문맥 (context)
[청구항 1]
수직측면부를 갖는 디프 트렌치를 형성하기 위해 단결정 실리콘을 구멍이 뚫린 마스크를 통해 빠르고 비등방성으로 리액티브 이온 프라즈마 에칭하기 위한 공정은
a) 이산화 실리콘과 실리콘 나이트라이드로 구성되는 그룹중에서 선택되는 구멍이 뚫린 마스크와 단결정 실리콘을 제공하는 단계,
b) 니트로겐 트리플루오라이드(nf 3 )와 카본 1원자만을 함유하는 할로플루오로카본(hfc) 화합물이 1-2nf 3
1-3hfc비율인 에칭 조운내의 분위기에 상기 기판을 노출시키는 단계,
c) 상기 플라즈마의 이온들을 상기 마스크의 개구를 통해 단결정 실리콘 기판내로 향하게 하므로써 플라즈마 분위기를 생성하고 상기 기판을 비등방성의 리액티브 이온 에칭하는 단계를 구비하고, 상기 에칭은 500-2000와트의 전력과 1-50mhz의 주파수를 사용해서 적어도 0.1미크론/분의 빠른 속도로 실행되어, 상기 기판에 수직 깊이가 3-15미크론이고 마스크의 언더커팅 및 트렌치의 보잉이 실질적으로 전재하지 않는 디프 트렌치를 형성하게 되는 것을 특징으로 하는 실리콘의 플라즈마 에칭공정
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 할로플루오카본은 cf3cl, cf2cl2, cf3br, cf3i, cf2br2, cf2 i2, cf3clh 및 ccl2fh로 구성되는그룹중선택되는것을특징으로 하는공정.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 분위기는 nf3와 cf3cl를구비하는것을특징으로 하는공정.
[청구항 4]
제1항에 있어서,에칭하는 동안 상기 에칭 조운은 0.1보다 크고 1.0torr까지의압력유지되는것을특징으로 하는공정.
[청구항 5]
제1항에 있어서,구멍이 뚫린마스크인것을특징으로 하는공정.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 에칭 조운에서의대기유동속도인것을특징으로 하는공정.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 에칭 조운은 15-25℃의 온도를 유지하는 이격된전극들포함하는것을특징으로 하는공정.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 분위기는 아르곤, 크립톤, 헬륨 또는 네온으로 구성되는 그룹 중에서 선택된희석개스포함하는것을특징으로 하는공정.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
단결정 실리콘에 수직 깊이가 3-15미크론이고 언더커팅 및 보잉이 실질적으로 없는 디프 트렌치를 형성하기 위해, 청구항 1의 에칭 공정에서 사용되는 에칭 가스 분위기의 구성 성분과 그 성분들 간의 비율은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation질문은 청구항 1에 기재된 디프 트렌치 형성을 위한 에칭 가스의 구성 성분과 그 성분 간의 비율을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1의 b) 단계를 통해 에칭 분위기에 사용되는 가스 성분과 비율 정보를 추출한다.
- 니트로겐 트리플루오라이드(nf 3 )와 카본 1원자만을 함유하는 할로플루오로카본(hfc) 화합물이 1-2nf 3 1-3hfc비율인 에칭 조운내의 분위기
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3근거 선택
evidence_selection가스 성분인 '니트로겐 트리플루오라이드(nf 3)'와 '카본 1원자만을 함유하는 할로플루오로카본(hfc)' 및 비율인 '1-2nf 3 1-3hfc'를 근거로 선택한다.
- 니트로겐 트리플루오라이드(nf 3 )와 카본 1원자만을 함유하는 할로플루오로카본(hfc) 화합물이 1-2nf 3 1-3hfc비율
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4논리 통합
logical_integration추출된 성분(nf3, hfc)과 비율(1-2nf3 : 1-3hfc)을 결합하여 질문에 대한 답을 구성한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation에칭 가스 분위기는 nf3와 hfc로 구성되며, 그 비율은 1-2nf3 : 1-3hfc이다.
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6답변 생성
answer_generation확정된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
에칭 가스 분위기의 구성 성분은 니트로겐 트리플루오라이드(nf3)와 카본 1원자만을 함유하는 할로플루오로카본(hfc) 화합물이며, 성분들 간의 비율은 1-2nf3 : 1-3hfc이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 특정 비율의 nf3와 hfc 혼합 가스를 사용하여 언더커팅과 보잉이 최소화된 고종횡비의 디프 트렌치를 형성하는 실리콘 플라즈마 에칭 공정에 관한 것이다.