LC 분자들의 기계적인 방향에 상응한다. 상기 LC 물질의 기계적인 방향은 외부 전기장의 적용에 의해 쉽게 조절된다. 이러한 현상은 통상적인 트위스티드 네마틱(TN, twisted nematic) 액정셀을 참조하여 쉽게 이해된다. 통상적인 TN 액정셀은 두 기판들 및 그 사이에 배치된 액정 물질층을 포함한다. 하나에서 다른 곳까지 90°방향된, 편광막들은 상기 기판들의 바깥쪽 표면들상에 배치된다. 상기 입사 편광이 상기 편광막을 통해 통과할 때, 첫 번째 방향(예를 들어, 가로 또는 세로)으로 선형적으로 편극화된다. 전기장이 적용되지 않는 경우, 상기 LC 분자들은 90°나선이 형성된다. 입사 선형적 편광이 상기 액정셀을 횡단할 때, 액정 물질에 의해 90°회전되며 두 번째 방향(예를 들어, 세로, 또는 가로)으로 편극된다. 상기 빛의 편극화가 두 번째 막의 편극화에 맞도록 나선에 의해 회전되기 때문에, 상기 두 번째 편극막은 빛이 통과하게 된다. 전기장이 액정층을 거쳐서 적용될 때, 상기 LC 분자들의 배열은 분열되고 입사 편광은 회전되지 않는다. 따라서, 상기 빛은 상기 두 번째 편광막에 의해 차단된다. 상기 설명된 액정셀은 광 밸브(light valve)로서 기능을 한다. 상기 밸브는 전기장의 적용에 의해 조정된다. 또한 당업자들은 적용된 전기장의 특성에 의존하여 LC 셀이 가변광 감쇠기로서 적용될 수 있음이 이해될 것이다. 능동 매트릭스 LCD(AMLCD)는 통상적으로 매트릭스내에서 전술한 LC 셀들을 수백만 포함한다. AMLCD의 구조에 배면에 기초하여, 기판들의 하나는 색채 필터판을 포함하고 대응하는 기판은 상기 능동판으로서 알려져 있다. 상기 능동판은 각 셀 또는 서브픽셀에 있어서 전기장의 적용을 조정하는데 사용되는 능동 박막 트랜지스터(TFTs)를 포함한다. 상기 박막 트랜지스터는 스퍼터링, CVD, 포토리소그라피, 및 에칭과 같은 통상적인 반도체 타입의 공정들을 이용하여 제조된다. 상기 색채 필터판은 대응하는 능동판의 서브픽셀의 전극 면적과 정밀하게 이상적으로 대응하는 상부에 배치되는 일련의 적색, 청색 및 녹색의 유기 염료들을 포함한다. 따라서, 각 서브-픽셀이 개별적으로 조절가능하기 때문에, 상기 색채판 상에서 각 서브-픽셀은 상기 능동판 상에 배치된 트랜지스터 조절된 전극으로 배열되어야 한다. 각 서브 픽셀을 조절하고 집중하는 하나의 방법은 각 서브 픽셀에서 박막 트랜지스터를 배치시키는 것이다. 전술한 기판 유리의 특성들은 상당히 중요하다. AMLCD 장치들의 제조에 사용되는 유리 기판들의 물리적인 크기들은 타이트하게 조정되어야 한다. 미국특허 제3,338,696호(Dockerty) 및 제3,682,609호(Dockerty)에 설명된 용해 공정은 랩핑(lapping), 그라인딩(grinding), 및 폴리싱(polishing)과 같은, 후-기판 형성 마무리 작업들을 비용적으로 요구하지 않고 기판 유리를 전달할 수 있는 소수의 공정들의 하나이다. 또한, 상기 능동판이 전술한 반도체 타입의 공정들을 이용하여 생산되기 때문에, 기판은 열적이고 화학적으로 안정하여야 한다. 또한, 열적 압축 또는 수축으로 알려진 바와 같이, 열 안정성은 생산 공정의 함수로서 특정한 유리 조성물의 본래의 점성(변형점으로서 지시된 바와 같음) 및 유리 시트의 열 히스토리 모두에 의존한다. 화학적 안정성은 TFT 생산 공정에 사용되는 다양한 에칭제 용액들에 대한 내성을 수반한다. 심지어 더 큰 크기의 디스플레이 크기들에 대한 수요도 있다. 이러한 수요, 및 경제적 규모로 유도되는 잇점들은 더 큰 크기의 기판들을 진행시키기 위해 AMLCD 생산자들에게 유도된다. 합체될 때, 상기 디스플레이를 형성하는데 사용된, 두 기판들 또는 서브-시트들의 각 면 상에서의 성분들은 합체되는 동안 정밀하게 배열되어야 한다. 2% 정도보다 작은 픽셀 부정합도 가시적으로 검출될 수 있고, 따라서 허용불가하다. 불행하게도, 모시트(parent sheet)의 생산동안 유리 시트들로 냉각되어야 하는 스트레스는 모시트가 절단된 후에 서브-시트들의 왜곡을 초래할 것이다. 이러한 왜곡은 시트의 크기가 증가될 때 악화된다. 그러나, 상기 그 이상의 왜곡은 유리 생산자에 의해 생산될 때 모유리에서 쉽게 식별되지 않는다. 필요한 것은 모시트가 절단될 때 개별적인 서브-시트에 의해 나타나는 왜곡에 유리의 모시트 내에서 스트레스를 균등화하는 방법이다. 발명의 요약 본 발명의 구체예는 유리 시트의 왜곡을 절감하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 더욱 쉽게 이해될 것이며, 본 발명의 목적, 특성, 상세한 설명 및 잇점들은 후술하는 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다. 모든 상기 추가적인 시스템, 방법 및 잇점들은 본 상세한 설명에 포함될 것이며, 청구범위에 의해 보호될 것이다. 본 발명의 하나의 구체예에서, 유리 시트의 왜곡을 절감시키는 방법은, 유리 시트 제조 공정에서 유리 시트를 형성하는 단계; 상기 유리 시트에 있어서 복수의 스트레스 데이터를 구하는 단계; 상기 스트레스 데이터로부터 유리 시트에 대한 예상되는 왜곡을 결정하는 단계; 및 상기 예상된 왜곡에 대하여 유리 시트 제조 공정을 변경하는 단계;를 포함한다. 본 발명의 다른 구체예에서, 유리 시트의 왜곡을 절감하는 방법은 유리 생산 공정에서 복수의 에지 세그먼트(edge segment)를 포함하는 유리 시트를 형성하는 단계; 상기 유리 시트에 있어서 복수의 스트레스 데이터(stress data)를 얻는 단계; 상기 유리 시트를 서브-시트(sub-sheet)들로 절단하는 단계; 각 서브-시트에 있어서 대표 왜곡을 결정하는 단계; 각 서브-시트에 있어서의 대표 왜곡으로부터 복수의 서브-시트들의 대표적인 왜곡을 결정하는 단계; 상기 복수의 서브-시트들을 대표하는 왜곡과 상기 스트레스 데이터를 상관시키는 단계; 상기 유리 생산 공정으로부터 형성된 연속 유리 시트에서 왜곡을 예상하기 위해 상기 상관관계를 이용하는 단계; 및 상기 예상된 왜곡에 대하여 유리 제조 공정을 변경시키는 단계;를 포함한다. 또 다른 구체예에 있어서, 유리 시트의 왜곡을 절감시키는 방법은, 유리 생산 공정에서 실질적으로 평면이고 복수의 에지 세그먼트를 포함하는 유리 시트를 형성하는 단계; 각 에지 세그먼트를 따라 스트레스를 측정하는 단계; 상기 유리 시트를 서브-시트들로 절단하는 단계; 각 서브-시트에 있어서 최대 왜곡을 결정하는 단계; 최대 왜곡들의 가장 큰 값을 선택하는 단계; 가장 큰 최대 왜곡 값과 상기 측정된 에지 스트레스 데이터를 상관시키는 단계; 및 유리 생산 공정을 변경하기 위해 상기 상관관계를 이용하는 단계를 포함한다. 본 발명의 또 다른 구체예에 있어서, 유리 시트의 왜곡을 최소화시키는 방법은 유리 생산 공정에서 실질적으로 평면이고 복수의 에지 세그먼트를 포함하는 유리 시트를 형성하는 단계; 각 에지 세그먼트를 따라 스트레스를 측정하는 단계; 상기 유리 시트를 서브-시트들로 절단하는 단계; 각 서브-시트에 있어서 최대 왜곡을 결정하는 단계; 최대 왜곡들의 가장 큰 값을 선택하는 단계; 가장 큰 최대 왜곡 값과 상기 측정된 에지 스트레스 데이터를 상관시키는 단계; 상기 유리 생산 공정으로부터 형성된 연속 유리 시트에서 상기 에지 스트레스를 측정하는 단계; 상기 연속 유리 시트에서 최대 왜곡을 예상하는 단계; 및 상기 예상된 최대 왜곡에 대하여 유리 생산 공정을 변경시키는 단계;를 포함한다. 본 발명의 추가적인 특징 및 잇점들은 후술하는 상세한 설명을 통해 설명될 것이며, 당업자에게는 본 발명을 실시하는데 명백할 것이다. 첨부하는 도면들은 본 발명의 이해를 돕기 위해 제공될 것이며, 본 명세서의 일부로서 구성된다.
지시문 (instruction)
주어진 원문을 읽고 필요한 정보를 파악하여, 원문에 근거해 질문에 답하라.
질문 (question)
AMLCD의 구조에서 능동판에 포함된 능동 박막 트랜지스터(TFTs)는 각 셀 또는 서브픽셀의 무엇을 조정하는 데 사용되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    능동판 내의 능동 박막 트랜지스터(TFTs)가 수행하는 기능적 역할을 묻는 질문이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    AMLCD 구조와 능동판, TFTs 간의 관계를 설명하는 문장을 탐색한다.

