반도체기억장치와그제조방법 document_id 1019850004990

[청구항 2] 제1항에 있어서,도랑은 반도체기판의 두께방향에 존재하는 주표면으로부터 확장되어 형성된 제1의 도랑과, 상기 제1의 도랑 하부로부터 두께방향으로 확장되어 형성된 제2의 도랑을 구비하고 있는 것이되 상기 제2의 도랑은 그폭이 제1의 도랑보다 좁은 것이고, 트랜지스터를 구성하는 게이트절연막은 상기 제1의 도랑을 따라 형성된 것이며, 캐패시터 전극은 상기 제1의 도랑내부로 확장된 것이고, 게이트 전극은 확산영역을 둘러싸게끔 잔여상측부분을 매립하여서 된 것이며, 상기 제1의 도랑중 측면부는 상기 트랜지스터의 챈널영역동작하는 것인반도체 기억장치. [청구항 3] 제2항에 있어서,의 도랑중 측면부를 규정하는 반도체기판의 일부에 불순물 영역이 형성되어 있고, 상기 불순물 영역은 반도체 기판과는 다른도전형있는반도체 기억장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,반도체기판과는 다른 도전형으로 되어있는 또 다른 불순물영역이 제1의 도랑중 저면부를 규정하는 반도체기판의 일부형성되어 있는반도체 기억장치. [청구항 5] 제2항에 있어서,개의 인접 메모리 셀을 위한 제1, 제2의 도랑은 공통으로 사용되는 것이고, 두개의 인접 캐패시터의 캐패시터 전극도 공통사용되는 것인반도체 기억장치. [청구항 6] 제2항에 있어서,소자분리영역은 제2의 도랑중 저면부에 형성되어 있으며, 캐패시터를 구성하는 절연막보다 두께가 두꺼운 제3의 절연막구비하고 있는반도체 기억장치. [청구항 7] 제2항에 있어서,소자분리영역은 제2의 도랑의 저면부에 대응되는 위치에서 반도체기판의 일부에 형성되는 고농도의 불순물 반도체영역이며, 반도체기판과 같은 도전형있는 것인반도체 기억장치. [청구항 8] 제2항에 있어서,반도체기판은 제1도전형의 불순물로 된 제1의 층과, 제1의 층상에 형성된 제2의 층을 구비하고 있는 것이며, 상기 제2의 층은 제1의 층과 같은 도전형이되 그 불순물농도가 제1의 층보다 낮은 것이며, 제2도랑내부의 캐패시터를 구성하는 제1절연막의 하부종단은 상기 제1의 층 내부형성되어 있는반도체 기억장치. [청구항 9] 제6항에 있어서,소자분리영역은 반도체기판과 동일 도전형인고농도 불순물영역으로 된 것이며, 두꺼운 제3의 절연막아래의반도체기판형성된 것인반도체 기억장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,도랑은 저면부와 동일하게 상부에 개구부영역을 마련하고 있는 것이고, 캐패시터를 구성하는 제1절연막은 상기 도랑의 측면부중 낮은부분에 형성된 것이며, 트랜지스터를 구성하는 게이트 절연막은 상기 도랑의 측면부중 상측에 형성된 것이고, 캐패시터 전극은 상기 도랑의 낮은 부분이 매립되어서 된 것이며, 트랜지스터를 구성하는 게이트 전극은 상기 제2의 절연막상에서 부분적으로 형성되는 것이되 상기 도랑의 나머지 상부를 매립할 수 있게끔상기 도랑의 원주방향을 따라서 상기 캐패시터 전극상에 배치되는 것이고, 상기 도랑의 잔여 상측부분은 상기 게이트 전극으로 채워지지 않고 제4의절연막으로 채워지는 것인반도체 기억장치. [청구항 11] 제10항에 있어서,소자분리수단은 도랑의 저면부상에 형성되어지되, 캐패시터를 구성하는 제1절연막보다 두꺼운 제3의 절연막구비하고 있는 것인반도체 기억장치. [청구항 12] 제10항에 있어서,소자분리수단은 반도체기판과 동일 도전형이고 도랑의 저면부에 대응되는 반도체기판의 일부에 형성되는 고농도 불순물의 반도체영역구성되는 것인반도체 기억장치. [청구항 13] 제10항에 있어서,반도체기판은 제1도전형의 불순물을 포함하는 제1층과 상기 제1층에 형성된 제2층을 구비하고 있는 것이고, 상기 제2층의 불순물농도는 상기 제1층의 불순물농도보다 작은 것이며, 캐패시터를 구성하는 제1절연막의 하부종단은 제1층내형성된 것인반도체 기억장치. [청구항 14] 제11항에 있어서,소자분리수단은 반도체기판과 동일 도전형이 되 불순물농도는 더크고, 두꺼운 제3절연막아래의 반도체기판상형성된 것인반도체 기억장치. [청구항 17] 제15항에 있어서,소오스나 드레인으로 동작하는 확산층을 도랑의 중앙부에 형성시키는 고정추가되어 있는반도체 기억장치.