문맥 (context)
[청구항 1]
전동기가 직류 전력원에 접속된 제 1 및 제 2 단자를 갖고, 구동 회로가 상기 직류 전력원을 거쳐 상기전동기 단자를 직렬로 접속되도록 개작된 양방향성 유도 직류 전동기용 구동 회로에 있어서,
전력원을 거쳐 h-연결 구조로 상기 전동기 단자들에 접속된 4개의 전력 mosfet를 구비하고 그중 제 1 및 제 2 상측 전력 mosfet는 상기 제 1 및 제 2 전동기 단자들에 각기 접속되고, 나머지 제 1 및 제 2 하측 전력 mosfet는 상기 제 1 및 제 2 전동기 단자들에 각기 접속되고, 두 논리 상태중 한 논리 상태를 갖는 제 1 및 제 2 제어 신호들을 각기 수신하기 위한 제 1 및 제 2 입력 단자 수단과,
상기 제 1 상측 및 제 1 하측전력 mosfet들간의 통전을 상보식으로 제어하기 위해 상기 제 1 상측 및 제 1 하측 전력 mosfet들과 제 1 입력 단자간에 접속된 제 1 스위칭 수단과, 상기 제 2 상측 및 제 2 하측 전력 mosfet들간의 통전을 상보식으로 제어하기 위해 상기 제 2 상측 및 제 2 하측 전력 mosfet들과 제 2 입력 단자간에 접속된 제 2 스위칭 수단을 구비한 것을 특징으로하는 양방향성 직류 유도 전동기용 구동회로
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 제 1 스위칭 및 제 2 스위칭 수단은 제어 mosfet수단각각포함하는것을특징으로 하는전동기 구동회로.
[청구항 3]
제 2 항에 있어서,상기 제어mosfet수단은 1쌍의 제어 mosfet들을 포함하고, 1쌍의 제어 mosfet들은 상기 입력 단자와 상측 및 하측 전력 mosfet들 중 한 mosfet의 게이트간에 접속되고, 쌍을 이루는 mosfet들중 1개의 제어 mosfet는 상기 입력단자와 나머지 mosfet의게이트간접속되는것을특징으로하는전동기 구동회로.
[청구항 4]
제 2 항에 있어서,상측 및 하측 전력mosfet들간의 상호 통전을 방해하기 위해, 상기 제 1 및 제 2 스위칭 수단의 제어 mosfet수단은 기설정된 최대 임계전압을 갖고 상기 전력 mosfet수단은 상기 제어 mosfet수단의 최대 임계 전압보다 높은 기설정된최소임계전압갖는것을특징으로하는전동기 구동회로.
[청구항 5]
제 4 항에 있어서,상기 전력mosfet들은 각각 고유 입력 캐패시턴스를 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 스위칭 수단은 전력 mosfet들의 게이트에 접속되고, 상기 저항 수단은 상기 입력 캐패시턴스와 함께 사용되어 각 전력 mosfet들에 대한 턴오프 시간 계수보다 긴 턴은 시간 계수를 제공할 수 있도록 기설정된 것으로 각각의 상측 및 하측 전력 mosfet들간의상호통전더욱방해하는것을특징으로하는전동기 구동회로.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 입력 단자들에서 수신된 두 제어신호들은 동일 논리 상태를 동시에 갖을수도 있고, 상기 논리 상태는 상기 제 1 및 제 2 상측 전력 mosfet들과 상기 제 1 및 제 2 하측 전력 mosfet들의 통전을 동시에 야기시켜 전동기를 차단하도록동작하는것을특징으로 하는전동기 구동회로.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,펄스폭 변조 제어신호를 수신하기 위한 제 3 입력단자와, 전동기의 속도를 제어하기 위해 상기 제 3 입력 단자로부터 4개의 mosfet들중 제 1 및 제 2 하측 전력 fet까지 상기 펄스폭 변조 제어 신호를 전송시키는회로수단포함하는것을특징으로하는전동기 구동회로.
[청구항 8]
제 7 항에 있어서,통상시에는 상기 제 1 및 제 2 하측 전력 mosfet들중 하나만이 상기 제 1 및 제 2 입력 단자들에서 수신된 상기 제어신호들에 의해 한번에 통전되고, 상기 제 1 및 제 2 하측 전력 mosfet들에 상기 펄스폭 변조 제어신호들을 전송하기 위한 상기 회로 수단은 상기 제 1 및 제 2 입력단자들의 상기제어 신호들에 의해 통전되는 상기 제 1 및 제 2 하측 전력 mosfet들중 1개의 mosfet통전을추가조절하는것을특징으로하는전동기 구동회로.
