반도체 웨이퍼 처리 시스템용 열 전달 장치 document_id 1019870004806

[청구항 1] 진공실에서 얇고 탄력성 있는 작업편을 처리하는 동안 열 전달을 위한 장치에 있어서 상기 진공실에 노출되는 표면을 이용하여 처리 위치에서 상기 작업편을 지지하기 위해 플래턴 표면을 포함하는 플래턴 수단과 상기 작업편을 상기 플래턴 표면에 클램핑 하는 수단과 상기 작업편과 상기 플래턴 표면 사이의 열전달 영역내로 소정 압력의 기체를 유입하기 위한 수단과 상기 열전달 영역으로부터 상기 진공실내로 상기 기체의 흐름을 금지하는 수단을 구비하며 상기 진공실은 상기 웨이퍼의 주변 부근의 상기 플래턴 표면과 상기 열 전달 영역을 둘러싸는 밀폐 홈과 길쭉한 단면을 갖는 탄성체 링을 구비하며, 상기 홈은 상기 링의 제1고정 연부를 단단히 고정하기 위해 제1홈 부분을 포함하여 상기 링의 제2이동 연부 부분은 상기 플래턴 위로 연장되고 상기 작업편과 접촉하며, 상기 긴 길이를 갖는 길쭉한 단면부는 상기 플래턴 표면에 대해 예각으로 위치되고, 제2홈 부분은 상기 작업편이 상기 플래턴 표면에 클램프 되었을 때 굴곡변형에 의해 상기 링의 제2이도 연부 부분을 수용하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 시스템용 열 전달장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 링의 이동 연부 부분은 상기 링이 작업편에 접촉하는 지점까지 거의 테이퍼된단면부갖는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 처리 시스템용 열 전달장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 링의 상기길쭉한 형태의 단면은평행사변형형태갖는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 처리 시스템용 열 전달장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 제1홈 부분은 상기 링의 반대 측면을 견고하게 고정하기 위해 간격을 두고 있는 평행한 측벽을 포함하며, 상기 측벽은 상기 플래턴 표면에 대해예각위치되는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 처리 시스템용 열 전달장치. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 제2홈 부분은 상기 플래턴 표면에 수직이며 상기 제1홈 부분의 개방, 단부에 인접하여 위치된홈포함하는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 처리 시스템용 열 전달장치. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 클램핑 수단은 주변 변두리 부근에서 상기 작업편을 클램핑 하기 위해클램핑링포함하는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 처리 시스템용 열 전달장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,기체 유입 수단은 상기 밀폐 홈의 내부 방향으로 상기 표면에서 제2환형 홈을 포함하며, 상기 제2환형 홈에 기체를 제공하기 위한수단포함하는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 처리 시스템용 열 전달장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 플래턴 표면은 상기 열 전달 영역에서 기체의 압력을 상쇄시키기 위해 상기 작업편의 응력에 대해 평면 상태가 아닌 것특징으로 하는반도체 웨이퍼 처리 시스템용 열 전달장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 플래턴 표면은 소정 압력의 기체를 유입시키기 위해 중앙 공동을 갖는 평평한형태인것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 처리 시스템용 열 전달장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 작업편으로부터 상기 플래턴 표면에 전달된 열 에너지를 제거하기 위해냉각수단포함하는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 처리 시스템용 열 전달장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 작업편은 반도체웨이퍼인것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 처리 시스템용 열 전달장치. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 열 에너지는 활성 이온 빔에 의해 상기 진공실에서 작업편으로전달되는것을특징으로 하는반도체 웨이퍼 처리 시스템용 열 전달장치