단락-채널 폐쇄 상태의 양방향 전력 전계 효과 트랜지스터 document_id 1019850004939

[청구항 2] 제1항에 있어서,1개 채널의 게이트 개방이 또한 이 1개 채널에 인접한 유동영역에서 주어진 극성 캐리어를 끌어당겨서 이 유동영역을 통해 유도된 공필통로를 따라서는 다른 극성으로 바뀌는 바람직하지 못한 현상을 방지해줌으로서 폐쇄상태 전압 저지능력보다 증대시킬분할게이트 양방향 전력 전계효과 트랜지스터. [청구항 3] 제2항에 있어서,제1소오스영역이 1개 전도형태 반도체물질이고:제1채널-포함영역이 반대전도형태 반도체물질로서 제1소오스영역과 접합면을 형성하며:유동영역이 1개 전도형태 반도체물질로서 제1체널-포함영역과 다른 접합면을 형성하고:제2채널-포함영역이 반대전도형태, 반도체물질로서 유동영역과접합면을 형성하며: 제2소오스영역이 1개 전도형태 반도체물질로서 제2채널-포함영역과 접합면을 형성하고 ; 분할 게이트전극수단이 제1채널에 근접 위치한 제1게이트전극과 제2채널에 근접 위치한 제2게이트전극을 포함하며 또 이 제1 및 제2채널에서의 전도형태를 바꾸는데 충분한 밀도의 전계를 형성하는 전위사용이 가능하도록 됨으로서: 제1 및 제2소오스영역에 임의 극성의 전압을 사용하고 게이트전극수단의 전위를 조절해서 전류를 각개 상응하는방향으로흘려수 있는분할 게이트 양방향 전력 전계효과 트렌지스터. [청구항 4] 제3항에 있어서,및 제2주전극이 각각 각개 소오스영역과 채널포함영역에 연결되며;폐쇄상태기간 중에는 유동영역과 제1채널포함영역 간의 접합면이 제2주전극으로 부터 제1주전극으로 흐르는 전류흐름을 차단하고, 또 유동영역과 제2채널포함영역간의 접합면이 제1주전극으로 부터 제2주전극으로 흐르는 전류흐름차단하는분할 게이트 양방향 전력 전계효과 트랜지스터. [청구항 5] 제4항에 있어서,폐쇄상태기간 동안 제1주전극이 제2주전극에 대해 정의 전압을 갖게되는 경우 제게이트전극을 제1주전극에 대해 1개 극성으로 바이어스 시킴으로서 주어진 극성 캐리어들을 제1게이트전극을 향해 끌어주어 제1채널을 1개 전도형태로 바꿔줌으로서 유동영역과 제1채널포함영역 사이의 접합면을 단락시키고 또 이 접합면을 가로지르는 소수 캐리어 주사를 방지하고 또 결과적으로 쌍극작용을 방지하며, 폐쇄상태 전압저지능력을 이같은 주사 및 쌍극작용 없이 증가시키고, 이 제1게이트전극 또한 주어지 극성 캐리어들을 제1채널에 인접한 유동영역으로 끌어들여서 유동영역을 통해 유도되는 공필통로를 따라서는 바람직하지 못한 다른 극성으로 바뀌는 현상이 일어나는 것을 방지함으로써 폐쇄상태 전압저지능력을 보다 증대시키며;또 폐쇄상태기간 동안, 제2주전극이 제1주전극에 대해 정의 전압을 갖게 되는 경우, 제2게이트전극을 제2주전극에 대해 1개 극성으로 바이어스 시킴으로서 주어진 극성 캐리어들을 제2게이트전극을 향해 끌어주어 제2채널을 1개 전도형태로 바꿔줌으로서 유동영역과 제2채널포함영역 사이의 접합면을 단락시키고 또 이 접합면을 가로지르는 소수 캐리어주사를 방지하고 또 결과적으로 쌍극작용을 방지하며, 폐쇄상태전압 저지능력을 이같은 주 및 쌍극작용 없이 증가시키고, 이 제2게이트전극 또한 주어진 극성 캐리어들을 제2채널에 인접한 유동영역으로 끌어들여서 유동영역을 통해 유도되는 공필통로를 따라서는 바람직하지 못한 다른 극성으로 바뀌는 현상이 일어나는 것을 방비함으로서 폐쇄상태전압 저지능력보다 증대시키는분할 게이트 양방향 전력 효과 트랜지스터. [청구항 6] 제5항에 있어서,전극들을 교류부하전선에 연결시킬 수 있고; 제1 및 제2게이트전극을 각게 게이트 전원장치에 연결시킬 수 있음으로서 ; 이 교류전선의 제1반쪽사이클 기간중에 제1주전극이 제2주전극에 대해 정의 전압을 갖고 또 제2게이트전극에 주어진 극성의 캐리어를 끌어주어 제2채널을 1개 전도형태로 바꿀 수 있도록 제2주전극에 대해 정의전압을 가해주는 경우에 fet가 개방되어 전류가 제1주전극으로 부터 제1채널포함대역을 통해 전방 마이어스 접합면을 가로질러 유동영역으로 흐르거나 또는 제1게이트전극이 제1주전극에 대해 정의 전압을 갖는 경우 제1주전극으로 부터 제1소오스영역 및 제1채널을 통해 유동영역으로 흐른 후에전류는 이 유동형을 통화한후 제2채널 통해 제2소오스영역 및 제2주전극으로 흐르며, 이 제1반쪽사이클기간중 폐쇄상태에서, 제2게이트전극을 제2주전극의 전위 또는 그 이하로 바이어스시켜서 제2채널의 극성을 바궈주지 않는 대신에 반대극성 상태로 유지하고, 제1게이트전극을 개방시키고 또 