에사키 레오나 document_id A220623201550

<heading>인물 </heading> 오사카부 나카카와치군 다카이다촌(현: 히가시오사카시)에서 태어나 교토부 교토시에서 자랐다. 1947년에 도쿄 제국대학을 졸업한 뒤 가와니시 기계제작소(후의 고베 공업 주식회사, 현재의 후지쯔텐)에 입사, 진공관 음극에서의 열전자 방출에 대한 연구를 하다가 1956년에 도쿄통신공업주식회사(현재의 소니)로 직장을 옮겼다. 반도체 연구실의 주임 연구원으로서 PN 접합 다이오드의 연구에 착수하고 약 1년 간의 시행착오를 거쳐 게르마늄의 PN 접합폭을 줄이면 그 전류 전압 특성에 터널 효과에 의한 영향이 지배적으로 나타나고 전압을 크게 할수록 반대로 전류가 감소하는 부성 저항이 나타난다는 것을 발견했다. 발견의 전말에 대해서는 당시 도쿄통신공업이 제조한 게르마늄 트랜지스터의 불량품을 분석하다가 우연히 터널 효과를 지닌 트랜지스터(제품으로는 쓸모가 없음)를 찾은 것이 발견의 계기가 됐다는 사실이 훗날 NHK 스페셜 ‘전자입국 일본의 자서전’에서 당시 관계자에 의해 기록돼 있다. 이 발견은 물리학에 있어서 고체의 터널 효과를 최초로 실증한 사례이자 전자공학에서는 터널 다이오드(일명 ‘에사키 다이오드’)라는 새로운 전자 부품의 탄생이었다. 이러한 성과에 힘입어 1959년에 도쿄 대학에서 박사학위를 받았다. 1973년에는 초전도체 내에서의 똑같은 터널 효과로 공적을 세운 이바르 예베르와 함께 노벨 물리학상을 수상했다. 그 해의 물리학상은 조지프슨 효과를 발견한 브라이언 데이비드 조지프슨에게도 돌아갔다. 2000년에는 당시 내각총리대신이던 오부치 게이조의 요청에 따라 교육개혁국민회의의 좌장으로 취임했다. 총 13차례에 걸친 전체 회의 등을 통해서 ‘교육을 바꾸는 17가지 제언’을 골자로 하는 최종 보고서를 올렸다. 2003년에 나노 기술 분야의 업적을 선정하는 과학상으로서 ‘에사키 레오나상’이 제정돼 그 상의 선정위원장으로 부임했다. 그 외에도 일본 학술진흥회상, 오키나와 평화상 등의 선정위원도 맡고 있다. 현재 생존하고 있는 일본인 노벨상 수상자로서는 유일하게 1970년대 이전의 수상자였다. 또한 1981년 9월에 유카와 히데키가 사망한 뒤 같은 해 후쿠이 겐이치의 수상이 결정되기까지는 에사키가 유일하게 생존한 일본인 노벨상 수상자였다. 2015년에 난부 요이치로가 사망한 이후로는 최고령 일본인 노벨상 수상자이기도 하다. <heading>발언 </heading> 1994년 여름에 개최된 Lindau Nobel Laureate Meetings에서 에사키는 ‘노벨상을 타기 위하여 해서는 안되는 5가지’의 목록을 제시했다. 구체적인 내용은 다음과 같다. 2000년, 교육개혁국민회의 위원으로서 다음과 같은 발언을 했다. 1974년 3월, 방한 당시 기자회견에서 이렇게 말했다.