노치된 다중 채널 스택을 가진 옆으로의 양방향 전력 전계 효과 트랜지스터 document_id 1019850004039

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 소오스영역은 한 전도성 형의 반도체물질이고, 채널함유영역은 반대전도성 형의 반도체 물질이고, 소오스영역과 접합을 형성하고, 드리프트영역은 한전도성 형의 반도체물질이고, 제1스택의 채널함유영역과 제1접합을 형성하고, 제2스택의 채널함유 영역과 제2접합을 형성하고, 게이트수단이 채널의 바로앞에 배치되고 채널의 전도성의 형을 역전하게 충분한 세기의 전계를 제공하기 위하여 전위의 적용이 적용되고, 그것에 의하여 제2스택의 주어진 소오스영역에 상대적인, 제1스택의 주어진 소오스영역에 대한 어느 구성의 전압의 응용시에, 전류가 게이트수단의 전위의 제어하에 드리프트영역과 채널을 통하여 그들간의 각기 대응하는방향에흐를수있는 것. [청구항 3] 제2항에 있어서,제1주전극이 드리프트영역에 말초적으로 대향하는 제1스택의 소오스영역에 접속되어, 전류가 온상태에서 제1주전극과 드리프트영역간에 제1스택의 삽입된 채널과 소오스영역의 각각을 통하여 흐르고 제2주전극이 드리프트영역에 말초적으로 대향하는 제2스택의 소오스영역에 접속되어 온상태에서 전류가 제2주전극과 드리프트영역간에 제2스택의 삽입된 채널과 소오스영역의 각각흐르는 것. [청구항 4] 제3항에 있어서,채널함유영역과 소오스영역의 제1 및 제2스택을 분리하고, 그 사이에 연장하고, 드리프트 영역으로 연장하는 노치수단가지는 것. [청구항 5] 제4항에 있어서,제1스택이 수직으로 적층된 수평의 층들을 옆으로 연장하는 다수의 교번의 전도성의 형을 가지고, 제2스택이 수직으로 적층된 수평의 층을 옆으로 연장하는 다수의 교번의 전도성의 형을 가지고, 제1주전극이 제1스택의 정부소오스영역에 접속되고, 제2주전극이 제2스택의 정부소오스영역에 접속되고, 제1스택의 채널함유영역이 그들간의 노치수단에 의하여 제2스택의 채널함유영역부터 옆으로 간격을 떼고, 노치수단이 fet의 정부주면부터 하방으로 연장하고, 채널이 노치수단의 각각의 측에 따라 일반적으로 수직으로 연장하고, 드리프트영역이 노치수단의 바닥주위의 채널밑에 있는 것. [청구항 6] 제5항에 있어서,주전극간의 전류통로는 각기 정부소오스영역부터 노치수단의 측에 따라 그 밑의 채널을 통하여 하방으로, 그때 다음소오스영역을 통하여 하방으로 그때 다음채널을 통하여 하방으로 동등하여, 그때 노치수단의 바닥에 하방으로 또한 주위에, 다음 노치수단의 다른측에 교번의 채널과 소오스영역을 통하여 연속적으로 상방연장하는 것. [청구항 8] 제7항에 있어서,드리프트영역으로 연장하고, 제1 및 제2스택을 분리하고, 그 사이에 연장하는 노치를 가지고 전도채널을 유도하게 충분한 세기의 전계를 제공하기 위한 전위의 적용을 위하여 적용되고, 채널함유영역 바로앞의 노치에 절연된 게이트전극수단을 가진 게이트수단을 가지고, 제2스택의 일단의 소오스영역에 상대적인 제1스택의 일단의 소오스영역에 어느 구성의 전압의 적용시에 전류가 게이트수단의 전위의 제어하에 그들 사이의 각기 대응하는 방향에서 흐를수가 있고, 전도성의 전류통로가 연속적으로 노치의 한측에 따라 한 스택의 층들을 통하여 그때 노치의 끝 주위의 드리프트 영역을 통하여 그때 연속적으로 노치의 다른측에 따라 다른 스택의 층들관통하는 것. [청구항 9] 제8항스택의 층들은 옆으로 수평으로 연장하고, 적층의 방향은 수직이고, 스택은 그들간의 노치에 의하여 옆으로 간격을 떼고 노치는 fet의 정부주면부터 드리프트영역으로 하방으로 연장하고, 드리프트영역은 스택의밑에 있는 것. [청구항 10] 제9항에 있어서,제1스택의 일단의 소오스영역이 정부에 있고, 제2스택의 일단의 소오스영역이 정부주면에 따라 제2스택의 정부에 있고, 정부소오스영역이 그들간의 노치에 의하여 정부주면에 따라 옆으로 간격을 떼고, 제1스택의 타단의 채널함유영역이 드리프트 영역과 접합을 형성하는 제1스택의 바닥에 있고, 제2스택의 타단의 채널함유영역이 드리프트영역과 접합을 형성하는 제2스택의 바닥에 있고, 바닥채널함유 영역이 그들간의 노치에 의하여 옆분리되는 것. [청구항 11] 제10항에 있어서,제1주전극이 제1스택의 정부소오스영역에 접속되고, 제2주전극이 제2스택의 정부소오스 영역에 접속되고, 게이트수단이 노치의 내부면에 따라 연장하는 절연층 수단과 절연층수단에 따라 노치에 배치된 게이트전극수단과를 가지고, 게이트전극수단이 스택의 층들에 따라 바로 앞에 연장하고 그들부터 전기적절연되어 있는 것. [청구항 12] 제11항에 있어서,유도된 전도채널이 노치의 측에 따라 일반적으로 수직연장하는 것. [청구항 13] 제12항에 있어서,제1게이트관계단자수단이 제1스택의 다른 전도성형의 채널함유영역에 접속되고, 제2게이트관계단자 수단이 제2스택의 다른 전도성 형의 채널함유영역접속되는 것. [청구항 14] 제13항에 있어서,제1게이트관계 단자수단이 제1스택의 층들에 접촉하고 건너서 연장하는 반대전도성의 형의 반도체물질의 제1게이트 관계층과 제1게이트 관계층에 접촉하는 제1게이트관계 전극을 가지고, 제2게이트관계 단자수단이 제2스택의 층들에 접촉하고 건너서 연장하는 반대전도성의 형의 반도체물질의 제2게이트관계층과 제2게이트관계층에 접촉하는 제2게이트관계 전극가지는 것. [청구항 15] 제14항에 있어서,제1스택으로 수직으로 노치된 제1게이트관계홈과 제2스택으로 수직으로 노치된 제2게이트관계홈과를 가지고, 제1게이트관계 단자수단이 제1게이트관계홈에 있고 제2게이트관계 단자수단이 제2게이트관계홈에 있는 것.