문맥 (context)
[청구항 21]
제20항에 있어서,에미터 폴리실리콘 층의 측벽 상의 절연물 스페이서 플러그를 포함하는 것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 22]
제21항에 있어서,페이서 플러그와 맞댐 관계로 외인성 베이스 영역에 접촉되는베이스폴리실리콘층포함하는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 23]
제21항에 있어서,콜렉터 불순물이 안티몸이고, 제1도전형이 p-형이며,제2도전형형인것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 24]
제21항에 있어서,에미터와 베이스 폴리실리콘 층 및 콜렉터 접촉 영역상에 형성된규화물층포함하는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 25]
제20항에 있어서,분리 영역이 에피택셜 층을 통해 기판내로 하향연장되는트랜치인것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 26]
제20항에 있어서,베이스 접촉 개구를 갖고 있는 에피택셜 층 상의 절연층, 절연물 층의 측벽상의 측벽 절연물 플러그 및 폴리실리콘 밑의 에미터 영역용 에미터 도우펀트 층으로서 사용하기 위해 베이스 내에 형성된 에미터 폴리실리콘층을 포함하고, 플러그 에미터 폴리실리콘으로부터 진성베이스 영역내로의 에미터 확산이 측벽 플러그의 스페이싱 효과로 인해 진성 베이스 영역내에 내포되어 되도록 절연물 마스크의 연부로부터 에미터 폴리 실리콘 층을 간격을 두고 배치시키기 위해사용되는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 27]
제26항에 있어서,에미터 폴리실리콘 층의 측벽상의 절연물 외인성 베이스 스페이서 플러그를 포함하는 것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 28]
제27항에 있어서,에미터 폴리실리콘 층에 후속 형성되고 외인성 베이스 스페이서 플러그에 의해 에미터 폴리실리콘 층으로부터 간격을 두고 배치된도전성외인성 베이스접촉부포함하는것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 29]
제26항에 있어서,콜렉터 불순물이 안티몬이고, 제1도전형이 p-형이며,제2도전형형인것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
[청구항 30]
제26항에 있어서,분리 영역이 에피택셜층을 통해 기판내로 하향연장되는트렌치인것을특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
외인성 베이스 스페이서 플러그는 어디에 위치하며, 이로 인해 어떤 부재가 이격 배치되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation질문은 외인성 베이스 스페이서 플러그의 위치와, 그 플러그로 인해 이격 배치되는 부재를 함께 확인할 것을 요구한다.
- 에미터 폴리실리콘 층의 측벽상의 절연물 외인성 베이스 스페이서 플러그를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
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2정보 추출
information_extraction외인성 베이스 스페이서 플러그가 에미터 폴리실리콘 층의 측벽상에 위치한다는 정보(문장1)와, 그 플러그에 의해 도전성 외인성 베이스 접촉부가 에미터 폴리실리콘 층으로부터 간격을 두고 배치된다는 정보(문장2)를 각각 추출한다.
- 에미터 폴리실리콘 층의 측벽상의 절연물 외인성 베이스 스페이서 플러그를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
- 에미터 폴리실리콘 층에 후속 형성되고 외인성 베이스 스페이서 플러그에 의해 에미터 폴리실리콘 층으로부터 간격을 두고 배치된 도전성 외인성 베이스 접촉부를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
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3근거 선택
evidence_selection플러그의 위치는 앞 단계에서 이미 확인되었으므로, 이 단계에서는 질문 후반부(이격 배치되는 부재)에 직접 필요한 근거로 좁혀 도전성 외인성 베이스 접촉부를 명시한 문장만 선별한다.
- 에미터 폴리실리콘 층에 후속 형성되고 외인성 베이스 스페이서 플러그에 의해 에미터 폴리실리콘 층으로부터 간격을 두고 배치된 도전성 외인성 베이스 접촉부를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
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4논리 통합
logical_integration두 문장을 연결하면, 에미터 폴리실리콘 층 측벽에 형성된 외인성 베이스 스페이서 플러그가, 후속 형성되는 도전성 외인성 베이스 접촉부를 에미터 폴리실리콘 층으로부터 일정 간격 이격시키는 역할을 함을 알 수 있다.
- 에미터 폴리실리콘 층의 측벽상의 절연물 외인성 베이스 스페이서 플러그를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
- 에미터 폴리실리콘 층에 후속 형성되고 외인성 베이스 스페이서 플러그에 의해 에미터 폴리실리콘 층으로부터 간격을 두고 배치된 도전성 외인성 베이스 접촉부를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
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5결론 도출
conclusion_formulation외인성 베이스 스페이서 플러그는 에미터 폴리실리콘 층 측벽에 위치하며, 이로 인해 도전성 외인성 베이스 접촉부가 에미터 폴리실리콘 층으로부터 이격 배치된다는 결론이 두 문장으로부터 뒷받침된다.
- 에미터 폴리실리콘 층에 후속 형성되고 외인성 베이스 스페이서 플러그에 의해 에미터 폴리실리콘 층으로부터 간격을 두고 배치된 도전성 외인성 베이스 접촉부를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
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6답변 생성
answer_generation도출된 결론을 최종 답변으로 구성하며, 플러그의 위치와 이격 배치되는 부재를 각각 뒷받침하는 두 근거를 함께 유지한다.
- 에미터 폴리실리콘 층의 측벽상의 절연물 외인성 베이스 스페이서 플러그를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
- 에미터 폴리실리콘 층에 후속 형성되고 외인성 베이스 스페이서 플러그에 의해 에미터 폴리실리콘 층으로부터 간격을 두고 배치된 도전성 외인성 베이스 접촉부를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터.
최종 답변 (final_answer)
외인성 베이스 스페이서 플러그는 에미터 폴리실리콘 층의 측벽상에 절연물로 형성되며, 이 플러그에 의해 후속 형성되는 도전성 외인성 베이스 접촉부가 에미터 폴리실리콘 층으로부터 일정 간격을 두고 이격 배치된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
이 구성은 측벽 스페이서 플러그를 절연 간격재로 활용하여, 에미터 폴리실리콘 층과 외인성 베이스 접촉부 사이의 물리적 이격을 확보함으로써 두 도전 영역 간의 원치 않는 단락이나 확산 간섭을 방지하는 구조적 의미를 갖는다.