레이저다이오드 구동회로 document_id 1019860006763

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 반도체장치(lcd)의 애노드와 상기 출력수단(pd)의캐소드연결된것을특징으로 하는반도체장치의 구동장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 반도체장치(ld)의 캐소드와 상기 출력수단(pd)의캐소드연결된것을특징으로 하는반도체장치의 구동장치 [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 전류제어수단은 상기 광전류 출력수단(pd)에서 검출되어 출력되는 광전류와 상기기준전류공급수단(1)에서 출력되는 기준 전류간의 차전류를 반전증폭시키도록 된 반전증폭수단과, 상기 반전증폭수단으로 부터 출력되는 반전증폭출력을 상기 반도체장치(ld)로 궤환시키므로써 순방향전류를 기준전류에 해당하는 전류값으로 제어되도록 된 궤환회로 및, 상기 반도체장치(ld)로 공급되는 순방향전류에 따라 레이저다이오드가 광출력을 발생시킬 수 있게끔 상기 반도체장치를 구동시켜 주도록 된 순방향전류회로로 구성되어지되, 상기 순방향전류회로는 전원전압단과 상기 반도체 장치에 연결된 구동트랜지스터와 상기 구동트랜지스터를 통해 상기 반도체장치로 순방향전류를 공급해주기 위해 구동트랜지스터로 제어신호를 공급해주도록 궤환회로에 연결된바이어스전류회로구성된것을특징으로 하는반도체 장치의 구동장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 기준전류공급 수단이전류원구성된것을특징으로 하는반도체장치의 구동장치, [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 기준전류공급수단으로저항구성된것을특징으로 하는반도체장치의 구동장치, [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 반도체장치의 스위칭을 제어하여 간헐적으로 구동전류를 공급해주도록 상기 레이저다이오드의 양단에스위칭회로연결시킨것을특징으로 하는반도체 장치의 구동장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 스위칭회로는스위칭트랜지스터구성된것을특징으로 하는반도체 장치의 구동장치. [청구항 9] 제4항에 있어서,상기 반전증폭수단에는 상기 반도체장치의 발진을 방지하기 위해 그에 병렬로콘덴서연결된것을특징으로 하는반도체장치의 구동장치. [청구항 10] 제4항에 있어서,전원전압단에 공급되는 전압이약인것을특징으로 하는반도체장치의 구동 장치. [청구항 11] 제11항에 있어서,상기 반도체장치에 공급되어지는 순방향 전류를 검출하도록 된 검출수단과 상기 검출수단에 의해 검출된 순방향전류가 규정전류값을 초과하게 될때 상기 반도체 장치로 공급되어지는 전류를 제한하도록 된 전류제한수단이추가구성된것을특징으로 하는반도체 장치의 구동장치. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 검출수단이 상기 반도체장치에 직렬로 연결되어진저항구성된것을특징으로 하는반도체 장치의 구동장치. [청구항 13] 제4항에 있어서,상기 기준전류공급수단이 다수의 기준전류를 발생시키기 위한 기준전류원과 상기 기준전류원으로부터 출력되는 다수의 기준전류중 하나의 기준전류를 선택할 수 있도록 된선택수단구성된것을특징으로 하는반도체장치의 구동장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 선택수단은 상기 기준전류원과 상기 반전증폭수단사이에 연결된스위칭회로구성된것을특징으로 하는반도체장치의 구동장치. [청구항 15] 제4항에 있어서,상기 기준전류공급수단은 기준전류의 온도계수가 광출력의 온도계수와 부호가 반대이고 광출력의 온도계수에 해당하는 값을 갖도록 된기준전류원구성된것을특징으로 하는반도체 장치의 구동장치. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 기준신호원은 광출력레벨의 온도계수와는 반대의 온도계수를 갖는 정전압 다이오드와 상기 정전압으로부터 출력되는 정전압에 해당하는 기준신호를 발생시켜 주도록 된기준신호발생회로구성된것을특징으로 하는반도체장치의 구동장치. [청구항 17] 제4항에 있어서,전원전압단 전압이 규정전압값인 것을 검출하도록 된 검출수단과 상기 검출수단에서 검출된 신호에 의거 순방향전류회로를 비구동상태로 설정하도록 동작되는 리셋트수단이추가구성된것을특징으로 하는반도체장치의 구동장치. [청구항 18] 제17항에 있어서,규정전압이제1전위와제2전위사이전압인것을특징으로 하는반도체장치의 구동장치. [청구항 19] 제17항에 있어서,상기 검출수단은 전원전압을 분압시켜 주도록 된 2개의 저항으로 이루어진 제1분압 회로와 2개의 저항으로 이루어진 제2분압회로 및 상기 제1, 제2분압회로 사이에 연결된트랜지스터구성된것을특징으로 하는반도체 장치의 구동장치. [청구항 20] 제1항에 있어서,전류 제어수단nan은트랜지스터구성된것을특징으로 하는반도체장치의 구동장지. