다중-공정및무오염플라즈마에칭장치 document_id 1019870003758

[청구항 1] 다수 포오트가 다수 포오트로부터 간격이 떨어진 단일 위치로부터 통할 수 있도록, 예정된 공간 궤적에 배열된 입구 및 출구 각각이 가지는 복수의, 단일-웨이퍼 플라즈마 에칭용 기들 단일위치로부터 통할 수 있는 웨이퍼 통로구를 한정하는 동일한 예정공간 궤적을 따라서 복수용기와 간격이 떨어져 있는 웨이퍼 대기장소 각각이 복수의, 단일-웨이퍼 플라즈마 에칭용기 입구 및 출구들중의 해당포오트들 및 웨이퍼 대기장소 웨이퍼 통로구에 연결된 복수밸브수단 웨이퍼들을 대기장소의 웨이퍼 통로로부터/통로로, 입구 및 출구 중 관련된 포트를 거쳐서, 단일 웨이퍼 플라즈마 에칭용 기중 선택된 용기로/용기로부터 이동시키기 위해서, 단일위치에 배열되어 다수 밸브 수단중의 해당 밸브와 함께 작동하는 단일-웨이퍼 이동 수단으로 이루어짐을 특징으로 하는 다중-공정 및 무. 오염 플라즈마 에칭장치 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,예정된 공간궤적이 닫힌 궤적이며, 단일위치가 닫힌궤적의기하학적중심일치함을특징으로 하는다중-공정 및 무. 오염 플라즈마 에칭장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,웨이퍼대기장소가 카세트와, 카세트를 수직방향으로 이동시키기 위한색인엘리베이터기구포함함을특징으로 하는다중-공정 및 무, 오염 플라즈마 에칭장치. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,복수 플라즈마 에칭 용기들 중각각이 플라즈마 체임버를 한정하는벽들포함함을특징으로 하는다중-공정 및 무. 오염 플라즈마 에칭장치. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,복수 플라즈마에칭용 기들중의 각각이, 첫째 및 둘째전극과, 상대적인 전극 이동을 위해서, 첫째 및 둘째 전극을 벽들에 설치하기 위한수단포함함을특징으로 하는다중-공정 및 무. 오염 플라즈마 에칭장치. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,복수 플라즈마 에칭용기들 중의 각각이 전극들중 하나에 끼워 넣어진 축받이대 및, 전극들중의 하나에 대해서 수직이동을 위해서 축받이대를 설치하기 위한수단포함함을특징으로 하는다중-공정 및 무. 오염 플라즈마 에칭장치. [청구항 7] 제 5 항에 있어서,복수 플라즈마 에칭용기중의 각각이, 첫째 및 둘째 전극을 냉각/가열시키기 위한수단포함함을특징으로 하는다중-공정 및 무. 오염 플라즈마 에칭장치. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,웨이퍼이동 수단은 웨이퍼수용암 및 웨이퍼 둘레의 접촉에 의해서 단일 웨이퍼들을 잡고 어떠한 접촉도 웨이퍼의 앞면에 이루어지지 않게 잡기 위한 암에 설치된수단포함함을특징으로 하는다중-공정 및 무. 오염 플라즈마 에칭장치. [청구항 9] 제 2 항에 있어서,웨이퍼이동수단이, 웨이퍼 둘레를 접촉시킴으로써 암상에 배열된 단일웨이퍼들을 잡고, 웨이퍼의 앞면에 어떠한 접촉도 이루어지지 않기 위한 수단을 가지는,가동웨이퍼수용암포함함을특징으로 하는다중-공정 및 무. 오염 플라즈마 에칭장치. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,가동 웨이퍼수용 암조립체가 축주위로 tt 내의 기초부재 플랫포옴을 회전시키기 위한 기초부재 플랫포옴과 수단 ; 패들 ; 및 기초 부재플랫포옴에 대해서 r 내의 미끄럼 이동을 위한 패들을 설치하기 위한수단포함함을특징으로 하는다중-공정 및 무. 오염 플라즈마 에칭장치. [청구항 11] 제10항에 있어서,패들이 웨이퍼지지용 첫째부분, 웨이퍼 에지 맞물림 둘째부분 및, 첫째부분에 대한 미끄럼이동을 위해서 둘째 부분을 설치하기 위한수단포함함을특징으로 하는다중-공정 및 무. 오염 플라즈마 에칭장치. [청구항 12] 제11항에 있어서,패들의 첫째부분이 예지상에 골추선 접합물을 가지며, 웨이퍼 에지맞물림 둘째부분은 첫째부분의 곧추선 접합물과 함께 작용하여, 단일웨이퍼의 둘레와 맞물기 위한 범퍼를 가지는슬라이드포함함을특징으로 하는다중-공정 및 무. 오염 플라즈마 에칭장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,패들이 범퍼를 접합물쪽으로 탄성적으로 내몰기위한수단포함함을특징으로 하는다중-공정 및 무.오염 플라즈마 에칭장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,웨이퍼가 플랫포옴상에 위치되어 있는지 여부를 감지하기 위한수단포함함을특징으로 하는다중-공정 및 무. 오염 플라즈마 에칭장치. [청구항 15] 제14항에 있어서,감지수단이 플랫포옴에 설치된 접촉-감응스위치포함함을특징으로 하는다중-공정 및 무. 오염 플라즈마 에칭장치. [청구항 16] 제 1 항에 있어서,복수의 단일-웨이퍼 플라즈마 에칭용기들의 각각이 저주파플라즈마방전생성원포함함을특징으로 하는다중-공정 및 무. 오염 플라즈마 에칭장치. [청구항 17] 제 1 항에 있어서,복수의 단일-웨이퍼플라즈 에칭용기들중 각각이고주파플라즈마방전생성원포함함을특징으로 하는다중-공정 및 무. 오염 플라즈마 에칭장치. [청구항 18] 제 1 항에 있어서,복수의 단일-웨이퍼 플라즈마 에칭용기들중의 각각이초단과플라즈마방전생성물포함함을특징으로 하는다중-공정 및 무. 오염 플라즈마 에칭장치. [청구항 19] 제16항에 있어서,주파 플라즈마가 5 내지 450khz의주파수생성됨을특징으로 하는다중-공정 및 무. 오염 플라즈마 에칭장치. [청구항 20] 제17항에 있어서,고주파 플라즈마가 1 내지 50mhz의주파수생성됨을특징으로 하는다중-공정 및 무. 오염 플라즈마 에칭장치. [청구항 21] 제18항에 있어서,초단파 플라즈마가 1내지 4mhz의주파수생성됨을특징으로 하는다중-공정 및 무. 오염 플라즈마 에칭장치. [청구항 22] 제 5 항에 있어서,전극들이 이 극관배열특징으로 하는다중-공정 무. 오염 플라즈마 에칭장치. [청구항 23] 제 5 항에 있어서,전극들이 삼극관배열특징으로 하는다중-공정 및 무. 오염 플라즈마 에칭장치. [청구항 24] 제 5 항에 있어서,전극들을 자기적으로 향상시키기 위한수단포함함을특징으로 하는다중-공정 및 무. 오염 플라즈마 에칭장치.