문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,유리영역에는 두개의 셀트랜지스터가 형성되고, 이 두개의셀트랜지스터는 절연층에 의해서 서로 유리되고, 상기셀콘덴서는 상기 절연층에 의해서 두부분분할되는것을특징으로 하는반도체기억장치.
[청구항 3]
제3항에 있어서,유리영역에는 단 한개의셀트랜지스터형성되는것을특징으로 하는반도체기억장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,콘덴서는 원주형 제1전극, 원주형 제2전극과, 상기 제1 및 제2전극간에 삽입된원주형유전체구성되는것을특징으로 하는반도체기억장치.
[청구항 5]
제4항에 있어서,트랜지스터를 구성하는 소오스 및 드레인중의 하나는 상기 제1및제2전극중의하나와일체성형되는것을특징으로 하는반도체기억장치.
[청구항 7]
제6항에 있어서,콘덴서는 원주형 제1전극, 원주형 제2전극과, 상기 제1 및 제2전극간에 삽입된원주형유전체구성되는것을특징으로 하는반도체기억장치.
[청구항 8]
제6항에 있어서,상기 원주형셀콘덴서의 단부에는 얕은 유리영역이 형성되고, 상기 트랜지스터의 소오스, 드레인 및 채널부와콘덴서는 상기 유리영역에 의해서서로분리되는것을특징으로 하는반도체기억장치.
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기 유리영역nan은원주형콘덴서단부의양쪽끝형성되는것을특징으로 하는반도체기억장치.
[청구항 10]
제8항에 있어서,상기 유리영역nan은원주형콘덴서단부의한쪽끝형성되는것을특징으로 하는반도체기억장치.
[청구항 13]
제11항에 있어서,제2실리콘 에칭에 의해서 형성된 홈에 절연박막으로서 전극이 형성되어 셀콘덴서구성하는것을특징으로 하는반도체기억장치의 제조방법.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제4항 및 제5항의 구성을 바탕으로 할 때, 반도체기억장치의 콘덴서 구성 요소와 트랜지스터의 소오스 또는 드레인 간의 구조적 관계는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation제4항과 제5항을 바탕으로 콘덴서의 전극과 트랜지스터의 소오스 또는 드레인 사이의 구조적 관계를 파악해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction제4항은 콘덴서가 제1전극, 제2전극, 유전체로 구성됨을 명시하고, 제5항은 트랜지스터의 소오스 또는 드레인 중 하나가 제1 또는 제2전극 중 하나와 일체로 형성됨을 명시한다.
- 콘덴서는 원주형 제1전극, 원주형 제2전극과, 상기 제1 및 제2전극간에 삽입된원주형유전체구성되는것을특징으로 하는반도체기억장치
- 트랜지스터를 구성하는 소오스 및 드레인중의 하나는 상기 제1및제2전극중의하나와일체성형되는것을특징으로 하는반도체기억장치
-
3근거 선택
evidence_selection콘덴서의 구성 요소인 제1/제2전극과 트랜지스터의 소오스/드레인 간의 일체성을 나타내는 구절을 선택한다.
- 트랜지스터를 구성하는 소오스 및 드레인중의 하나는 상기 제1및제2전극중의하나와일체성형되는것을특징으로 하는반도체기억장치
-
4논리 통합
logical_integration콘덴서의 전극 구성 요소와 트랜지스터의 소오스 또는 드레인 중 하나가 물리적으로 결합되어 하나의 구조로 형성됨을 알 수 있다.
-
5결론 도출
conclusion_formulation트랜지스터의 소오스 또는 드레인 중 하나가 콘덴서의 제1전극 또는 제2전극 중 하나와 일체로 형성되는 구조적 관계를 가진다.
-
6답변 생성
answer_generation질문에 대해 트랜지스터의 소오스 또는 드레인 중 하나가 콘덴서의 제1전극 또는 제2전극 중 하나와 일체로 형성된다는 점을 명시하여 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
트랜지스터를 구성하는 소오스 및 드레인 중의 하나가 콘덴서를 구성하는 제1전극 또는 제2전극 중의 하나와 일체로 형성되는 구조적 관계를 가진다.
핵심 해석 (core_interpretation)
반도체기억장치에서 콘덴서의 전극과 트랜지스터의 소오스 또는 드레인 영역을 일체화하여 구조적 연결성을 확보하는 기술적 구성을 나타낸다.