전계 성형을 갖는 양방향 전력 전계 효과 트랜지스터(FET) document_id 1019850004936

[청구항 2] 제1항에 있어서,채널대역이 노치수단 횡측공간에 형성되고, 노치수단은 fet의 상부 주표면으로 부터 하방향으로 전개되며, 유동대역이 채널대역 하부와 노치수단위 바닥주변에 존재하며 전계형성대역이 유동대역 하부위치하는양방향 전계효과 트랜지스터. [청구항 3] 제2항에 있어서,소오스대역이 노치수단들 사이의 상부주표면을 따라 횡측공간으로 형성되며, 소오스대역이 각개 채널대역 상부에 위치하고 채널대역이 이들 노치수단의 각개 측면을 따라 일시적으로 수직방향전개되는양방향 전계효과 트랜지스터. [청구항 4] 제3항에 있어서,각개 소오스대역과 채널대역에 각각 연결된 1개쌍의 주전극을 포함하며 또 이때 절연 게이트수단이 노치수단의 내면을 따라 전개되는 절연층 수단으로 구성되며, 또 게이트 전극수단이 제1수직 채널대역을 따라 근접 위치되고 또 절연될 수 있도록 이 절연층을 따라 노치수단 내부에 게이트 전극수단위치시킨양방향 전계효과 트랜지스터. [청구항 5] 제4항에 있어서,게이트 전극수단이 제1 채널대역에 근접한 노치내의 제1 게이트전극과 제2 채널대역에 근접한 노치내의 제2 게이트전극을 포함하는 분할전극구성되는양방향 전계효과 트랜지스터. [청구항 6] 제1항에 있어서,의 폐쇄장치기간 중에 제1 채널대역과 유동대역간의 접합면이 1개 주전극으로 흐르는 전류를 분쇄하고, 또 유동대역과 제2 채널대역간의 접합면이 다른 1개 주전극으로 흐르는 전류를 봉홰하며 또 전계성형대역에 이들 주전극과 거?? 동이한 전위를 부여하기 위한 수단구성쇠는양방향 전계효과 트랜지스터. [청구항 7] 제6항에 있어서,전계성형대역에 주전극과 동일한 전위를 부여하는 수단이, 1개 주전극과 전계성형대역간을 연결하는 제1 다이오우드수단과 다른 1개의 주전극과 전계성형대역간을 연결한 제2 다이오우드수단으로 구성되며, 이들 다이오우드수단이 이들 주전극 사이에 직렬연결된 전계성형대역과 함께 양측으로 이들주전극 사이직렬연결되는양방향 전계효과 트랜지스터. [청구항 8] 제7항에 있어서,이들 주전극을 교류부하전건에 연결시킬 수 있으며, 이들 게이트수단을 게이트전위 소오스수단에 연결시킬 수 있음으로서, 이 교류전선의 제1 반쪽사이클기간 중에는 게이트수단이 1개 주전극에 대해 정의 전압을 가지며, 또 이 교류전선의 제2의 반쪽사이클기간 중에는 게이트수단이 다른 1개의 주전극에 대해 정의 전압을 갖고 ,이 교류전선의 제 1 반쪽 사이클기간 중에는 전류가 다른 1개의 주전극 으로 부터 제2 소오스대역, 제2 채널대역, 노치수단 바닥주변의 유동대역, 제1 채널대역, 제1 소오스대역을 통해 1개의 주전극으로 흐르며, 또 교류전선의 제2반쪽 사이클기간 중에는 전류가 1개의 주전극으로 부터 제1소오스 대역, 제1채널대역, 노치수단 바닥주변의 유동대역, 제2 채널대역, 제2 소오스대역을 통해 다른 1개의 주전극되는양방향 전계효과 트랜지스터. [청구항 9] 제8항에 있어서,교류전선의 제1 반쪽사이클기간 중에 전류가 제2 채널대역과 유동대역 사이에 위치하는 전방 바이어스 접합면을 가로질러서 다른 1개의 전극으로부터 순간적으로 흐르며 또 이어 이 전류가 제1 채널영역을 