플라즈마 마그네트론 스퍼터링 장치 document_id 1019860007064

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 전계가무선주파수인것을특징으로 하는스퍼터링 장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 전계가인것을특징으로 하는스퍼터링장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 타켓트 표면이 평판이며, 상기 자석 수단은 상기 타켓트 표면에 평행한 방향으로 자석극을 방위설정하며, 상기 자석 수단의 편심 운동은 상기 타겟트 표면에 평행한평면발생하는것을특징으로 하는스퍼터링장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 편심운동의 통로가 시간에 따라 일정하게 변하여 상기 통로가 상기 타켓, 표면의 일정하게 변하는영역횡단하는것을특징으로 하는스퍼터링장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상대 운동을 형성하는 상기 수단이 제1운동 성분을 전하여 상기 자석 수단이 상기 타켓트 표면의 적은 부분을 스위핑하는 패턴에서 중심을 벗어나회전하도록하는것을특징으로 하는스퍼터링장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,상대 운동을 형성하는 상기 수단이 제2운동 성분을 전하여 상기 회전 자석 수단이 상기 타겟트 표면의 영역의 부분에 걸쳐서 편심 통로로동시운동하는것을특징으로 하는스퍼터링장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 편심 루프 통로가 시간이 감에 따라 타겟트 표면에 대한방향이동하는것을특징으로 하는스퍼터링장치. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 패쇄된 루프 통로가 시간이 감에 따라 나선(사이클로이드형인것을특징으로 하는스퍼터링장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,편심운동을 형성하는 상기 수단이 상기 타겟트 표면의 측면 크기보다 작은 제1방사상 거리에서 제1축을 중심으로 회전하도록 상기 자석 수단에제1운동성분전하는것을특징으로 하는스퍼터링장치. [청구항 11] 제10항에 있어서,편심 운동을 형성하는 상기 수단이 상기 제1방사상 거리보다 더 큰 제2방사상 거리에서 제2축을 중심으로 상기 제1축을 회전시키기 위하여 상기 자석 수단에제2운동성분전하는것을특징으로 하는스퍼터링장치. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 자석 수단이 원형이며 자석극은 방사상으로 배열되고, 상기 타겟트 표면은 원형이며, 타켓트 반경은 상기 자석 수단의 직경보다 크며, 상기 제2방사상 거리는 상기 타겟트의 반경보다 작은 것특징으로 하는스퍼터링 장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 자석 조립체를 운동시키는 상기 수단이, 상기 타겟트 표면보다 작은 제1반경을 갖는 상기 타겟트 중심축상에 중심을 둔 원형 운동의 제1성분과, 상기 제1반경에서 원형 궤적상에 위치한 보조 축상에 중심을 둔 원형 운동의 제2성분을 상기 조립체에 전하며, 상기 운동의 제2성분은 상기 제1반경의 부분인제2반경갖는것을특징으로 하는평면 마그네트론 스퍼터링장치. [청구항 15] 제13항에 있어서,상기 자석 조립체가 일반적으로 디스크 형태이며, 방사 방향으로 자석극을 설정하고, 상기 평탄한 타겟트 표면에 평행하고, 상기 타겟트 표면의 부분인반경갖는것을특징으로 하는평면 마그네트론 스퍼터링장치. [청구항 16] 제13항에 있어서,상기 자석 조립체가 상기 중심 타겟트 축에 중심을 둔 편심 통로에서 상기 타겟트 표면을 스위프하고, 상기 편심 통로는 상기 중심 축을 중심으로 회전하여 상기 편심 통로 위를 움직이는 상기 조립체가 시간이 감에 따라 상기 타겟트 표면의 영역을 중복하지만위프하는것을특징으로 하는평면 마그네트론 스퍼터링장치. