포토 리지스트층에 양성 패턴을 만드는 공정 document_id 1019870004578

[청구항 1] (a) 가시복사선 또는 자외복사선을 쪼이면, 감광성 수지의 층의 조사된 부분이 조사된 부분의 투과성을 실질적으로 억제하는 교차결합을 하게되어, 감광성 교차결합제와 혼합되거나 또는 결합되고, 작용기를 가지는 중합체로 이루어지는, 감광성수지의 층으로 기판을 피복하는 단계 (b) 층의 선택된 부분만 노출시키고, 이 부분의 투과성을 실질적으로 억제시키기 위해서 감광성수지층을 마스크를 통해서 자외복사선 또는 가시광선에 노출시키는 단계 (c) 감광성수지층을 실리콘화합물로 처리하여, 이 실리콘화합물이 층의 비-조사된 부분에 선택적으로 흡수되고, 이 실리콘화합물이 비-조사된 부분의 감광성수지와 반응하게 되는 단계 및 (d) 양성패턴을 만들기 위해서 이렇게 처리된 감광성수지층을 플라즈마에칭에 의해서 건식현상하여, 이 수지층의 조사된 부분을 선택적으로 제거하는 단계로 이루어지는, 포토리지스트층에 양성패턴을 만든 공정 [청구항 2] 제1항에 있어서,감광성 교차결합제가 비스-아릴아지드임을 특징으로 하는 포토리지스트층에 양성패턴만드는공정. [청구항 3] 제2항에 있어서,비스-아릴아지드가, 1.1'-(1,2-에텐디일)비스[4-아지도벤젠], 비스(4-아지도페닐) 케톤, 2,6-비스[(4-아지도페닐)메틸렌]-클로로헥사논, 2,6-비스[(4-아지도페닐)메틸렌]-4-메틸클로로헥사논, 1,1'-슬포닐비스(3-아지도벤젠), 그들의 유도체들과, 상기 화합물중 적어도 두 개의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 포토리지스트층에 양성패턴만드는공정. [청구항 4] 제1항에 있어서,작용기들을 가지는 중합체가 페놀중합체임을 특징으로 하는, 포토리지스트층에 양성패턴만드는공정. [청구항 5] 제4항에 있어서,페놀중합체가, -알킬기, 아릴기 또는 할로겐원소에 의해서 고리-치완된 페놀, 나프톨 또는 이들 유도체와, 할로겐원소에 의해서 치환될 수 있는 지방족 알데히드 또는 방향족 알데히드의 축합생성물. -알킬기 : 아릴기 또는 할로겐원소에 의해서 치환될 수 있는 페놀그룹을 가지는 폴리(비닐페놀). -에틸렌성 분포화된 화합물을 가지는 비닐페놀의 공중합체 및 -상기 중합체들 그 자체의 혼합물 또는 폴리스티렌 또는 폴리(n-비닐카르브아졸)과 같은, 다른 방향족 중합체들과의 혼합물로부터 선택됨을 특징으로 하는 포토리지스트에 양성패턴만드는공정. [청구항 6] 제1항에 있어서,감광성수지가 염료를 포함함을 특징으로 하는 포토리지스트에 양성패턴만드는공정. [청구항 7] 제1항에 있어서,감광성수지층이 350 내지 450nm의 파장을 가지는 근 자외선에 노출됨을 특징으로 하는 포토리지스트에 양성패턴만드는공정. [청구항 8] 제1항에 있어서,실리콘화합물이 쉽게 기화할 수 있는 실릴레이트제임을 특징으로 하는 포토리지스트에 양성패턴만드는공정. [청구항 9] 제1항에 있어서,실리콘화합물이 휘발하여, 증기 상태에서 감광성수지층과 접촉하게 됨을 특징으로 하는 포토리지스트에 양성패턴만드는공정. [청구항 10] 제1항에 있어서,실리콘 화합물이, 테트라클로로실란, 트리메틸클로로실란, 디메틸클로로실란, 메틸트리클로로실란, 트리메틸브로모실란, 트리메틸이오도실란, 트리페닐클로로실란, 헥사메틸디실아잔, 헵타메틸디실아잔, 헥사페닐디실아잔, 1,3-비스(클로로메틸)-1,1,3,3-테트라메틸디실아잔, n트리메틸실릴이미다졸, n-트리메틸실릴아세트아미드, n-트리메틸실릴디메틸아민, -n트리메틸실릴디에틸아민, 헥사메틸실란디아민, n,o-비스(트리에틸실릴) 아세트이미드, n,n'-비스(트리메틸실릴) 우레아, n,n'-디페닐-n-(트리메틸실릴) 우레아 및 이들 화합물의 적어도 두 개의 혼합물로부터 선택된 실릴레이트제임을 특징으로 하는 포토리지스트에 양성패턴만드는공정. [청구항 11] 제10항에 있어서,레이트제가 헥사메틸디실아잔임을 특징으로 하는 포토리지스트에 양성패턴만드는공정. [청구항 12] 제1항에 있어서,감광성수지층의 실리콘화합물을 사용한 처리가 0 내지 250℃의 온도에서 행해짐을 특징으로 하는 포토리지스트에 양성패턴만드는공정. [청구항 13] 제2항에 있어서,처리가 80내지 180℃의 온도에서 행해짐을 특징으로 하는 포토리지스트에 양성패턴만드는공정. [청구항 14] 제1항에 있어서,감광성수지층의 실리콘화합물을 사용한 처리의 시간이 수초 내지 1시간임을 특징으로 하는 포토리지스트에 양성패턴만드는공정. [청구항 15] 제14항에 있어서,처리시간이 1 내지 45분임을 특징으로 하는 포토리지스트에 양성패턴만드는공정. [청구항 16] 제1항에 있어서,건식현상이 산소-반응성이온 또는 산소플라지마에칭에 의해서 행해짐을 특징으로 하는 포토리지스트에 양성패턴만드는공정.