통해 제1 소오스대역과 1개의 주전극을 향해 흐르고, 이때 이 게이트수단에 대한 전방 바이어스 접합면을 가로지른 유동대역에서의 전위강하로 인하여 게이트수단이 주어진 극성 캐리어를 제2채널대역으로 끌어모아서 이 제2 채널대역을 1개 전도형태로 전환시킴으로서 이 제1의 반쪽사이클기간 중의 주전류통로가 다른 1개의 주전극으로 부터 제2 소오스대역, 제2 채널대역, 노치수단 바닥주변의 유동대역 제1 채널대역, 제1소오스대역을 통해 1개의 주전극을 따라 형성되며, 또 교류전선의 제2 반쪽사이클기간 중에 전류가 제1 채널대역과 유동대역 사이에 위치하는 전방 바이어스 접합면을 가로질러서 1개의 주전극으로 부터 순각적으로 흐르며, 또 이어 이 전류가 제2 채널대역을 통해 제2 소오스대역과 다른 1개의 주전극을 향해 흐르고, 이때 이 게이트수단에 대해 마지막으로 언급된 전방 바이어스 접합면을 가로지는 유동대역에서의 전위강하로 인하여 게이트수단이 주어진 극성 캐리어를 제1 채널대역으로 끌어모아서 제1채널대역을 1개 전도형태로 전환시킴으로서 이 제2의 반쪽 사이클기간 중의 주전류통로가 1개의 주전극으로부터 제1 소오스대역, 제1 채널대역, 노치수단 바닥주변의 유동대역, 제2 채널대역, 제2 소오스대역을 통해 다른1개의주전극따라형성되는양방향 전계효과 트랜지스터. [청구항 10] 제9항에 있어서,게이트수단이 제1 채널대역에 근접되게 노치수단 내에 설치한 제1 게이트 전극과 제2 채널대역에 근접되게 노치수단 내에 설치한 제2 게이트 전극으로 구성되며, 이 제1 및 제2 게이트 전극을 제1 게이트전극이 교류전선의 제1 반쪽사이클기간 중에 제1 주전극에 대해 정의 전압을 갖고 또 제2 게이트 전극이 교류전선의 제2 반쪽사이클기간중에 제2 주전극에 대해 정의 전압을 갖게끔게이트전원연결시킬수있는양방향 전계효과 트랜지스터. [청구항 11] 제10항에 있어서,제1 게이트전극이 폐쇄상태에서 제1 주전극과 관계를 맺을 수 있으며 또 제2 게이트전극이 폐쇄상태에서제2주전극과관계맺을수있는양방향 전계효과 트랜지스터. [청구항 12] 제11항에 있어서,노치수단이 모서리를 따른 유동 대역부위를 게이트전극에 의한 전계경도로 부터 노치수단의 반대쪽 모서리를 따라 차폐시키며 또 폐쇄기간 중의 유동대역에 바람직하지 못한 전도채널의 생성을 방지하기 위해서 제1 및 제2 게이트 전극 사이를 절연시킨 차폐수단을 이 노치수단 내포함하는양방향 전계효과 트랜지스터. [청구항 13] 제12항에 있어서,차폐수단들이 주전극 각각과 관계를 맺을 수 있는 상태, 즉 폐쇄상태에서 제1 반쪽 사이클 기간 중에 제2 채널대역과 유동대역 간의 접합면이 전방 바이어스되어 유동대역 내의 전위가 제2 주전극에서의 전위와 거의 동일하고, 제1 게이트전극의 전위가 제1 주전극과 동일하며, 차폐수단이 제2주전극의 전위를 갖고 있고, 이 차폐수단이 제2 채널대역 하부에 노치수단 모서리를 따라 제1 게이트전극과 유동대역 사이에 위치함으로서 그렇지 않으면 바람직하지 못한 전도채널 형성의 요인이 되는 제2 채널대역 하부의 노치 모서리의 전술한 유동대역부위로 주어진 극성 캐리어를 끌어모우게 되어 제1 게이트전극에 의해 기인되는 전계경도로 부터 전술한 유동대역부위를 차단하며, 또 폐쇄상태에서 제2 