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반도체업계, HBM 8개・하이브리드 패키징 개발 임박 document_id A220623211253

분류
IT_과학
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문맥 (context)
삼성전자와 SK하이닉스가 반도체 미세화의 한계를 뛰어넘는 차세대 패키징 기술에 승부수를 던졌다. 삼성전자는 고대역폭 메모리(HBM)를 8개까지 탑재하는 패키징 기술 개발을 눈앞에 뒀다. 첨단 패키징 기술인 2.5차원(2.5D)과 3차원(3D) 패키징 기술을 융합한 3.5차원(3.5D) 패키징 양산도 임박했다. SK하이닉스는 2025년께 패키징 간격을 최소화, 성능을 극대화할 수 있는 '하이브리드 본딩'을 양산할 방침이다.\n\n전자신문사와 한국반도체연구조합, 차세대지능형반도체사업단, 한국PCB&반도체패키징산업협회 공동 주최로 7일 개최된 '반도체 패키징데이 2022'에서 오경석 삼성전자 TSP 총괄 패키지 설계팀장(부사장)은 “HBM을 2개, 4개를 탑재한 패키징을 양산한 데 이어 HBM을 8개 적용하는 패키징 기술을 곧 완료할 예정”이라고 밝혔다.\n\nHBM은 D램을 쌓아 데이터 처리 속도를 획기적으로 개선한 메모리다. 메모리 적층 난도가 높아 차세대 패키징 기술로 꼽힌다. 삼성전자는 지난해 4개의 HBM을 하나의 패키징으로 구현한 '아이큐브'를 개발했다. 지난해 말에는 HBM을 6개 탑재한 '에이치큐브' 기술도 확보했다. 삼성전자는 HBM 탑재 수를 늘려 메모리 성능을 고도화한다. HBM 패키징 수요가 높은 고성능컴퓨팅(HPC)과 인공지능(AI) 시장 공략 속도를 높일 예정이다.\n\n삼성전자는 차세대 기술인 3.5D 패키징도 준비한다. 오 부사장은 “2.5D 패키지와 3D 패키지를 융합한 3.5D 패키징도 개발 중”이라고 밝혔다. 2.5D 패키징은 실리콘관통전극(TSV)으로 칩과 칩을 수직 연결하는 기술이다. 수평 배치된 칩은 실리콘 인터포저로 연결한다. 삼성전자 에이치큐브가 대표적인 2.5D 패키징이다. 삼성전자가 양산을 앞둔 3.5D 패키징은 2.5D 기술에 웨이퍼 상태에서 칩을 여러 개 쌓는 3D 패키징을 융합했다. 삼성전자가 3.5D 패키징 양산에 들어가면 차세대 패키징 시장 주도권을 선점할 수 있을 것으로 전망된다.\n\nSK하이닉스는 차세대 패키징 핵심 기술인 '하이브리드 본딩'을 이르면 2025년에 양산한다. 하이브리드 본딩은 칩과 웨이퍼를 구리와 구리 직접 연결로 배선 길이를 최소화한다. 시스템 성능을 향상시키고 전력 효율을 높일 수 있어 미래 3D 패키징 핵심 기술로 급부상했다. 후공정보다 전공정 팹에서 적용할 수 있기 때문에 뛰어난 반도체 제조 기술이 요구된다. 문기일 SK하이닉스 PKG 기술개발담당(부사장)은 “SK하이닉스에서도 (하이브리드 본딩 관련) 기술 개발에 집중하고 있고, 실제로 의미있는 수율을 확보한 상황”이라면서 “2025~2026년에는 상용화할 것”이라고 밝혔다.\n\n국내 대표 반도체 제조사가 차세대 패키징 기술 개발에 속도를 높이는 건 반도체 회로 미세화에 한계가 있기 때문이다. 회로 선폭이 줄어드는 속도가 늦어지고 비약적인 반도체 성능 개선도 더딘 상황에서 패키징으로 반도체 공정 한계를 돌파하겠다는 의지다. TSMC와 인텔 등 경쟁사도 차세대 패키징 기술에 집중 투자하는 만큼 기술 개발 속도를 높여 경쟁 우위를 차지하려는 포석이다.\n\n국내 언론 최초로 개최한 반도체 후공정 전문 콘퍼런스 '반도체 패키징 데이'는 삼성전자와 SK하이닉스 외 SFA반도체, 하나마이크론, 네패스, ISC, 차세대지능형반도체사업단에서 참여해 미래 패키징 기술 인사이트를 공유했다. 300여명이 콘퍼런스에 등록, 패키징 기술과 산업 변화 주제에 뜨거운 관심을 보였다.\n\n권동준기자 djkwon@etnews.com
지시문 (instruction)
주어진 원문을 읽고 필요한 정보를 파악하여, 원문에 근거해 질문에 답하라.
질문 (question)
삼성전자와 SK하이닉스가 반도체 회로 미세화의 한계를 극복하기 위해 차세대 패키징 기술 개발에 집중하는 이유는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    국내 반도체 제조사들이 차세대 패키징 기술 개발에 속도를 내는 근본적인 원인과 배경을 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    반도체 공정의 현재 상황과 기술 개발의 목적을 추출한다.

    • 반도체 회로 미세화에 한계가 있기 때문이다.
    • 회로 선폭이 줄어드는 속도가 늦어지고 비약적인 반도체 성능 개선도 더딘 상황에서 패키징으로 반도체 공정 한계를 돌파하겠다는 의지다.
  3. 3근거 선택evidence_selection

    기술 개발의 직접적인 원인인 미세화 한계와 경쟁 상황을 선별한다.

    • 회로 선폭이 줄어드는 속도가 늦어지고 비약적인 반도체 성능 개선도 더딘 상황
    • TSMC와 인텔 등 경쟁사도 차세대 패키징 기술에 집중 투자하는 만큼 기술 개발 속도를 높여 경쟁 우위를 차지하려는 포석이다.
  4. 4논리 통합logical_integration

    미세화 한계로 인한 성능 개선 정체와 글로벌 경쟁사들의 투자 상황을 연결하여 결론을 도출한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    공정 한계 돌파와 경쟁 우위 확보라는 두 가지 측면에서 답변을 구성한다.

    • 패키징으로 반도체 공정 한계를 돌파하겠다는 의지
    • 경쟁 우위를 차지하려는 포석
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 근거를 바탕으로 질문에 대한 완성된 문장을 작성한다.

    • 회로 선폭이 줄어드는 속도가 늦어지고 비약적인 반도체 성능 개선도 더딘 상황에서 패키징으로 반도체 공정 한계를 돌파하겠다는 의지다. TSMC와 인텔 등 경쟁사도 차세대 패키징 기술에 집중 투자하는 만큼 기술 개발 속도를 높여 경쟁 우위를 차지하려는 포석이다.
최종 답변 (final_answer)
반도체 회로 미세화의 한계로 인해 회로 선폭이 줄어드는 속도가 늦어지고 성능 개선이 더뎌진 상황에서, 패키징 기술을 통해 반도체 공정의 한계를 돌파하고 TSMC와 인텔 등 경쟁사들 사이에서 기술적 경쟁 우위를 차지하기 위해서이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
삼성전자와 SK하이닉스가 반도체 회로 미세화의 한계를 극복하고 경쟁 우위를 차지하기 위해 차세대 패키징 기술 개발에 집중하고 있다.