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 자석 조립체가 조립체 중심축을 설정하며, 상기 조립체가 상기 편심 통로를 움직이는 동안 상기 조립체를 이동시키는 상기 수단이 상기 조립체 중심축을 중심으로 하는회전운동성분전하는것을특징으로 하는평면 마그네트론 스퍼터링 장치. [청구항 19] 제18항에 있어서,자계를 형성하는 상기 수단이 중심을 한정하는 대칭 기하학적인 자석 조립체이며, 이것이 상기 제축을 중심으로 상기 자계를 회전시키는 상기 수단에 대하여 편심되어 있어서, 상기 자계를 이동시키는 수단이 상기 제1축을 중심으로 상기 자기 조립체가 나선운동하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 20] 제18항에 있어서,상기 자계 이동 수단이 상기 제1측상에 중심을 둔 편심 통로에서상기자계이동시키는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기 자계 이동 수단이 상기 편심 통로와 동일하게 움직이는동안상기자계회전시키는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 22] 제18항에 있어서,상기 자계 이동 수단이 상기 제1방사 거리보다 작은 제2방사 거리에서 제2축을 중심으로 상기 자게를 동시에 회전시켜서 상기 방사 운동을 전하며, 상기 제2측은 상기 제1방사 거리에서상기제1축을중심이동하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 23] 제18항에 있어서,자계를 이동시키는 상기 수단이 방사상으로 배열된 극을 방사 대칭형으로 방위 설정된막대자석포함하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 24] 제23항에 있어서,상기 자석이 일반적으로 원형인 극편에 의해 둘러싸여있는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 25] 제24항에 있어서,상기 극면과 자석이 디스크형 자석 보조 조립체를 형성하기 위하여 상자에 넣어진 것특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 26] 제18항에 있어서,상기 장치가 한 측면에 상기 전계의 종점을 형성하는 평판 타겟트를 포함하고, 자계를 회전시키는 상기 수단은 반대 측면에 위치하며, 상기 타겟트가 플라즈마로부터의 이온에 의한 충격으로 부식되어 미세한 입자가그스퍼터되는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 27] 제18항에 있어서,자계를 형성하는 상기 수단이 타겟트의 측면 크기보다 작은 상기 타겟트에 평행한 방향으로 된 크기를 갖는 대칭 자석 조립체를 포함하고 상기 자석 조립체는 플라즈마로부터 상기 타겟트의 반대 측면상에서 또 상기 타겟트에 평행하며 인접한 평면에서 이동하고회전하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 28] 제18항에 있어서,상기 장치가 처리될 물체를 수취하도록 적용되고 상기 플라즈마를 포함하는 도전성 코팅 챔버를 포함하며, 상기 챔버는 다른 나머지 벽으로부터 전기적으로 절연된 한 벽을 가지며, 상기 한벽은 상기 나머지 벽과 다른 전기 전위로 유지되며, 자계를 형성하는 상기 수단은 상기 챔버를 대향하는 한벽의측면상위치되는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 29] 제28항에 있어서,벽이 전기적으로 양극이며, 상기 플라즈마로부터의 이온이 처리될 물체를 수취하도록 적용된 다른 벽에 인접한 위치를 향하도록 되어물체의표면구성한것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 30] 제28항에 있어서,벽이 전기적으로 음극이고 또한 챔버 측면상에 전기적으로 접촉하도록 고정된 타겟트를 포함하며, 상기 타겟트는 상기 플라즈마로부터의 이온에 의해 충격되어, 미세한 입자가 그로부터스퍼터구성시킨것을특징으로 하는플라즈마 발생 장치. [청구항 31] 제18항에 있어서,벽이 일잔적으로 원형이며, 상기 제1측은 한 벽의 중심과 일치하고, 상기 자계는 상기 한 벽의 반경보다 작은 측면 크기를 갖는 대칭형 자석 보조 조립체에 의해 공급되며, 상기 자석 보조 조립체는 상기 제1축 주위를 회전하면서 상기 한벽의중심과그의주변사이를방사상이동하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 32] 제31항에 있어서,상기 자석 보조 조립체가 자석 보조 조립체축을 중심으로그의주변내회전되는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 33] 제32항에 있어서,상기 자석 보조 조립체가 회전하는 보조 조립체의 축은 상기 보조 조립체의 가하학적인축일치하지않는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치. [청구항 34] 제28항에 있어서,상기 자계는 중심축을 갖는 자석 조립체에 의해 공급되고, 자계를 회전시키는 상기 수단은 제1반경을 갖는 회전 운동의 제1성분을 상기 자계에 전하며, 상기 제1축에 대하여 자계를 방사상으로 움직이도록 하는 상기 수단이 제1축을 중심으로 하는 상기 회전동안에 제1반경의 거리에서 상기 자석 조립체가 축을 벗어나 회전하도록 하는수단포함하는것을특징으로 하는플라즈마 발생장치.