2중 스택 전력 접합 전계 효과 트랜지스터 document_id 1019850004032

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기채널과 공통드리프트영역은 한전도성형의 것이고, 제1스택의 채널에 접속되는 제1주단자 수단과, 제2스택의 채널에 접속되는 제2주단자수단과, 제1스택의 다른 전도성형의 층에 접속되는 제1게이트단자 수단과, 제2스택의 다른전도성형의 층에 접속되는 제2게이트단자 수단과, 오프상태의 소멸을 일으키게 층간의 접합부터 확산하는 공핍영역과 온상태를 가능하게 하도록 층간의 접합쪽으로 축소하는 공핍영역가지는 것. [청구항 3] 제2항에 있어서,공통드리프트영역의 전계성형수단은 접합의 작용면적이동되는 것. [청구항 4] 제3항에 있어서,전계형성수단은 전계선의 밀어닥치는 경사만곡을 감소하고, 공통드리프트영역의 전계선을 똑바르게하기 위하여 다른전도성형의 하나 또는 그 이상의 영역을 가지고 그것에 의하여 저지하는 전압능력증대하는 것. [청구항 5] 제4항에 있어서,전계형성수단은 하나 또는 그 이상의 유동하는 공핍영역가지는 것. [청구항 6] 제2항에 있어서,상기jfet는 통상적으로 오프이고 스택의 다른 전도성형의 층부터의 공핍영역은 통상적으로 게이트단자수단의 바이어스의 결여에서 채널의 서로에 확장하고 또한 만나고, 상기 채널은 통상적으로 소멸되고 상기 jfet는 제1 및 제2게이트단자 수단을 바이어스하는 것에 의하여 커져서 공핍영역을 축소하고 그들간의 채널을 전도성으로 열이 전류가주단자수단간에흐를수있는 것. [청구항 7] 제2항에 있어서,통상적으로 온이고, 스택의 다른 전도성 형의 층부터의 공핍영역은 통상적으로 부분적으로만 서로에 향하여 확장하여 그들간의 채널을 전도성으로 열게하고 전류가 주단자수단간에 흐르게되고, jfet는 제1 및 제2게이트단자수단을 바이어스하는 것에 의하여 꺼지고 상기 공핍영역은 확장하고 채널소멸되는 것. [청구항 8] 제2항에 있어서,전류는 층의 퇴적방향에 수직의 방향에서 공통 드리프트영역을 통하여 또한 채널흐르는 것. [청구항 9] 제8항에 있어서,전류는 공통드리프트영역을 통하여 또한 채널을 통하여 수평으로 흐르고 여기에서 층은 수직퇴적되는 것. [청구항 10] 제9항에 있어서,그들간의 전계선을 똑바르게하기 위하여 공통드리프트영역에 대향된 다른 전도성형의 공핍영역을 수직으로 형성하는 전계가지는 것. [청구항 12] 제11항에 있어서,스택의 층은 수평으로 길이방향으로 옆으로 연장하고 스택의 방향은 수직연장하는 것. [청구항 14] 제13항에 있어서,제1주단자수단은 제1스택의 층들에 접촉하고, 건너가서 연장하는 한전도성 형의반도체 물질의 제1주단자수단과 제1주단자층에 접촉하는 제1주전극을 가지고 제1게이트단자수단은 제1스택의 층들에 접촉하고 건너서 연장하는 다른 전도성형의 반도체 물질의 제1게이트층과 제1게이트층에 접촉하는 제1게이트전극을 가지고 제2주단자수단은 제2스택의 층들에 접촉하고 건너서 연장하는 한 전도성형의 반도체 물질의 제2주단자층과, 제2주단자층에 접촉하는 제2주전극을 가지고 제2게이트단자수단은 제2스택의 층에 접촉하고 건너서 연장하는 다른 전도성형의 반도체물질의 제2게이트층과 제2게이트층에 접촉하는 제2게이트 전극가지는 것. [청구항 15] 제4항에 있어서,제1주단자층과 제1게이트층은 그들간의 접합을 형성하는 공유영역에 따라 접촉되고 그들을 건너가는 순방향 전압강하를 가진 최후에 언급된 접합을 제1스택의 층간의 접합의 단락을 방지하는데 충분하여 공핍영역이 온상태를 가능하게 하는 최후에 언급된 접합쪽으로 축소하는 것이 가능하게 최후에 언급된 접합을 건너가는 충분한 전압차를 보장하고, 제1주전극과 제1게이트전극은 간격을 떼고, 화학적으로 분리되고, 제2주단자층과 제2게이트층은 그들간의 접압을 형성하는 공유영역에 따라 접촉하고, 그들을 건너가는 순방향전압 강하를 가진 최후에 언급된 접합은 제2스택의 층간의 접합의 단락을 방지하는데 충분하고 공핍영역이 온상태를 가능하게 하는 최후에 언급된 접합쪽으로 축소하는 것이 가능하게 최후에 언급된 접합을 건너가는 충분한 전압차를 보장하고, 제2주전극과 제2게이트전극은 간격을 떼고 화학적분리되는 것. [청구항 16] 제13항에 있어서,그들간의 전계선을 똑바르게 하기 위하여 공통드리프트영역에 수직으로 대향된 다른 전도성형의 공핍영역을 형성하는 전계가지는 것. [청구항 17] 제13항에 있어서,스택의 방향이 수직으로 연장하게 수평으로 길이방향으로 또한 옆으로 연장된 스택의 층이 제1스택으로 수직적으로 노치된 제1홈과, 제2스택으로 수직적으로 노치된 제2홈과를 가지고, 여기에서 제1주단자 수단은 제1홈안에 있고, 제1게이트단자수단은 제1홈안에 있고, 제2주 단자수단은 제2홈안에 있고, 제2게이트 단자수단은 제2홈안에 있는 것. [청구항 18] 제17항에 있어서,제1주단자수단이 제1스택의 층에 접촉하게 그것의 제1부분의 제1홈의 내부면에 따라 연장하는 한전도성 형의 반도체물질의 제1주단자층과 제1주단자층에 접촉하는 제1주 전극을 가지고 제1게이트단자수단이 제1스택의 층에 접촉하게 그것의 제2부분의 제1홈의 내부면에 따라 연장하는 다른전도성형의 반도체물질의 제1게이트층과, 제1게이트층에 접촉하는 제1게이트전극과를 가지고, 제2주단자수단이 제2스택의 층에 접촉하게 그것의 제1부분의 제2홈의 내부면에 따라 연장하는 한 전도성 형의 반도체 물질의 제2주단자층과, 제2주단자층에 접촉하는 제2주전극과를 가지고 제2게이트단자수단이 제2스택의 층에 접촉하게 그것의 제2부분의 제2홈의 내부면에 따라 연장하는 다른 전도성 형의 반도체물질의 2게이트층과 제2게이트층에 접촉하는 제2게이트전극가지는 것. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기홈은 그들의 위의 각각의 층을 통하여 가장 저부의 층으로 또한 그의 각각의 스택으로 아래쪽연장하는 것. [청구항 20] 제18항에 있어서,스택의 바닥층과 수평적으로 동일면의 공통드리프트영역에서 다른 전도성형의 공핍영역을 형성하는 전계의 하부열과, 스택의 정부층과 수평적으로 동일면의 공통드리프트영역에서 다른 전동성형의 공핍영역을 형성하는 전계의 상부열과를 가지고 공핍영역의 상부 및 저부열이 방해하는 전압능력을 증대하고 밀어닥치는 경사의 만곡을 감소하게 그들간의 전계선하는 것.