제1주전극에 대해 정의 전압을 갖게 함으로서 주어진 극성 캐리어를 끌어주어 제1채널을 1개 극성형태로 바꾸어서 그 접합면을 단락시킴으로서 전류가 제1채널포함영역과 유동영역 사이의 이 접합물을 가로지는 일이 없이 제1채널을 통해 제1소오스영역과 유동영역 사이를 흐르게 됨으로서 폐쇄상태전압이 제1채널포함영역과 유동영역 사이의 전방 바이어스 접합면을 가로지는 소수 캐리어주사 및 쌍극작용 없이 유동영역과 제2채널포함영역 사이의 역바이어스 접합면을 가로질러 저하하게 되며; 또 이 교류전선의 제2반쪽사이클기간 중에,제2주전극이 제1주전극에 대해 정의 전압을 갖고 또 제1케이트 전극에 주어진 극성의 캐리어를 끌어주어 제1채널을 1개 전도형태로 바꿀 수 있도록 제1주전극에 정의 전압을 가해주는 경우가 fet가 개방되어 전류가 제2주전극으로부터 제2채널포함대역을 통해 전방 바이어스 접합면을 가로질서 유동영역으로 흐르거나 또는 제2게이트 전극이 제2주전극에 대해 정의 전압을 갖는 경우 제2주전극으로 부터 제2소오스영역 및 제2채널을 통해 유동영역으로 흐른후에 전류는 이 유동영역을 통과한후 제1채널을 통해 제1소오스영역 및 제1주전극으로 흐르며; 이 제2반쪽사이클기간 중 폐쇄상태에서, 제1게이트전극을 제1주전극의 전위 또는 그 이하로 바이어스시켜서 제1채널의 극성을 바궈주지 않는 대신에 반대극성상태로 유지호, 제1게이트전극을 개방시키고 또 제2주전극에 대해 정의 접압을 갖게 함으로서 주어진 극성 케리어를 끌어주어 제 1 채널을 1개 극성형태로 바꾸어서 그 집합면을 단락시킴으로서 전류가 제2채널 포함영역과 유동영역 상이의 이 접합물을 가로지르는 일이 없이 제2채널을 통해 제2소오스영역과 유동영역 사이로 흐르게 됨으로서 폐쇄상태전압이 이 제2채널포함영역과 유동영역 사이의 전방 바이어스 접합면을 가로지르는소수 캐리어주사 및 쌍극작용 없이 유동영역과 제1채널포함영역 사이의 역바이어스 접합면을 가로질러서저하하게 되는분할 게이트양방향 전력 전계효과 트랜지스터. [청구항 7] 제6항에 있어서,폐쇄 상태의 제1반쪽사이클기간 중에, 제1주전극에 대해 정의 전압이 되도록 제1 게이트전극의 게이트를 개방해서 또한 주어진 극성 캐리어를 제1채널에 인접한 유동영역으로 끌어주어 이 유동영역을 통해 유도된 공필통로를 따라서는 바람직하지 못한 반대극성형태로 바뀌는 현상이 발생되지 않도록 함으로서 폐쇄상태 전압 차단능력을 보다 개선하고;또 페쇄상태의 제2반쪽사이클기간 중에 제2주전극에 대해 정의 전압이 되도록 제2게이트전극의 게이트를 개방해서 또한 주어진 극성 캐리어를 제2채널에 인접한 유동영역으로 끌어주어 이 유동영역을 통해 유도된 공필통로를 따라서는 바람직하지 못한 반대극성형태로 바뀌는 현상이 발생하지 않도록 함으로서 폐쇄상태전압 차단능력보다 개선시킨분할 게이트 양방향 전력 전계효과 트랜지스터. [청구항 8] 제2항에 있어서,이들 채널이 각개 소오스영역과 유동영역 사이의 상부주표면을 따라 수평으로 전개되고;또 이들 게이트전극이 이들 각개 채널 위쪽의 상부 주표면을 따라 수평전개되는분할 게이트 양방향 전력 전계효과 트랜지스터. [청구항 9] 제8항에 있어서,채널-포함영역이 이들 영역 사이에서 fet의 상부 주표면을 향해 상방향으로 전개되는 유동영역에 의해 공간을 두고 횡축으로 배역되고;유동영역이 이 상부주표면을 따라 공간을 두고 횡측으로 존재하며;이 채널들과 유동영역들이 이들 소오스영역 사이위치하는분할 게이트 양방향 전력 전계효과 트랜지스터. [청구항 10] 제2항에 있어서,노치수단이 제1 및 제2소오스영역과 제1 및 제2채널포함여역 사이로 전개되어 이들을 분리하며 또 유동영역 내전개되는분할 게이트 양방향 전력 전계효과 트랜지스터. [청구항 11] 제10항에 있어서,채널 포함영역이 노치수단에 의해 횡특으로 공간을 두고 배열되며;또 노치수단이 fet상부 주표면으로 부터 하방향으로 전개되며;채널들이 일반적으로 노치수단의 각개측면을 따라 수직으로 전개되고;또 유동영역이 채널 하부존재하는분할 게이트 양방향 전력 전계효과 트랜지스터. [청구항 12] 제11항에 있어서,소오스 영역이 그 중간의 노치수단에 의해 상부주표면을 따라 횡측공간을 두고 배열되고 또 소오스영역이 각개 채널 상부위치하는분할 게이트 양방향 전력 전계효과 트랜지스터. [청구항 13] 제12항에 있어서,전극들 사이의 유동영역 전류통로가 소오스 영역으로 부터 채널을 통해 하방향으로 또 노치수단 하방향과 그 바닥주변형성되는분할 게이트 양방향 전력 전계효과 트랜지스터.