실록산 화합물을 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물 document_id A220623108902

일반적으로, 박막 트랜지스터(TFT)형 액정 표시 소자, 유기 EL(electroluminescent) 소자 등의 디스플레이 소자에 있어서는, 패턴이 형성된 전극 보호막, 평탄화막, 절연막 등이 설치되어 있다. 이들 막을 형성하는 재료로는, 감광성 수지 조성물 중에서도, 필요로 하는 화상을 얻기 위한 공정 수가 적으면서도 충분한 평탄성을 갖는 특성을 갖는 감광성 수지 조성물이 종래부터 폭넓게 사용되고 있다. 또한, 디스플레이 표시 소자의 제작 공정에서 잉크젯을 이용한 풀컬러 표시 기판 제작 기술도 근래 활발히 검토되고 있다. 예를 들어, 액정 표시 소자에서의 컬러 필터 제작에 관해서는, 종래의 인쇄법, 전착법, 염색법 또는 안료 분산법에 대해, 미리 패터닝된 화소를 규정하는 구획(이하 뱅크라 함)을 빛을 차단하는 감광성 수지층으로 형성하고, 이 뱅크로 둘러싸인 개구부 내에 잉크 방울을 적하하는 컬러 필터 및 그 제조 방법(예를 들어, 특허 문헌 1, 특허 문헌 2 및 특허 문헌 3 참조.) 등이 제안되어 있다. 또한 유기 EL 표시 소자에서도 미리 뱅크를 제작하고 마찬가지로 발광층이 되는 잉크를 적하하고, 유기 EL 표시 소자를 제작하는 방법(예를 들어, 특허 문헌 4 참조.)가 제안되어 있다. 그러나 잉크젯 법에서 뱅크에 둘러 싸인 잉크 방울을 적하하는 경우, 뱅크를 넘어 옆 화소로 잉크 방울이 넘치는 사태를 방지하기 위해, 기판에는 친잉크성(친수성)을 갖게 하고, 뱅크 표면에는 발수성을 갖게 할 필요가 있다. 상기 목적을 달성하기 위해, 산소 가스 플라즈마 처리 및 불소 가스 플라즈마 처리 등의 연속적 플라즈마(오존) 처리에 의해, 기판에 친수성을 갖게 하고, 또한 뱅크에는 발수성을 갖게 할 수 있다고 제안되어 있으나(예를 들어, 특허 문헌 5 참조), 공정이 복잡하다. 또한 감광성 유기 박막에 불소계 계면 활성제나 불소계 폴리머를 배합한 제안도 이루어져 있으나(예를 들어, 특허 문헌 6 참조), 상용성이나 첨가량 등, 감광성 뿐만 아니라 도막성도 포함하여 고려해야 할 점이 많아 실용적이라고 말하기는 어려웠다. 그리고, 상술한 이들 막에는 발수성 외에 저유전율, 내열성, 내용제성 등의 프로세스 내성이 우수할 것, 하지와의 밀착성이 양호할 것, 사용 목적에 맞춘 다양한 프로세스 조건에서 화상을 형성 할 수 있는 넓은 프로세스 마진을 가질 것, 나아가 고감도이면서 고투명성일 것 및 현상 후의 막퍼짐이 적을 것 등의 여러 특성이 요구된다. 따라서, 이러한 요구 특성에 의해 종래, 상기의 감광성 수지 조성물로는 나프토퀴논디아지드 화합물을 포함하는 수지가 범용되어 왔다. 그러나, 이러한 감광성 수지 재료의 요구 특성에서, 특히 중요한 특성의 하나로, 감도를 들 수 있다. 감도의 향상은, 디스플레이 소자 등의 공업적인 생산에서, 그 생산 시간의 대폭적인 단축을 가능하게 하므로, 액정 디스플레이의 수요량이 현저히 증대되어 있는 현재의 상황에서는, 감도는 이 종의 감광성 수지 재료에 요구되는 가장 중요한 특성 중 하나가 되어 있다. 따라서, 지금까지도 감광성 수지 재료의 고감도화를 목적으로 몇몇 개발이 이루어져 있다. 예를 들어 알칼리 가용성 수지와 특정의 폴리히드록시 화합물 및 그 유도체의 적어도 하나를 함유하는 감방사선성 수지 조성물이 제안되어 있다(예를 들어, 특허 문헌 7 참조). 한편, 고감도, 고해상도의 감광성 재료로 종래 화학 증폭형 레지스트가 개발되어 있다. 반도체용 레지스트로 개발되어 온 종래의 화학 증폭형 레지스트는, i선 보다 단파장의 광원(KrF, ArF)에도 적응할 수 있고, 보다 미세한 화상 형성이 가능하나, 막 경화에 이용되는 고온 하에서는, 또한 레지스트 박리액의 존재 하에서는, 보호기의 결합부나 에테르 결합의 열가교부가 쉽게 분리되어, 내열성 및 내약품성이 현저히 낮고, 영구막으로 이용하는 것은 거의 불가능하였다(예를 들어, 특허 문헌 8 참조). 또한, 열경화를 가능하게 하기 위해 에폭시류나 아미노플라스트류의 가교계를 화학증폭형 레지스트에 도입하려고 하여도 노광에 의해 레지스트 중의 광산 발생제(PAG)에서 발생한 산의 영향에 의해, 노광부의 가교가 진행되고 미노광부와의 용해 콘트라스트가 소실되는 등의 문제가 새롭게 생기므로, 이러한 가교계의 화학 증폭형 레지스트로의 도입은 곤란하였다. 특허 문헌 1: 일본 특개평 10-206627호 공보 특허 문헌 2: 일본 특개평 11-326625호 공보 특허 문헌 3: 일본 특개평 2000-187111호 공보 특허 문헌 4: 일본 특개평 11-54270호 공보 특허 문헌 5: 일본 특개평 2000-353594호 공보 특허 문헌 6: 일본 특개평 10-197715호 공보 특허 문헌 7: 일본 특개평 4-211255호 공보 특허 문헌 8: 미국 특허 제 5075199호 명세서