[청구항 9]
제 8 항에 있어서,상기 펄스폭 변조제어 신호는 기설정된 반복율을 갖고, 상기 반복율은 500hz보다 작은 것특징으로 하는전동기 구동회로.
[청구항 10]
제 9 항에 있어서,상기 펄스폭 변조제어신호의 반복율은 30내지 75hz범위갖는것을특징으로 하는전동기 구동회로.
[청구항 11]
제 9 항에 있어서,상기 전동기는창문용와이퍼전동기인것을특징으로하는전동기 구동회로.
[청구항 12]
제 9 항에 있어서,상기 전력mosfet는 다이오드를 포함하고, 상기 펄스폭변조 제어신호는 상기 반복율에 의해 결정된 주기동안 상기 제 1 및 제 2 하측 전력 mosfet들중 조절된 1 개 mosfet의 통전을 선택적으로 종료시키고, 통전이 끝난 기간은 상기 전력 mosfet내의 다이오드가 회복하는데 필요한최소간격적어도초과하는것을특징으로하는전동기 구동회로.
[청구항 13]
제 12 항에 있어서,상기구동 회로에 대해 기설정된 값보다 큰과도 전압을 방지하기 위해 직류 전력원과 상기 구동 회로간에 접속된 과도 현상 방지회로를 제공하고, 각 상측 mosfet들은 기설정된 과도 전압방지 값의 적어도 2배가 되는최소항복전압갖는것을특징으로하는전동기 구동회로.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
양방향성 전동기 구동 회로에서 상측 및 하측 전력 mosfet들 간의 상호 통전을 방해하기 위해 설정된 제어 mosfet수단과 전력 mosfet수단의 임계전압 관계는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation양방향성 전동기 구동 회로에서 상측 및 하측 전력 mosfet 간의 상호 통전을 방해하기 위한 제어 mosfet수단과 전력 mosfet수단의 임계전압 관계를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 4에서 상호 통전을 방해하기 위한 제어 mosfet수단의 임계전압과 전력 mosfet수단의 임계전압에 관한 기술적 특징을 추출한다.
- 상측 및 하측 전력mosfet들간의 상호 통전을 방해하기 위해, 상기 제 1 및 제 2 스위칭 수단의 제어 mosfet수단은 기설정된 최대 임계전압을 갖고 상기 전력 mosfet수단은 상기 제어 mosfet수단의 최대 임계 전압보다 높은 기설정된최소임계전압갖는것을특징으로하는전동기 구동회로
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3근거 선택
evidence_selection제어 mosfet수단은 기설정된 최대 임계전압을 갖고, 전력 mosfet수단은 제어 mosfet수단의 최대 임계 전압보다 높은 기설정된 최소 임계전압을 갖는다는 구절을 선택한다.
- 제어 mosfet수단은 기설정된 최대 임계전압을 갖고 상기 전력 mosfet수단은 상기 제어 mosfet수단의 최대 임계 전압보다 높은 기설정된최소임계전압갖는것
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4논리 통합
logical_integration제어 mosfet수단의 최대 임계전압(V_control_max)과 전력 mosfet수단의 최소 임계전압(V_power_min) 사이에는 V_power_min > V_control_max라는 관계가 성립함을 확인한다.
- 상기 전력 mosfet수단은 상기 제어 mosfet수단의 최대 임계 전압보다 높은 기설정된최소임계전압갖는것
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5결론 도출
conclusion_formulation제어 mosfet수단은 기설정된 최대 임계전압을 가지며, 전력 mosfet수단은 이 제어 mosfet수단의 최대 임계전압보다 높은 기설정된 최소 임계전압을 갖는다.
- 제어 mosfet수단은 기설정된 최대 임계전압을 갖고 상기 전력 mosfet수단은 상기 제어 mosfet수단의 최대 임계 전압보다 높은 기설정된최소임계전압갖는것
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 제어 mosfet수단은 기설정된 최대 임계전압을 갖고 상기 전력 mosfet수단은 상기 제어 mosfet수단의 최대 임계 전압보다 높은 기설정된최소임계전압갖는것
최종 답변 (final_answer)
제어 mosfet수단은 기설정된 최대 임계전압을 갖고, 상기 전력 mosfet수단은 상기 제어 mosfet수단의 최대 임계 전압보다 높은 기설정된 최소 임계전압을 갖는다.
핵심 해석 (core_interpretation)
상측 및 하측 전력 MOSFET 간의 상호 통전(Short-circuit)을 방지하기 위해, 제어 MOSFET의 최대 임계전압보다 전력 MOSFET의 최소 임계전압을 더 높게 설정하여 동작 시점을 분리하는 기술이다.