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프로세스 챔버에서 기판의 표면 온도를 제어하기 위한 장치및 방법 document_id A220623108982

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문맥 (context)
일반 타입의 장치 및 일반 타입의 방법은 DE 10056029 A1에 개시되어 있다. 상기 문서는 Ⅲ­Ⅴ 반도체 층들을 Ⅲ­Ⅴ 기판들 상에 증착시키기 위한 CVD 반응로를 기술한다. 기판들은 원형-원통형(circular-cylindrical) 디스크들 형태를 갖는 기판 홀더들 상에 놓인다. 이러한 기판 홀더들은 기판 홀더 캐리어 상에서 위성형 장치에 놓인다. 기판 홀더 캐리어는 기판 홀더들을 수용하는 베어링 리세스들을 갖는다. 가스 스트림들은 상기 베어링 리세스들의 바닥으로부터 나와서 부유된 기판 홀더가 가스 쿠션 상에 유지되게 한다. 기판 홀더들은 바닥에 있는 노즐들로부터 나오는 가스 스트림의 대응 방향으로 회전하도록 설정된다. 이러한 CVD 반응로의 경우, 기판 홀더들이 기판 홀더 캐리어에 대하여 회전하는 것만 가능한 것이 아니다. 또한, 기판 홀더 캐리어 그 자체가 자신의 고유축을 중심으로 회전하는 것도 가능하다. 기판 홀더 캐리어 및 유사하게 기판 홀더들은 흑연으로 구성될 수 있다. 본질적으로, 여기에는, 기판 홀더 상에 놓여 있는 기판들의 표면 온도가 기판들의 전체 표면에 걸쳐 일정하게 유지될 필요가 있다. 표면 온도는 고온계에 의해 측정된다. 이를 위해, 기판 홀더 캐리어 맞은편에 위치하는 프로세스 챔버 천장이 개구부를 갖는다. 상기 고온계는 제어 장치에 연결된다. 상기 제어 장치는 먼저 기판의 평균 표면 온도를 결정한다. 이는 특정한 셋포인트 범위 내에 놓기 위하여 의도된다. 기판의 표면 온도를 생성하기 위한 열이 아래로부터 기판 홀더 캐리어를 통해 공급된다. 이를 위해, 기판 홀더 캐리어는 아래로부터 가열된다. 열은 열 복사 및 열 전도 모두에 의하여 동적 가스 쿠션을 형성하는 가스를 거쳐 기판 홀더에 전달된다. 상기 열은 기판 홀더의 하부면으로부터 기판 홀더의 상부면으로 전도되는데, 상기 상부면 상에는 기판이 위치한다. 기판이 자신의 전체 표면 영역과 기판의 표면이 접촉하며 위치하는 것이 이상적인 경우이다. 실제로는, 기판은 종종 기판 홀더 상에서 에지 또는 중심에만 놓인다. 이는 기판의 열적으로 또는 구조적으로 유발된 요곡(warping)의 결과이다. 가스 쿠션을 형성하는 가스 스트림의 유속 변동에 의해, 가스 쿠션의 높이가 영향을 받는다. 상기 높이 설정과 함께, 상기 가스 갭의 열 전도성이 영향을 받는다. 가스 스트림을 변경시킴으로써, 기판으로의 열 전달이 결과적으로 영향을 받는다. DE 10056029 A1에 본질적으로 공지된 상기 방법에 의해, 기판의 평균 표면 온도가 실제로 민감하게 영향받을 수 있다. 표면상 온도의 측면 변동, 즉 온도 불균등성들 및 특히 수평 증감들은 상기 방법에 의해 제약되는 범위까지만 영향받을 수 있다. DE 101 33 914 A1은 다수의 기판 홀더들이 기판 홀더 캐리어의 컵형 리세스들 내에 위치하게 되는, 기판들 상에 층들을 증착시키기 위한 장치를 개시한다. 상기 기판 홀더들은 가스 쿠션에 의해 각각 운반된다. 물질을 증착시키기 위한 온도를 제어하는 방법이 이미 DE 696 29 980 T2에 공지되어 있다. 기판은 냉각 블록 위에 위치한다. 기판 및 상기 냉각 블록 사이에는 갭이 있으며, 상기 갭에는 상이한 열 전도성들의 가스들이 흐른다. DE 691 17 824 T2는 아르곤 및 할로겐의 혼합물이 기판의 후면에 흐르게 되는 방법을 개시한다. US 5,683,759는 다결정 다이아몬드들을 기판 상에 증착시키는 방법을 개시하는데, 이때 기판 홀더는 다양한 깊이들의 환상 그루브들을 갖는다. WO 2005/121417 A1은 기판들이 회전 가능한 기판 홀더 상에 놓이게 되는 CVD 장치를 개시한다. 상기 기판 홀더는 가스 쿠션 상에 놓인다.
지시문 (instruction)
주어진 원문을 읽고 필요한 정보를 파악하여, 원문에 근거해 질문에 답하라.
질문 (question)
DE 10056029 A1에 개시된 장치에서 기판 홀더가 가스 쿠션 상에 유지될 수 있도록 하는 구성요소 간의 관계와 작동 방식은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    기판 홀더가 가스 쿠션에 의해 부유 상태를 유지하게 만드는 구성요소들의 관계와 그 메커니즘을 파악한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    기판 홀더의 위치, 이를 수용하는 캐리어, 가스를 공급하는 위치를 추출한다.

    • 기판들은 원형-원통형(circular-cylindrical) 디스크들 형태를 갖는 기판 홀더들 상에 놓인다.
    • 이러한 기판 홀더들은 기판 홀더 캐리어 상에서 위성형 장치에 놓인다.
    • 기판 홀더 캐리어는 기판 홀더들을 수용하는 베어링 리세스들을 갖는다.
  3. 3근거 선택evidence_selection

    가스 스트림이 발생하는 지점과 그로 인한 효과를 연결한다.

    • 가스 스트림들은 상기 베어링 리세스들의 바닥으로부터 나와서 부유된 기판 홀더가 가스 쿠션 상에 유지되게 한다.
  4. 4논리 통합logical_integration

    기판 홀더 캐리어의 베어링 리세스 바닥에서 가스 스트림이 분출되어 기판 홀더를 떠받치는 구조임을 통합한다.

    • 가스 스트림들은 상기 베어링 리세스들의 바닥으로부터 나와서 부유된 기판 홀더가 가스 쿠션 상에 유지되게 한다.
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    구성요소 간의 인과관계를 정리하여 답변을 도출한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대해 명확한 작동 방식을 기술한다.

    • 가스 스트림들은 상기 베어링 리세스들의 바닥으로부터 나와서 부유된 기판 홀더가 가스 쿠션 상에 유지되게 한다.
최종 답변 (final_answer)
기판 홀더는 기판 홀더 캐리어의 베어링 리세스 내에 위치하며, 해당 베어링 리세스들의 바닥으로부터 나오는 가스 스트림에 의해 형성된 가스 쿠션 상에 부유된 상태로 유지된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
기판 홀더 캐리어의 구조적 특징(베어링 리세스)과 가스 공급 위치(리세스 바닥)가 결합하여 기판 홀더를 부유시키는 메커니즘이다.