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기 구동전류는 트랜지스터의 컬렉터로부터상기반도체장치공급되도록된것을특징으로 하는반도체장치의 구동장치. [청구항 22] 제20항에 있어서,상기 구동전류는 트랜지스터의 에미터로부터상기반도체장치공급되도록된것을특징으로 하는반도체장치의 구동장치. [청구항 25] 제24항에 있어서,상기 광전류 발생수단nan은포토다이오드구성된것을특징으로 하는레이저다오드 구동회로. [청구항 26] 제25항에 있어서,레이저다이오드의 애노드와 포토다이오드의 캐소드가연결된것을특징으로 하는레이저다이오드 구동회로. [청구항 27] 제25항에 있어서,상기 레이저다이오드의 캐소드와 포토다이오드의 캐소드가연결된것을특징으로 하는레이저다이오드 구동회로. [청구항 28] 제24항에 있어서,상기 구동전류 공급수단은 전원전압단과 레이저다이오드사이에 연결된 구동트랜지스터와 상기 구동트랜지스터를 통해 레이저다이오드로 구동전류를 공급해주기 위해 상기 구동트랜지스터로 제어신호를 공급하도록 된 바이어스전류회로 및 상기 레이저다이오드에 직렬로 연결된전류보호회로구성된것을특징으로 하는레이저다이오드 구동회로. [청구항 29] 제24항에 있어서,상기 기준전류출력수단nan은전류원구성된것을특징으로 하는레이저다이오드 구동회로. [청구항 30] 제24항에 있어서,상기 기준전류출력수단nan은저항구성된것을특징으로 하는레이저다이오드 구동회로. [청구항 31] 제25항에 있어서,상기 레이저다이오드의 양단에는 상기 레이저다이오드에 간헐적으로 구동전류를 공급하여 스위칭을 제어하도록 하기 위한스위칭회로연결된것을특징으로 하는레이저다이오드 구동회로. [청구항 32] 제31항에 있어서,상기 스위칭로는스위칭트랜지스터구성된것을특징으로하는레이저다이오드 구동회로. [청구항 33] 제24항에 있어서,상기 구동전류제어수단에는 레이저다이오드의 발진을 방지해주기 위한콘덴서연결된것을특징으로 하는레이저다이오드구동회로. [청구항 34] 제28항에 있어서,전원전압단에 공급되어지는 전압이약인것을특징으로 하는레이저다이오드구동회로. [청구항 35] 제24항에 있어서,기준전류출력수단은 포토다이오드의 출력측에 연결된 기준전류원으로 구성되어지되, 전류원에 의해 설정되어지는 기준전류의 온도계수가 광출력의 온도계수와는 반대부호를 갖는 한편 광출력 온도계수에 해당하는값구성된것을특징으로 하는레이저다이오드구동회로. [청구항 36] 제35항에 있어서,상기 기준전류원은 광출력레벨에 대한 온도계수와는 반대부호의 온도계수를 갖는 정전압 다이오드와 상기 정전압 다이오드에서 출력되는 정전압에 따라 기준신호를 발생시켜 주는기준신호발생회로구성된것을특징으로 하는레이저다이오드 구동회로. [청구항 37] 제24항에 있어서,전원전압단의 전압이 규정 전압인 것을 검출하는 검출수단과 상기 검출수단의 검출 신호에 따라 순방향전류회로를 비구동상태로 설정해 주도록 동작되는 리셋트수단이추가구성된것을특징으로 하는레이저다이오드 구동회로. [청구항 38] 제37항에 있어서,상기 규정전압값이제1전위와제2전위사이값인것을특징으로 하는레이저다이오드 구동회로. [청구항 39] 제37항에 있어서,상기 검출수단은 전원전압을 분압시켜주기 위해 2개의 저항으로 이루진 제1분 압회로와 2개의 저항으로 이루어진 제2분압회로 및 상기 제1, 제2분압회로 사이에 연결된트랜지스터구성된것을특징으로 하는레이저다이오드 구동회로. [청구항 40] 제24항에 있어서,상기 전류제어수단nan은트랜지스터구성된것을특징으로 하는레이저다이오드 구동회로. [청구항 41] 제40항에 있어서,구동전류는 트랜지스터의 컬렉터로부터 레이저다이오드로 공급되어된것을특징으로 하는레이저다이오드 구동회로. [청구항 42] 제40항에 있어서,구동전류는 트랜지스터의 에미터로부터레이저다이오드공급되도록된것을특징으로 하는레이저다이오드구동회로. [청구항 44] 제43항에 있어서,상기 제1회로에는 상기 반도체장치에 직렬로 연결된 전류보호회로가추가설치된것을특징으로 하는반도체장치의 구동회로. [청구항 45] 제43항에 있어서,상기 제2회로는전류원구성된것을특징으로 하는반도체장치의 구동회로. [청구항 46] 제43항에 있어서,상기 