    • 상기 능동판은 각 셀 또는 서브픽셀에 있어서 전기장의 적용을 조정하는데 사용되는 능동 박막 트랜지스터(TFTs)를 포함한다.
  3. 3근거 선택evidence_selection

    TFTs의 구체적인 기능이 명시된 구절을 선택한다.

    • 상기 능동판은 각 셀 또는 서브픽셀에 있어서 전기장의 적용을 조정하는데 사용되는 능동 박막 트랜지스터(TFTs)를 포함한다.
  4. 4논리 통합logical_integration

    능동판 구성요소인 TFTs가 각 셀/서브픽셀 단위에서 전기장 적용을 조절한다는 관계를 파악한다.

    • 상기 능동판은 각 셀 또는 서브픽셀에 있어서 전기장의 적용을 조정하는데 사용되는 능동 박막 트랜지스터(TFTs)를 포함한다.
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    TFTs의 역할은 '전기장의 적용을 조정'하는 것이다.

    • 전기장의 적용을 조정하는데 사용되는 능동 박막 트랜지스터(TFTs)
  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대해 문맥에 근거하여 명확하게 답변을 작성한다.

    • 전기장의 적용을 조정
최종 답변 (final_answer)
각 셀 또는 서브픽셀에 있어서 전기장의 적용을 조정하는 데 사용된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
AMLCD의 능동판에 포함된 박막 트랜지스터(TFTs)는 각 셀 또는 서브픽셀에 있어서 전기장의 적용을 조정하는 역할을 한다.