평면의 전개 형성 양방향 전력 전계 효과 트랜지스터 document_id 1019850004940

[청구항 2] 제1항에 있어서,제1소오스영역은 한전도성의 형의 반도체물질이고, 제1채널함유영역은 반대전도성의 형의 반도체물질이고, 제1소오스영역과 접합을 형성하고, 드리프트영역은 한전도성의 형의 반도물질이고, 제1채널함유영역과 다른 접합을 형성하고, 제2채널 함유영역은 반대전도성의 형의 반도체물질이고, 드리프트영역과 접합을 형성하고, 제2소오스영역은 한 전도성의 형의 반도체물질이고, 제2채널함유영역과 접합을 형성하고, 전계형성영역은 반대전도성의 형의 반도체물질이고, 제1채널 바로앞에 배치된 제1부분과 제2채널 바로앞에 배치된 제2부분을 포함하는 게이트전극 수단을 가지고, 제1 및 제2채널의 전도성의 형을 역전하게 충분한 세기의 전계를 산출하기 위하여 전위의 적용에 적응하고, 그것에 의하여 제1 및 제2소오스영역에 어느 구성의 전압의 적용시에 전류가 게이트전극수단의 전위의 제어하에 그들간의 각기 대응하는방향에흐를수있는것. [청구항 3] 제2항에 있어서,게이트전극수단은 제1채널의 바로앞에 배치된 제1게이트전극과 제2채널 바로앞에 배치된 제2게이트전극을 가진 분할된 게이트전극수단가지는 것. [청구항 4] 제2항에 있어서,각기 소오스영역과 채널함유영역과에 접속된 제1 및 제2주전극을 가지고, 게이트전위의 결여에서 오프상태를 가진 상기 fet의 제2주전극부터 제1주전극쪽으로 흐르는 전류를 저지하는 제1채널함유영역과 드리프트영역간의 접합과, 제2주전극부터 제2주전극쪽으로 흐르는 전류를 저지하는 제2채널함유영역과 드리프트영역간의 접합가지는 것. [청구항 5] 제4항에 있어서,전계형성영역의 전위를 제어하기 위한 수단이 주전극과 동일한 전위에 관계하는 전계형성영역을 위한 수단가지는 것. [청구항 6] 제5항에 있어서,마지막에 언급한 수단을 한 주전극과 전게형성영역간에 접속된 제1다이오수단과 다른 주전극과 전계형성영역간에 접속된 제2다이오우드 수단과를 가진 조종 다이오우드수단을 가지고, 조종 다이오우드수단은 그들간에 직렬로 전계형성영역을 가지고, 주전극간에 직렬로 대향접속되는 것. [청구항 7] 제6항에 있어서,다이오우드는 fet의 정부주면부터 드리프트영역을 통하여 전게형성영역으로 아래로 연장하는 각기 고립홈에 의하여 소오스영역, 채널함유영역 및 드리프트영역에 고립된 한 전도성의 형의 제1 및 제2고입영역과 전게형성영역간에 일체로 된 제1 및 제2장벽접합을 가지고, 주전극의 각기 하나에 각각의 고립영역을 접속하는 소단가지는 것. [청구항 8] 제7항에 있어서,고립홈은 반대전도성의 형의 반도체물질로 채워지는 것. [청구항 9] 제7항에 있어서,채널함유영역의 fet의 정부주면으로 채널함유영역간에 상방으로 연장하는 드리프트영역에 의하여 옆으로 간격을 떼고, 게이트전극수단은 절연층에 의하여 절연층에 따라 옆으로 연장하고, 그들위에 간격을 떼고, 제1 및 제2부분이 각기 제1 및 제2채널을 가로 질러 연장하고, 전계형성 영역이 드리프트영역밑에 옆연장하는 것. [청구항 10] 제9항에 있어서,소오스영역은 정부주면에 따라 옆으로 간격을 떼고, 채널 및 트리프트영역은 소오스영역간배치되는 것. [청구항 11] 제6항에 있어서,전극은 교류부하회로에 접속될 수 있고, 게이트수단은 게이트전위 소오스 수단에 접속될 수 있고, 게이트수단은 교류회로의 제1반 사이클동안 주전극의 하나에 관하여 정이고, 교류회로의 제2반사이클동안 주전극의 다른것에 관하여 정이고, 교류회로의 제1반 사이클동안, 전류는 다른 주전극부터 제2소오스영역을 통하여 제2채널을 통하여 드르프트영역을 통하여 제1채널을 통하여, 제1소오스영역을 통하여 한 주전극에 흐르고, 교류회로의 제2반사이클동아 전류는 한 주전극부터 제1소오스영역을 통하여 제1채널을 통하여, 리드프트영역을 통하여 제2채널을 통하여, 제2소오스영역을 통하여 다른 주전극에 흐르는 것. [청구항 12] 제11항에 있어서,게이트수단은 제1채널 바로앞의 제1게이트전극과 제2채널 바로 앞의 제2게이트 전극을 가진 분할 게이트전극수단을 가지고, 제1 및 제2게이트전극을 게이트 전위 소오스수단에 접속될 수 있고, 제1게이트전극은 교류회로의 제1반 사이클동안 하나의 주전극에 관하여 정이고, 제2게이트전극은 교류회로의 제2반사이클동안 다른 주전극정인것. [청구항 13] 제12항에 있어서,채널은 각기 소오스영역과 드리프트영역간에 정부주면에 다라 수평으로 연장하고, 제1 및 제2게이트전극이 각기 채널위의 정부주면에 다라 수평으로 연장하고, 전계 형성영역이 드리프트영역밑에 수평연장하는 것. [청구항 14] 제13항에 있어서,조종다이오우드수단이 주전극의 최상의 부에서 전게형성영역관계되는 것. [청구항 16] 제15항에 있어서,채널함유영역은 정부주면으로 채널 함유영역간에 상방으로 연장하는 적층성장의 층의 드리프트영역에 의하여 간격지는 것. [청구항 17] 제16항에 있어서,소오스영역은 그들간의 적층성장의 드리프트영역과 채널을 가진 정부주면에 따라 옆으로 간격지는 것. [청구항 18] 제15항에 있어서,주전극은 소오스영역과 채널 함유영역에 각기 접속되고, 가장 큰 주어진 극성의 주전극에 전계형성영역이 관계하에 각각의 주전극에 전계형성영역을 접속하는 조종 다이오우드수단가지는 것. [청구항 19] 제18항에 있어서,조종 다이오우드수단은 정부주면부터 전계형성영역으로 하방으로 연장하는 고립홈에 의하여 소오스영역과 채널함유영역과 드리프트영역부터 고립된 적층성장의 층의 부분을 가진 한 전도성의 형의 각기 제1 및 제2고입영역과 전계형성영역간에 일체로된 장벽접합을 가진 제1 및 제2다이오우드가지는 것. [청구항 20] 제19항에 있어서,주전극은 한 전도성의 형의 제1고립영역에 접촉하고, 채널함유영역과 소오스영역에 각기 오음적으로 접촉하는 금속화를 가지며 제1고립영역은 그것을 가지고, 제1조종다이오우드 접합을 형성하게 정부주면부터 전계형성영역으로 하방으로 수직으로 연장하고, 다른 주전극이 한 전도성의 형의 제2고립영역에 접촉하고, 채널 함유영역과 소오스영역에 각기 오음적으로 접촉하는 금속화를 가지고, 제2고립영역은 그것을 가지고 제2조종 다이오드접합을 형성하게 정부주면부터 전계형성영역으로 수직연장하는 것.