제2회로는저항구성된것을특징으로 하는반도체장치의 구동회로. [청구항 47] 제43항에 있어서,상기 반도체장치에는 상기 반도체장치를 스위칭구동시키기 위해 그에 병렬로스위칭트랜지스터연결된것을특징으로 하는반도체장치의 구동회로. [청구항 48] 제43항에 있어서,상기 제1회로에는 상기 반도체장치의 발진을 방지하기 위한 콘덴서가병렬연결된것을특징으로 하는반도체장치의 구동회로. [청구항 49] 제43항에 있어서,상기 제1회로에 공급되어지는 전압이약인것을특징으로하는반도체장치의 구동회로. [청구항 50] 제43항에 있어서,상기 반도체장치로 공급되어지는 순방향전류를 검출하기 위한 검출수단과 상기 검출수단에 의해 검출된 순방향전류가 규정전류 값을 초과할때 상기 반도체장치로 공급되는 순방향전류를 제어하도록 된 전류제한수단이추가구성된것을특징으로 하는반도체장치의 구동회로. [청구항 51] 제50항에 있어서,상기 검출수단은 상기 반도체장치에 직렬로 연결된검출저항구성된것을특징으로 하는반도체장치의 구동회로. [청구항 52] 제43항에 있어서,상기 제2회로는 포토다이오드의 출력측에 연결된 기준전류원으로 구성되어지되, 전류원에 의해 설정되어지는 기준전류의 온도계수가 광출력의 온도계수와는 반대부호를 갖는 한편 광출력온도계수에 해당하는값구성된것을특징으로 하는반도체장치의 구동회로. [청구항 53] 제52항에 있어서,상기 기준전류원은 광출력레벨에 대한 온도계수와는 반대부호의 온도계수를 갖는 정전압다이오드와 상기 정전압다이오드에서 출력되는 정전압에 따라 기준신호를 발생시켜 주는기준신호발생회로구성된것을특징으로 하는레이지다이오드구동회로. [청구항 54] 제43항에 있어서,전원전압단의 전압이 규정전압인 것을 검출하도록 된 검출수단과 상기 검출수단에서 출력되는 검출신호에 의해 순방향전류회로를 비구동상태로 설정해주도록 된 리셋트수단이추가구성된것을특징으로 하는반도체장치의 구동회로. [청구항 55] 제54항에 있어서,상기 규정전압값이제1전위와제2전위사이의값된것을특징으로하는반도체장치의 구동회로. [청구항 56] 제54항에 있어서,상기 검출수단은 전원전압을 분압시켜 주기 위해 2개의 저항으로 이루어진 제1분압 회로와 2개의 저항으로 이루어진 제2분압회로 및 상기 제1, 제2분압회로 사이에 연결된트랜지스터구성된것을특징으로 하는반도체장치의 구동회로. [청구항 57] 제43항에 있어서,상기 전류제어수단nan은트랜지스터구성된것을특징으로 하는반도체장치의 구동회로. [청구항 58] 제43항에 있어서,상기 구동전류는 트랜지스터의 컬렉터로부터 상기 반도체장치로 공급되어된것을특징으로 하는반도체장치의 구동회로. [청구항 59] 제43항에 있어서,상기 구동전류는 트랜지스터의 에미터로부터 상기 반도체장치로 공급되어된것을특징으로 하는반도체장치의 구동회로. [청구항 61] 제60항에 있어서,반도체장치는반도체장치인것을특징으로 하는반도체장치의 구동장치. [청구항 62] 제61항에 있어서,상기 반도체장치의 애노드와 포토다이오드의 캐소드가연결된것을특징으로 하는반도체장치의 구동장치. [청구항 63] 제61항에 있어서,상기 반도체장치의 캐소드와 포토다이오드의 캐소드가연결된것을특징으로하는반도체장치의 구동장치. [청구항 64] 제60항에 있어서,상기 반도체장치제어수단은 상기 반도체장치에 직렬로 연결된전류보호저항구성된것을특징으로 하는반도체장치의 구동장치. [청구항 65] 제60항에 있어서,기준전압공급수단nan은전류원구성된것을특징으로 하는반도체장치의 구동장치. [청구항 66] 제60항에 있어서,기준전압공급수단nan은저항구성된것을특징으로하는반도체장치의 구동장치 [청구항 67] 제61항에 있어서,상기 비교수단에는 반도체장치의 발진을 방지하기 위한 콘덴서가병렬연결된것을특징으로 하는반도체장치의 구동장치 [청구항 68] 제61항에 있어서,상기 기준전압공급수단은 다수의 기준전류를 발생시켜 주기 위한 기준전류원과 상기 기준전류원에서 출력되는 다수의 기준전류중 하나의 기준전류를 선택해주기 위한선택수단구성된것을특징으로 하는반도체장치의 구동장치 [청구항 69] 제68항에 있어서,상기 선택수단은 상기 기준전류원과 상기 비교수단사이에 연결된스위칭회로구성된것을특징으로 하는반도체장치의 구동장치. [청구항 70] 제60항에 있어서,상기 전류제어수단nan은트랜지스터구성된것을특징으로 하는반도체장치의 구동장치. [청구항 71] 제70항에 있어서,상기 구동전류는 상기 트랜지스터의 컬렉터로부터 상기 반도체장치로 공급되어된것을특징으로 하는반도체장치의 구동장치. [청구항 72] 제70항에 있어서,상기 구동전류는 상기 트랜지스터의 에미터로부터 상기 반도체장치로 공급되어된것을특징으로 하는반도체장치의 구동장치.