반쪽사이클기간중에 제1 채널대역과 유동대역 간의 전합면이 전방 바이어스되어 유동대역내의 전위가 제1 주전극에서의 전위와 거의 동일하고, 제2 게이트전극의 전위가 제2 주전극과 동일하며, 차폐수단이 제1 주전극의 전위를 갖고 있고, 이 차폐수단이 제1 채널대역 하부의 노치수단 모서리를 따라 제2 게이트전극과 유동대역 사이에 위치함으로서, 그렇지 않으면 바람직하지 못한 전도채널 형성의 요인이 되는 제1 채널대역 하부의 노치 모서리의 전술한 유동대역부위로 주어진 극성 캐리어를 끌어모우게 되어 제2 게이트전극에 의해 기인되는 전계경도로부터 전술한유동대역부위차단하는상태인양방향 계전효과 트랜지스터. [청구항 14] 제11항에 있어서,노치수단이 제1 및 제2 소오스대역과 제1 및 제2 채널대역 사이로 전개되는 제1 및 제2의 공간을 둔 노치로 구성되고, 제1 게이트수단이 제1 채널대역에 근접한 부위를 포함하며 제1 노치내에 존재하며, 또 제2 게이트수단이 제2 채널대역에 근접한 부위를 포함하며 제2 노치내존재하는양방향 전계효과 트랜지스터. [청구항 15] 제14항에 있어서,제1 게이트전극이 fet의 개폐사이에서 1개의 제1 주전극과 동일한 전위수즌을 유지하고 또 제2 게이트전극이 fet의 폐쇄상태에서 다른 1개의 제2 주전극과 동일한 전위수준을 유지함으로서, 유동대역 부위를 그 각개 노치 모서리를 따라 다른 게이트전극과 각각 차단하는 비부양 게이트제공하는양방향 전계효과 트랜지스터. [청구항 16] 제9항에 있어서,다이오우드가 fet의 상부 주표면으로부터 유동대역을 통해 전계성형대역으로 전개된 각개 분리모우드에 의해 소오스대역, 채널대역 및 유동대역으로 부터 각각 분리된 각개 제1 및 제2분리대역과 전계성형대역 간의 1개 전도형태의 통합 제1 및 제2 경계접합면과 이 분리대역을 각각 1개의 주전극에 연결하는 수단구성되는양방향 전계효과 트랜지스터. [청구항 18] 제17항에 있어서,전계성형대역이 유동대역 하부에 위치하고, 또 전계형성대역과 유동대역 사이의 접합면으로 부터의 공핍을 제공하기 위해 전계형성대역에 주전극에서와 거의 동일한 전위를 부여할 수 있는 수단포함하고 있는양방향 전게효과 트랜지스터. [청구항 19] 제18항에 있어서,게형성대역에 주전극과 거의 동일한 전위를 부여하는 수단이 이들 주단자 사이에 위치한 전계형성대역과 함께 반대방향에서 이들 단자 사이에 직렬연결한 제1 및 제2 다이오우드로구성되는양방향 전계효과 트랜지스터. [청구항 20] 제19항에 있어서,에피텍셜층이 n형이고, 전계성형 대역이 p형이며, 제1 다이오우드는 전게성형대역과 접속되는 양극과 1개 주전극과 접속되는 음극을 갖고 있으며, 또 제2 다이오우드는 전계성형대역과 접속되는 양극과, 다른 주전극과 접속되는 음극있는양방향 전계효과 트랜지스터. [청구항 21] 제19항에 있어서,이들 다이오우드가 상부 주표면으로부터 유동대역을 통해 전계성형대역 내로 하방향 전개된 제1 및 제2 분리모오트 각각에 의하여 소오스대역, 채널대역 및 유동대역으로 부터 분리된 1개 전도형태의 제1 및 제2 분리대역 각각 및 전계형성대역 사이에 통합적으로 형성된 접합경계면이고, 제1 분리대역이 1개 주전극에 또 제2 분리대역이 다른 주전극연결되는양방향 전계효과 트랜지스터.